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同惠功率器件CV特性測試解決方案助力品質(zhì)升級!

來源:深圳市儀寶科技有限公司   2024年02月22日 10:02  

為實現(xiàn)我國的‘碳達(dá)峰、碳中和’目標(biāo),電氣化替代成為關(guān)鍵策略。

通過功率半導(dǎo)體,我們構(gòu)建了高效、可控的能源網(wǎng)絡(luò),降低能耗和碳排放。功率半導(dǎo)體在計算機(jī)、交通、消費電子和汽車電子等行業(yè)的應(yīng)用也逐漸廣泛。

隨著新能源的快速增長,新能源汽車、風(fēng)電和光伏等領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體的需求將大幅增加。

半導(dǎo)體材料已經(jīng)歷經(jīng)三個發(fā)展階段:

由此可見,第三代半導(dǎo)體在高壓、高頻、高速和低阻方面展現(xiàn)出了顯著優(yōu)勢,其擊穿電壓在某些應(yīng)用中甚至能夠達(dá)到1200-1700V。這些特點為其帶來了一系列新的特性:

A極低的內(nèi)部電阻,與同類型硅器件相比,效率提高了70%;

B低電阻有助于改善熱性能,提高最高工作溫度,優(yōu)化散熱,從而實現(xiàn)更高的功率密度;

C散熱的優(yōu)化還使得封裝更簡潔,尺寸和重量大大減少;

D其極短的關(guān)斷時間使得器件能在高開關(guān)頻率下工作,且工作溫度更低。

這些特性在功率器件,尤其是MOSFET和IGBT上的應(yīng)用最為廣泛。

其中,功率器件以MOSFET、IGBT為代表,兩者均為電壓控制電流型功率開關(guān)器件,MOSFET優(yōu)點是驅(qū)動電路簡單、開關(guān)速度快、工作頻率高,IGBT是由BJT和MOSFET組合成的復(fù)合器件,兼具兩者的優(yōu)點:速度快、能耗低、體積小、而且大功率、大電流、高電壓。

 MOSFET以柵極(G)極電壓控制MOSFET開關(guān),當(dāng)VGS電壓大于閾值電壓VGS(th) 時,MOSFET導(dǎo)通。

 IGBT同樣以柵極(G)極電壓控制IGBT開關(guān),當(dāng)VGE電壓大于閾值電壓VGE(th) 時,IGBT導(dǎo)通。

 因此,在第三代半導(dǎo)體高速發(fā)展的同時,測量技術(shù)也面臨全面升級,特別是高電壓、大電流、高頻率測試,以及電容特性(CV)特性。

 本方案用于解決MOSFET、IGBT單管器件、多個器件、模組器件的CV特性綜合解決。

在了解本方案之前,需先了解寄生電容、CV特性、柵極電阻Rg測試技術(shù)

一、功率器件的米勒效應(yīng)、CV特性

1、MOS管的寄生電容

以中國臺灣育碧VBZM7N60為例MOS管具有三個內(nèi)在的寄生電容:Cgs、Cgd、Cds以及柵極電阻Rg。

三個等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合的關(guān)系,它們并不是獨立的,而是相互影響,其中一個關(guān)鍵電容就是米勒電容Cgd。這個電容不是恒定的,它隨著柵極和漏極間電壓變化而迅速變化,同時會影響柵極和源極電容的充電。

規(guī)格書上對上述三個電容的CV特性描述為:在給定的工作條件下,這三個電容的電容值會隨著VDS電壓的增加而呈現(xiàn)下降的趨勢。

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2、MOS管的米勒效應(yīng)

理想的MOS管驅(qū)動波形應(yīng)是方波,當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后, MOS管就會進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。實際上在MOS管的柵極驅(qū)動過程中,由于米勒效應(yīng),會存在一個米勒平臺。米勒平臺實際上就是MOS管處于“放大區(qū)”的典型標(biāo)志,所以導(dǎo)致開通損耗很大。

3、寄生電容、CV特性、柵極電阻Rg測試技術(shù)

由前述知識可見,功率器件的寄生電容的測試,需要滿足下列幾點:

