功率半導(dǎo)體器件IGBT也被稱作電力電子器件或功率器件，它是具有包括變頻、變壓、變流、功率管理等功率管理能力的一種特殊開關(guān)。在計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子、新能源、汽車、工業(yè)制造、等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

IGBT被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”，因此IGBT模塊可靠性，對(duì)產(chǎn)業(yè)的性能有著舉足輕重的作用。要大批量的生產(chǎn)出可靠性、穩(wěn)定性高的IGBT模塊，就需要對(duì)IGBT進(jìn)行老化等測(cè)試。

功率半導(dǎo)體IGBT老化測(cè)試要求中，IGBT可按照電壓等級(jí)劃分，通常有300V、600V、900V、1200V等，其中，電動(dòng)車用 IGBT 模塊常用的典型型號(hào)為 650V、550A 的模塊，測(cè)試項(xiàng)目主要包括額定值測(cè)試、特性測(cè)試、耐久性及可靠性測(cè)試等。

IGBT兩大測(cè)試特性

動(dòng)態(tài)特性：IGBT的動(dòng)態(tài)特性主要是指開通過程和關(guān)斷過程，使得IGBT 反復(fù)處于導(dǎo)通態(tài)，測(cè)試其開通和關(guān)斷過程中的延遲時(shí)間，上升時(shí)間，下降時(shí)間等。

靜態(tài)特性：IGBT的靜態(tài)特性主要是指伏安特性、轉(zhuǎn)移特性，一般需給予一個(gè)長(zhǎng)時(shí)間的穩(wěn)定電環(huán)境，柵源電壓受漏極電流限制，其值一般取為15V左右。

測(cè)試過程

電源工作狀態(tài)：CV狀態(tài)工作

通過電源持續(xù)給設(shè)備進(jìn)行施加反偏電壓、常用500V、1000V及以上高壓、電流在100mA以內(nèi)。通過給多組產(chǎn)品進(jìn)行老化實(shí)驗(yàn)。

ZFPSB9000 系列是一款集直流電源和回饋式負(fù)載于一體的可編程直流電源，既可以做源，實(shí)現(xiàn)source 功能，對(duì)外輸出動(dòng)率；也可以做載，實(shí)現(xiàn) sink 功能，吸收功率并清潔的返回電網(wǎng)；實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)的雙象限運(yùn)行。

ZFPSB9000可編程雙向直流電源

該系列電源測(cè)試功能全面具備全面的保護(hù)功能 OTP、OVP、OCP、OPP；內(nèi)置函數(shù)發(fā)生器，支持任意波形產(chǎn)生；具有 S 端子補(bǔ)償功能；高頻 PWM 整流和雙向 DCDC 技術(shù)，全面消除常規(guī)大功率雙向電源的噪聲，靜音電源，能很好的應(yīng)用于IGBT的各項(xiàng)測(cè)試。