日本古河furukawa氮化鋁 (AlN) 陶瓷零件半導體制造設備用

半導體制造設備（用于前端工藝）需要應對更小的設計規(guī)則和更大的晶圓直徑（300mmφ或更大）。為此，構成設備的部件材料的選擇極其重要。

氮化鋁（AlN）是一種平衡良好的材料，具有優(yōu)異的導熱性、熱輻射（散熱）、抗熱震性和電絕緣性，并且具有與硅晶片相匹配的熱膨脹性。

利用古河電子的燒成技術，我們還能夠制造550mmφ的氮化鋁陶瓷部件。我們還將應對更大直徑的晶圓。

我們還提供材料。如果您對氮化鋁陶瓷有任何疑問，請隨時與我們聯(lián)系。

特征

具有高導熱率和熱發(fā)射率，熱量均勻性高。

它具有抗熱沖擊能力，可以承受快速加熱和冷卻。

與硅相匹配的低熱膨脹。

對氟氣具有優(yōu)異的耐腐蝕性。

目的

半導體制造裝置（CVD、蝕刻等）用各種基座、靜電吸盤、均熱板、真空吸盤、加熱器

虛擬晶圓

目標

化合物半導體制造設備零部件

型號：FAN-090 / FAN-170 / FAN-200