 ①由于寄生電容基本在pF級別至nF級別,測試頻率至少需要100kHz-1MHz,這些可由參數(shù)表找到;

 ②測試寄生電容時,用于測試的LCR或者阻抗分析儀至少需要2路直流電源,其中VDS需要電壓很高,由幾十V至幾百V,第三代半導(dǎo)體功率器件甚至需要幾千V;

 ③參數(shù)表中CV特性曲線,需要可變的VDS,因此DS電壓源需要可調(diào)電源。

 具體幾個寄生電容極柵極電阻測試原理如下:

二、半導(dǎo)體功率器件CV特性測試痛點

現(xiàn)今,市場上功率器件CV特性測試儀器,普遍存在下列痛點:

  1. 進(jìn)口設(shè)備

進(jìn)口設(shè)備功能全、一體化集成度高、測試準(zhǔn)確,但是有如下缺點:

a) 價格昂貴,動則幾十萬甚至上百萬的價格,一般企業(yè)很難承受。

b) 操作繁瑣,集成了太多功能加上大多英文化的操作界面,對于用戶操作并不友好。

c) 測試效率低,一臺設(shè)備可能完成動態(tài)特性、靜態(tài)特性的全部測試,但是接線復(fù)雜、操作難度大,測試結(jié)果用時較長, 測試效率無法保障。

  1. 國產(chǎn)設(shè)備

在進(jìn)口設(shè)備無法滿足用戶測試需求的情況下,國產(chǎn)設(shè)備應(yīng)運而生,以相對功能單一、操作方便、價格低廉快速占領(lǐng)了一部分市場,但是,這些設(shè)備同樣也有如下缺點:

a) 體積龐大,大多數(shù)國產(chǎn)設(shè)備,由于沒有專業(yè)的電容測試經(jīng)驗,通常是用幾臺電源、一臺LCR、工控機(jī)或者PLC、機(jī)箱、 測試工裝等組合而成,因此體積過大,無法適用于自動化產(chǎn)線快速生產(chǎn)。

b) 漏源電壓VDS過低,大多最高只能達(dá)到1200V左右,已無法滿足第三代半導(dǎo)體功率器件測試需求。

c) 測量精度低,由于缺乏專業(yè)電容測量經(jīng)驗,加上過多的轉(zhuǎn)接,導(dǎo)致電容特別是pF級別的小電容無法達(dá)到合適的測量精度。

d) 測試效率低,同樣由于組合儀器過多,加上需用工控機(jī)或PLC控制過多儀器,導(dǎo)致測試單個器件時間過長。

e) 擴(kuò)展性差,由于設(shè)備過多,各種儀器不同的編程協(xié)議,很難開放第三方接入以集成至客戶產(chǎn)線自動化測試整體方案中。

三、同惠半導(dǎo)體功率器件CV特性解決方案

針對當(dāng)前測試痛點,同惠電子作為國產(chǎn)器件測量儀器頭部企業(yè),責(zé)無旁貸的擔(dān)負(fù)起進(jìn)口儀器國產(chǎn)化替代的責(zé)任,本著為客戶所想、為客戶分憂的精神,契合市場熱點及需求,及時推出了針對半導(dǎo)體功率器件CV特性的一體化、系列化解決方案。 

單管或者多個MOSFET、IGBT測試解決方案 

單管器件或者多個單管器件測試相對簡單,同惠提供了TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀即可滿足基本測試要求。TH510系列半導(dǎo)體半導(dǎo)體C-V特性分析儀基本情況如下:

四、多芯器件或模組MOSFET、IGBT測試方案

多芯器件、模組器件由于內(nèi)部集成多個MOSFET、IGBT芯片,而且內(nèi)部電路比較復(fù)雜,因此,測試相對復(fù)雜。

由上圖可見,部分多芯器件、模組器件由于腳位眾多、核心多、有貼片封裝、異形封裝等,如果用單機(jī)去測試,接線都很困難,而要完成整顆器件測試更是難上加難。因此,同惠為此開發(fā)了針對模組式器件的測試系統(tǒng):

整套系統(tǒng)基于TH510系列半導(dǎo)體CV特性分析儀,加上定制工裝、上位機(jī)軟件等組成了一套完整的測試、數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)。  


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