大電流注入（BCI：Bulk Current Injection）—— 汽車電子EMC測(cè)試中經(jīng)常碰到的測(cè)試項(xiàng)，由于在車輛實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景中，不同車載零部件的連接線纜一般會(huì)捆扎在一起，這樣就會(huì)導(dǎo)致不同線纜之間會(huì)有不同頻段的電磁干擾信號(hào)進(jìn)行相互耦合，受到干擾的零部件會(huì)發(fā)生失效，進(jìn)而對(duì)車輛的行駛安全會(huì)產(chǎn)生一定風(fēng)險(xiǎn)。所以該項(xiàng)測(cè)試的目的在于模擬RF信號(hào)被注入到被測(cè)產(chǎn)品電源線或信號(hào)線上時(shí)，驗(yàn)證產(chǎn)品功能是否下降或其性能指標(biāo)是否在容差限值以內(nèi)。

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)從ISO 11452-4:2005版本到ISO 11452-4:2011版本再到現(xiàn)在最新的ISO 11452-4:2020版本。根據(jù)最新ISO 11452-4:2020版本要求，測(cè)試頻率范圍為0.1MHz ~ 400MHz。 

BCI測(cè)試?yán)碚撝R(shí) 

工作原理是利用電流注入探頭這個(gè)互感器將干擾信號(hào)感應(yīng)至線束。系統(tǒng)框圖如下圖所示。 

在這個(gè)試驗(yàn)過(guò)程中，電流注入鉗相當(dāng)于第一電流變換器，線束作為第二電流變換器，因此，射頻干擾信號(hào)通過(guò)電流注入探頭耦合后，轉(zhuǎn)換為射頻電流，在線束中以共模方式流過(guò)（即電流在EUT的所有線束中以相同的方向流動(dòng)），通過(guò)參考地回流進(jìn)入EUT的連接端口，也稱CBCI，一般應(yīng)用在高頻測(cè)試（30MHz~400MHz）。 

或者以差模方式流過(guò)，通過(guò)被測(cè)線束以外的其它線束回流進(jìn)入EUT連接端口，也稱DBCI，一般應(yīng)用在低頻測(cè)試（0.1MHz~30MHz）。電流監(jiān)測(cè)鉗作為線纜電流的測(cè)量裝置，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)線束實(shí)際感應(yīng)電流值。 

測(cè)試方法BCI測(cè)試分為開環(huán)法（也俗稱替代法）和閉環(huán)法

開環(huán)法是在試驗(yàn)之前以前向功率作為試驗(yàn)的基準(zhǔn)參數(shù)進(jìn)行系統(tǒng)校準(zhǔn)，產(chǎn)生所要測(cè)試的電流等級(jí)，記錄好功放輸出的前向功率。測(cè)試過(guò)程中按校準(zhǔn)確定的基準(zhǔn)參數(shù)對(duì)DUT施加干擾信號(hào)進(jìn)行試驗(yàn)。校準(zhǔn)和試驗(yàn)過(guò)程中前向功率、試驗(yàn)電流等級(jí)都應(yīng)被記錄下來(lái)。 

閉環(huán)法是指將預(yù)先校準(zhǔn)好的RF干擾信號(hào)經(jīng)射頻功率放大器放大后，通過(guò)電流注入探頭注入至線束中，同時(shí)通過(guò)電流測(cè)量探頭測(cè)量線束中的實(shí)時(shí)電流值，比較實(shí)時(shí)電流值與目標(biāo)值，決定是升高或降低信號(hào)電平輸出來(lái)達(dá)到預(yù)先設(shè)置的目標(biāo)值。 

可以概括為如下3點(diǎn)： 

 1）特定試驗(yàn)電平（電流）應(yīng)在實(shí)測(cè)前標(biāo)定，增加功放功率，若電流值滿足測(cè)試等級(jí)要求，則開始注入進(jìn)行測(cè)試。 

 2）若功率計(jì)檢測(cè)到前向功率值 Pf = k*Pcal (k=4), 則停止增加功率，開始注入測(cè)試。 

 3）測(cè)試電流值或者4倍校準(zhǔn)功率值，滿足其中一項(xiàng)都認(rèn)為符合要求，以最先達(dá)到為準(zhǔn)。 

目前，各大OEM車廠以及標(biāo)準(zhǔn)制定組織在制定BCI產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，都將ISO 11452-4作為測(cè)試方法，但出于自身不同的考慮，一般只會(huì)選擇開環(huán)法和閉環(huán)法中的一種。對(duì)于ISO 11452-4，開環(huán)法與閉環(huán)法主要存在以下差異：

