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ThetaMetrisis 自動(dòng)化薄膜厚度測(cè)繪系統(tǒng)介紹

來源:岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司   2022年10月19日 10:46  

FR-Scanner-AIO-Mic-XY200: 微米級(jí)定位精度自動(dòng)化薄膜厚度測(cè)繪系統(tǒng)介紹    

FR-Scanner-AIO-Mic-XY200是一款自動(dòng)薄膜厚度測(cè)繪系統(tǒng),用于全自動(dòng)圖案化晶圓上的單層和多層涂層厚度測(cè)量。電動(dòng)X-Y載物臺(tái)提供適用尺寸 200mm x 200mm毫米的行程,通過真空固定在載臺(tái)上時(shí)進(jìn)行精確測(cè)量??梢罍y(cè)量厚度和波長(zhǎng)范圍應(yīng)用需求可在在 200-1700nm 光譜范圍內(nèi)提供各種光學(xué)配置.

應(yīng)

o 大學(xué) & 研究實(shí)驗(yàn)室

o 半導(dǎo)體(氧化物、氮化物、Si、抗蝕劑等)

o MEMS 器件(光刻膠、硅膜等)

o LED、VCSEL、BAW 、 SAW filter

o 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

o 聚合物涂料、粘合劑等。

o其他各種工業(yè)……

(聯(lián)系我們客制化您的應(yīng)用需求)

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FR-Scanner-AllInOne-Mic-XY200 模塊化厚度測(cè)繪系統(tǒng)平臺(tái),集成了先進(jìn)的光學(xué)、電子和機(jī)械模塊,用于表征圖案化薄膜光學(xué)參數(shù)。典型案例包括(但不限于)微圖案表面、粗糙表面等。


晶圓放置在真空吸盤上,該真空吸盤支持尺寸/直徑達(dá) 200 毫米的各種晶圓,執(zhí)行測(cè)量光斑尺寸小至幾微米的強(qiáng)大光學(xué)模塊。電動(dòng)平臺(tái)提供XY方向  200 毫米的行程,在速度、精度和可重復(fù)性方面具有很高的性能.


FR-Scanner-AIO-Mic-XY200提供:


o 實(shí)時(shí)光譜反射率測(cè)量

o 薄膜厚度、光學(xué)特性、不均勻性測(cè)量、厚度測(cè)繪

o 使用集成的、USB 連接的高質(zhì)量彩色相機(jī)進(jìn)行成像

     o 測(cè)量參數(shù)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)


特征

o 單擊分析(無需初始猜測(cè))

o 動(dòng)態(tài)測(cè)量

o 光學(xué)參數(shù)(n & k、色座標(biāo))

o Click2Move 和圖案測(cè)量位置對(duì)齊功能

o 多個(gè)離線分析安裝

o 免費(fèi)軟件更新

圖片2.png


規(guī)格


Model

UV/VIS

UV/NIR -EX

UV/NIR-HR

D UV/NIR

VIS/NIR

D VIS/NIR

NIR

NIR-N2

Spectral Range (nm)

200 – 850

200 –1020

200-1100

200 – 1700

370 –1020

370 – 1700

900 – 1700

900 - 1050

Spectrometer Pixels

3648

3648

3648

3648 & 512

3648

3648 & 512

512

3648

Thickness range (SiO2) *1

5X- VIS/NIR

4nm – 60μm

4nm – 70μm

4nm – 100μm

4nm – 150μm

15nm – 90μm

15nm–150μm

100nm-150μm

4um – 1mm

10X-VIS/NIR

10X-UV/NIR*

4nm – 50μm

4nm – 60μm

4nm – 80μm

4nm – 130μm

15nm – 80μm

15nm–130μm

100nm–130μm

15X- UV/NIR *

4nm – 40μm

4nm – 50μm

4nm – 50μm

4nm – 120μm

100nm-100μm

20X- VIS/NIR

20X- UV/NIR *

4nm – 25μm

4nm – 30μm

4nm – 30μm

4nm – 50μm

15nm – 30μm

15nm – 50μm

100nm – 50μm

40X- UV/NIR *

4nm – 4μm

4nm – 4μm

4nm – 5μm

4nm – 6μm

50X- VIS/NIR

15nm – 5μm

15nm – 5μm

100nm – 5μm

Min. Thickness for n & k

50nm

50nm

50nm

50nm

100nm

100nm

500nm

Thickness Accuracy **2

0.1% or 1nm

0.2% or 2nm

3nm or 0.3%


Thickness Precision **3/4

0.02nm

0.02nm

<1nm

5nm

Thickness stability **5

0.05nm

0.05nm

<1nm

5nm

Light Source

Deuterium & Halogen

Halogen (internal), 3000h (MTBF)

Min. incremental motion

0.6μm

Stage repeatability

±2μm

Absolute accuracy

±3μm

Material Database

> 700 different materials

Wafer size

2in-3in-4in-6in-8in

Scanning Speed

100meas/min (8’’ wafer size)

Tool dimensions / Weight

700x700x200mm / 45Kg









測(cè)量區(qū)域光斑(收集反射信號(hào)的區(qū)域)與物鏡和孔徑大小有關(guān)

物鏡

Spot Size (光斑)

放大倍率

500微米孔徑

250微米孔徑

100微米孔徑

5x

100 μm

50 μm

20 μm

10x

50 μm

25 μm

10 μm

20x

25 μm

15 μm

5 μm

50x

10 μm

5 μm

2 μm





   

















                 













Principle of Operation 測(cè)量原理

White Light Reflectance Spectroscopy (WLRS) 白光反射光譜是測(cè)量從單層薄膜或多層薄膜堆疊結(jié)構(gòu)的一個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)的反射量,入射光垂直于樣品表面,由于界面干涉產(chǎn)生的反射光譜被用來計(jì)算確定(透明或部分透明或*反射基板上)薄膜的厚度、光學(xué)常數(shù)(N&K)等。

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*1規(guī)格如有變更,恕不另行通知,*2與校正過的光譜橢偏儀和x射線衍射儀的測(cè)量結(jié)果匹配,*3超過15天平均值的標(biāo)準(zhǔn)偏差平均

樣品:硅晶片上1微米SiO2,*4標(biāo)準(zhǔn)偏差100次厚度測(cè)量結(jié)果樣品:硅晶片上1微米SiO2, *5 15天內(nèi)每日平均值的2*標(biāo)準(zhǔn)差。樣品:硅片上1微米SiO2。












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