CVD&PECVD簡(jiǎn)介

什么是CVD？

 CVD是Chemical Vapor Deposition的簡(jiǎn)稱?；瘜W(xué)氣相沉積(CVD)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用較為廣泛的用來(lái)沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來(lái)說(shuō)，它是很簡(jiǎn)單的:兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。

 反應(yīng)室中的反應(yīng)是很復(fù)雜的，有很多必須考慮的因素，沉積參數(shù)的變化范圍是很寬的:反應(yīng)室內(nèi)的壓力、晶片的溫度、氣體的流動(dòng)速率、氣體通過(guò)晶片的路程(如圖所示)、氣體的化學(xué)成份、一種氣體相對(duì)于另一種氣體的比率、反應(yīng)的中間產(chǎn)品起的作用、以及是否需要其它反應(yīng)室外的外部能量來(lái)源加速或誘發(fā)想得到的反應(yīng)等。額外能量來(lái)源諸如等離子體能量，當(dāng)然會(huì)產(chǎn)生一整套新變數(shù)，如離子與中性氣流的比率，離子能和晶片上的射頻偏壓等。

 CVD技術(shù)常常通過(guò)反應(yīng)類型或者壓力來(lái)分類，包括低壓CVD(LPCVD)，常壓CVD(APCVD)，亞常壓CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等離子體增強(qiáng)CVD(PECVD)，高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然后，還有金屬有機(jī)物CVD(MOCVD)，根據(jù)金屬源的自特性來(lái)保證它的分類，這些金屬的典型狀態(tài)是液態(tài)，在導(dǎo)入容器之前必須先將它氣化。不過(guò)，容易引起混淆的是，有些人會(huì)把MOCVD認(rèn)為是有機(jī)金屬CVD(OMCVD)。

上海高科達(dá)電爐有限公司主營(yíng)CVD氣相沉積爐，PECVD氣相沉積爐等高溫電爐設(shè)備。