 1) 開環(huán)法的試驗(yàn)線束長(zhǎng)度為1700mm，閉環(huán)法的試驗(yàn)線束長(zhǎng)度為1000mm; 

 2) 開環(huán)法的電流注入位置為150mm, 450mm和750mm，而閉環(huán)法的電流注入位置為900mm；

 3）閉環(huán)法必須使用電流監(jiān)測(cè)鉗，監(jiān)測(cè)鉗位于50mm處，而開環(huán)法測(cè)試中電流監(jiān)測(cè)鉗只是作為一種選擇，一般不使用監(jiān)測(cè)鉗；

 4）開環(huán)法是一種基于給定注入前向功率的開環(huán)測(cè)試，而閉環(huán)法則是通過(guò)電流監(jiān)測(cè)鉗實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)的閉環(huán)測(cè)試。 

 測(cè)試環(huán)境：BCI測(cè)試的環(huán)境以及布置如下—— 

 試驗(yàn)溫度：（23±5）℃ 

 試驗(yàn)濕度：20% ~ 80% RH 

 試驗(yàn)電壓：12V系統(tǒng)為（13.5±0.5）V；24V系統(tǒng)為（27±1）V 

 對(duì)于汽車電子系統(tǒng)測(cè)試來(lái)說(shuō)，典型的信號(hào)頻率范圍如下： 

 BCI測(cè)試頻率范圍：1MHz~400MHz 或者 0.1MHz~400MHz 試驗(yàn)需在屏蔽室中進(jìn)行。 

布置要點(diǎn)—— 

 • DUT應(yīng)布置在絕緣、厚度為(50±5)mm、低相對(duì)介電常數(shù)（ε< 1.4）的材料上。 

 • DUT表面應(yīng)與接地平面邊緣距離≥100mm。 

 • DUT和屏蔽殼體的任何金屬部分之間距離應(yīng)≥500mm，接地平面除外。 

 • 除非在測(cè)試計(jì)劃中另有說(shuō)明，試驗(yàn)應(yīng)采用開環(huán)法，DUT和模擬負(fù)載之間的線束長(zhǎng)度應(yīng)為（1700 -0/+30）mm，從DUT側(cè)起線束與實(shí)驗(yàn)桌前言平行部分應(yīng)至少1500mm。 

 • 測(cè)試線束（或分支）應(yīng)布置在絕緣、厚度為(50±5)mm、低相對(duì)介電常數(shù)（ε< 1.4）的材料上。 

 • 除非DUT外殼在實(shí)車中與金屬車架搭接，否則DUT外殼不得與接地平面接地。 

 • 負(fù)載模擬器最好直接放置在接地平面上，如果負(fù)載模擬器使用的式金屬外殼，則該外殼應(yīng)連接到接地平面上，接地電阻應(yīng)<2.5mΩ。 

 • 在測(cè)試過(guò)程中，若使用電流監(jiān)測(cè)探頭進(jìn)行監(jiān)視，應(yīng)布置在距離DUT連接器（50±10）mm位置處。 

 • LISN：對(duì)于遠(yuǎn)端接地應(yīng)用兩個(gè)LISN，對(duì)于近端接地可以只用一個(gè)LISN（接于正極）DUT負(fù)極則直接連接在接地平面。

除非有其他規(guī)定，連接 DUT 與負(fù)載模擬器的線束長(zhǎng)度為：1700(+300/-0) mm，電流注入探頭與 DUT 的距離為：

 d = (150 ± 10) mm 

 d = (450 ± 10) mm 

 d = (750 ± 10) mm 

 可以選擇不加電流監(jiān)測(cè)探頭。

除非有其他規(guī)定，連接 DUT 與負(fù)載模擬器的線束長(zhǎng)度為：1000(+200/-0) mm，電流注入探頭與DUT的距離為（900±10）mm，閉環(huán)法必須要放置電流監(jiān)控探頭且到被測(cè)設(shè)備連接器的距離為（50±10）mm。 

