元器件高空低氣壓模擬試驗方法低氣壓試驗箱：

預處理。

試驗樣品按要求放入高低溫低氣壓試驗箱(未包裝，是/否通電等)，按標準設定好溫度，溫度變化速率應不超過 1K/min，試驗樣品應保持溫度穩(wěn)定。按相關規(guī)范進行功能試驗，按規(guī)定或相關規(guī)范要求進行中間檢測。

按標準維持溫度的規(guī)定值，氣壓按試驗標準降至要求值，氣壓的變化速率不應超過 15kPa/min。溫度和氣壓保持相應的時間。

水蒸氣以能在試驗樣品表面形成霧的形式通入試驗箱。然后，在低氣壓穩(wěn)定的條件下使溫度達到實驗室的溫度。

當溫度升到 0℃～5℃ 之間時，低氣壓應以不超過 15kPa/min 的速率上升到正常值。氣壓升高期間，不應控制溫度。溫度/濕度保持在規(guī)定值，保持規(guī)定的時間，而后按條件恢復。

試驗目的: 常見 低氣壓試驗 的試驗目的通常有3種:確定產(chǎn)品在常溫條件下能否耐受低氣壓環(huán)境，在低氣壓環(huán)境下正常工作，以及耐受空氣壓力快速變化的能力。1)2)確定常溫條件下元件和材料在低氣壓下耐電擊穿的能力，確定密封元件耐受氣壓差不被破壞的能力，確定低氣壓對元件工作特性的影響，3)確定元器件和材料在氣壓減小時，由于空氣和其他絕緣材料的絕緣強度減弱抗電擊穿失效的能力

參考標準

1)GJB 150.2A-2009《裝備實驗室環(huán)境試驗方法第二部分低氣壓( 高度) 試驗》;

2)GJB 360B-2009《電子及電氣元件試驗方法方法105低氣壓試驗》(等效美軍標M L-STD-202F)

3)GJB 548B-2005《微電子器件試驗方法和程序方法1001低氣壓(高空作業(yè)) 》標M L-STD-883D)

4) G B2421-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗總則》;

5) G B/T 2423，21-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗M 低氣壓試驗方法》:

6) G B/T2423，25 2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境過驗規(guī)程試驗Z/AM 低溫/低氣壓綜合試驗方法

7)G B/T 2423、262008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Z/BM 高溫/低氣壓綜合試驗方法》

8) G B2423.27-2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Z/AM D 高溫/低氣壓綜合試驗方法》

9) G B/T 2424.15-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程》。

3、試驗條件:

1) 試驗氣壓GJB 548共列出了A、B、C、D、、F、G7個不條件下的高度氣壓值，并且所給出的試驗條件有-定的規(guī)律性，隨著飛行高度由低高，氣壓值由大變小;GJIB 360給出了A、B、C、D、上、下、G、H、、J10不同條性下的高度氣值，并且所列的高度-與壓表中的過驗條件由A到驗條件有一定的現(xiàn)律性，隨著飛行高度由器高，氣壓值由大變小，而由過驗條件F到過驗條件沒有呈現(xiàn)規(guī)律性，與GJB 548所列的試驗條件對比，B 360試驗條件增加了條件H到試驗條件)，對應的氣壓高度條件分別為: H: 3 000m 70kPa; J: 18 000m，7、6kPa; K: 25 000m, 2、5 kPa。

2) 試驗時間

GJB 360B-2009規(guī)定若無其他規(guī)定，試驗樣品在低氣壓條件下的試驗時間，可從下列數(shù)值中選取5min、30min、1h、2h、4h和16h.