CHIP-NOVA原位透射電鏡力-熱系統(tǒng)解決方案及應(yīng)用案例(一)
力-熱系統(tǒng)
系統(tǒng)組成
圖1
技術(shù)指標(biāo) |
力-熱樣品臺 |
高精度力學(xué)傳感芯片 |
加熱芯片 |
高精度控溫模塊 |
三維運(yùn)動控制模塊 |
力學(xué)數(shù)據(jù)采集及計(jì)算模塊 |
力學(xué)測試:壓縮、拉伸、恒定力、恒位移 |
設(shè)備工作流程
圖2
圖2視頻
測試前,利用FIB將樣品焊接加熱芯片端,將金剛石焊接在力學(xué)傳感端,力學(xué)測試過程中,加熱芯片跟隨運(yùn)動控制模塊向前運(yùn)動,并力學(xué)傳感芯片接觸受力,樣品在加熱條件下發(fā)生壓縮或拉伸。
力學(xué)傳感器
圖3
技術(shù)指標(biāo) |
20uN,k=7(nN/nm) |
85uN, k=29(nN/nm) |
150uN,k=50(nN/nm) |
500uN, k=169(nN/nm) |
1000uN, k=400(nN/nm) |
運(yùn)動控制模塊
圖4
技術(shù)指標(biāo) | |
運(yùn)動控制:粗調(diào)+細(xì)調(diào) | |
控制方式:xyz三軸定量運(yùn)動控制 | |
粗調(diào)量程:±2 mm(精度100nm) | |
細(xì)調(diào)量程:X/8 μm,Y、Z/10 μm(精度0.2nm) | |
力學(xué)測試精度:優(yōu)于10nN | |
支持實(shí)時獲取力-位移曲線 | |
力學(xué)測試模式:壓縮、拉伸、恒定力、恒位移 |
高溫加熱模塊
圖5
技術(shù)指標(biāo) | |
兩電極反饋控溫 | |
絕對溫標(biāo)設(shè)計(jì),消除系統(tǒng)誤差 | |
RT-400℃, RT-800℃(任選) | |
控溫精度:0.01℃ | |
溫度均勻性:優(yōu)于99.5% | |
支持FIB制樣 | |
芯片可重復(fù)使用 |
技術(shù)參數(shù)
項(xiàng)目 | 力學(xué)系列 | |
最大載荷 | 1000μN(yùn) | |
力學(xué)測量精度 | 優(yōu)于10 nN(在40 μN(yùn)最大載荷時) | |
力學(xué)測試模式 | 壓縮、拉伸、恒定力、恒位移 (可實(shí)時獲取應(yīng)力-應(yīng)變曲線) | |
三維運(yùn)動 | 粗調(diào)范圍 | ±2 mm |
粗調(diào)精度 | 100nm | |
細(xì)調(diào) | X/8 μm,Y、Z/10 μm | |
細(xì)調(diào)精度 | 0.2nm | |
熱 | 溫度范圍 | RT-400 ℃、RT-800 ℃(任選) |
控溫方式 | 兩電極反饋控溫 | |
溫度穩(wěn)定性 | ≤0.01 ℃ | |
溫度均勻性 | >99.5% | |
適用電鏡 | FEI, JEOL, Hitachi |
優(yōu)勢 |
力學(xué)精度高 |
可實(shí)現(xiàn)800℃高溫力學(xué)測試 |
可實(shí)時獲取應(yīng)力應(yīng)變曲線 |
三軸定量運(yùn)動控制,定位精度高 |
支持壓縮、拉伸、恒定力、恒位移多種力學(xué)測量模式 |
應(yīng)用案例-鎢納米柱
圖6 鎢納米柱受力發(fā)生彈性形變過程中,彈性形變量與受力的關(guān)系
圖6視頻 鎢納米柱受力發(fā)生彈性形變過程中,彈性形變量與受力的關(guān)系
圖7 鎢納米柱受力發(fā)生彈性形變和塑性形變過程
圖7視頻 鎢納米柱受力發(fā)生彈性形變和塑性形變過程
TEM原位設(shè)備周邊產(chǎn)品及服務(wù)
真空存桿儀 |
真空≤10-4 hPa |
最多可支持10路存桿 |
高真空檢漏儀 |
真空≤10-6 hPa |
樣品預(yù)抽,保證電鏡安全 |
●原位樣品桿定制 ●MEMS芯片定制 ●MEMS工藝代加工 ●原位透射電鏡測試 ●透射電鏡樣品桿維修
科研成果
Applied Catalysis B: Environmental, 2021, 284: 119743.
Small Methods, 2021, 5(7): 2001234
Nano Research, 2021, 14(8): 2805-2809.
Applied Catalysis B: Environmental, 2022, 307: 121164.
相關(guān)產(chǎn)品
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