 BCI測(cè)試功能狀態(tài)分類—— 

 受功能狀態(tài)定義了 EUT 在試驗(yàn)環(huán)境下功能特性的期望目標(biāo)，適于 EUT 的每一個(gè)獨(dú)立功能， 描述了試驗(yàn)中和試驗(yàn)后預(yù)期功能的工作狀態(tài)。一般有如下五個(gè)功能狀態(tài)： 

 狀態(tài) A：施加干擾過(guò)程中及過(guò)程后，功能應(yīng)滿足設(shè)計(jì)要求； 

 狀態(tài) B：施加干擾過(guò)程中功能應(yīng)滿足設(shè)計(jì)要求，但允許超過(guò)限值或公差要求，移除干擾后，功能自動(dòng)恢復(fù)到正常狀態(tài)，存儲(chǔ)記憶功能應(yīng)滿足功能等級(jí)A的要求； 

 狀態(tài) C：施加干擾過(guò)程中，允許功能偏離設(shè)計(jì)要求，移除干擾后，功能自動(dòng)恢復(fù)到正常狀態(tài)，存儲(chǔ)記憶功能應(yīng)滿足功能等級(jí)A的要求； 

 狀態(tài) D：施加干擾過(guò)程中，允許功能偏離設(shè)計(jì)要求，移除干擾后，可以進(jìn)行簡(jiǎn)單操作使功能恢復(fù) 到正常狀態(tài)，不允許對(duì)記憶功能造成長(zhǎng)久的影響；簡(jiǎn)單操作定義：操作設(shè)備電源鍵（如音響電源開關(guān)）； 

 狀態(tài) E：施加干擾過(guò)程中，功能偏離設(shè)計(jì)要求，移除干擾后，需要替換器件或維修方能恢復(fù)正常狀態(tài)。 

調(diào)制方式

根據(jù)ISO 11452-1標(biāo)準(zhǔn)的定義，調(diào)制信號(hào)的類型和頻率由DUT的特性決定，如無(wú)其它規(guī)定，應(yīng)參照下列要求： 

 ——未調(diào)制正弦波（CW） 

 ——調(diào)制頻率為1kHz，調(diào)制深度為0.8的調(diào)幅正弦波 (AM) 

 ——脈沖寬度為577us，周期為4600us的脈沖調(diào)制正弦波（PM） 

 實(shí)際實(shí)驗(yàn)時(shí)不能使用放大器的通斷所形成的脈沖或100% AM調(diào)制波（調(diào)制深度m=1）來(lái)代替PM調(diào)制波。 

調(diào)制信號(hào)的使用頻率范圍如下： 

 ——CW: 0.01MHz ~ 18GHz 

 ——AM: 0.01MHz ~ 800MHz 

 ——PM: 800MHz ~ 18GHz 

 其中BCI測(cè)試的調(diào)制方式為CW和AM 

 BCI測(cè)試頻率步長(zhǎng)如下，每個(gè)頻點(diǎn)的駐留時(shí)間一般為2s： 

BCI嚴(yán)酷等級(jí)： 

BCI測(cè)試系統(tǒng) —— 來(lái)者何人？ 

大電流注入（BCI）測(cè)試系統(tǒng)，以CDG7000-75傳導(dǎo)抗擾測(cè)試系統(tǒng)為核心，配合低插入損耗的電流注入探頭CDN BCI-P1，利用HELIA 7 – BCI全自動(dòng)測(cè)試軟件，實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的ISO 11452-4，TL 81000, BYD等絕大多數(shù)車企BCI測(cè)試。 

系統(tǒng)特點(diǎn)： 

 • 集成了4kHz~1.2GHz信號(hào)源、功放、功率計(jì)、功率探頭等關(guān)鍵設(shè)備； 

 • 全套配置都是自有品牌, 集成度高，緊湊小巧，方便攜帶進(jìn)行外場(chǎng)測(cè)試； 

 • 覆蓋ISO 11452-4標(biāo)準(zhǔn)、大眾企標(biāo)TL 81000中5.2.2章節(jié)BCI測(cè)試能力、BYD企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)BCI測(cè)試能力； 

 • 0.1MHz~400MHz滿足200mA開環(huán)法； 

 • 1MHz~400MHz滿足200mA閉環(huán)法。 

BCI測(cè)試系統(tǒng)配置： 

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