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同惠 TH510系列半導體C-V特性分析儀讓新能源車充電效率更快

來源:湖南艾克賽普測控科技有限公司   2024年11月18日 10:14  

一、研究背景

隨著我國加快實現(xiàn)“碳達峰、碳中和”的目標,電氣化替代已成為實現(xiàn)目標的關(guān)鍵。近年來新能源呈爆發(fā)式增長,充電樁作為新能源汽車的基礎(chǔ)配套設(shè)備,其數(shù)量與質(zhì)量也是消費者選擇電動汽車的重要影響因素。當前,MOSFET在國內(nèi)充電樁企業(yè)批量應(yīng)用,是新能源汽車充電樁的“心臟”。

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MOSFET即金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管,簡稱MOS管,主要有三個引腳:漏極、源極和柵極,屬于絕緣柵型,其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻。

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二、為什么要測試MOSFET的好壞?

在充電樁中,開關(guān)電源是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,MOS管可以利用電場效應(yīng)來控制其電流大小,當使用有故障的MOS管時,會發(fā)生漏極到柵極的短路,對電路有害,而MOS管是實現(xiàn)電能高效率轉(zhuǎn)換,確保充電樁穩(wěn)定不過熱的關(guān)鍵器件。

具體測試方案如下:

1、測試對象

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(為保護客戶信息安全,圖片來源于網(wǎng)絡(luò),僅供參考)


2、測試要求

VGS:20V左右,VDS:0-1000V,做來料檢測,需要能呈現(xiàn)MOS產(chǎn)品規(guī)格書里的C-V特性曲線,測試輸入、輸出、反向傳輸電容。


3、測試過程

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MOSFET或IGBT最重要的四個寄生參數(shù):Ciss、Coss、Crss、Rg,Cies、Coes、Cres、Rg均可一鍵測試,TH510系列半導體C-V特性分析儀10.1寸大屏可同時將測量結(jié)果、等效電路圖、分選結(jié)果等重要參數(shù)同時顯示,一目了然。

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一鍵測試單管器件器件時,無需頻繁切換測試腳位、測量參數(shù)、測量結(jié)果,大大提高了測試效率。


三、TH510系列半導體C-V特性分析儀

1、列表測試,多個、多芯、模組器件測量參數(shù)同屏顯示

TH510系列半導體C-V特性分析儀支持最多6個單管器件、6芯器件或6模組器件測試,所有測量參數(shù)通過列表掃描模式同時顯示測試結(jié)果及判斷結(jié)果。

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2、曲線掃描功能(選件)

在MOSFET的參數(shù)中,CV特性曲線也是一個非常重要的指標,如下圖

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TH510系列半導體C-V特性分析儀支持C-V特性曲線分析,可以以對數(shù)、線性兩種方式實現(xiàn)曲線掃描,可同時顯示多條曲線:同一參數(shù)、不同Vg的多條曲線;同一Vg、不同參數(shù)多條曲線。

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3、接觸檢查(Contact)功能,提前排除自動化測試隱患

在高速測試特別是自動化測試中,經(jīng)常會由于快速插拔或閉合,造成測試治具或工裝表面磨損而接觸不良,接觸不良造成的最直接后果是誤判測試結(jié)果而難以發(fā)現(xiàn),在廢品率突然增加或發(fā)出產(chǎn)品故障原因退回時才會發(fā)現(xiàn),因此是一個極大的隱患。

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同惠TH510系列半導體C-V特性分析儀采用了硬件測試方法,可及時發(fā)現(xiàn)接觸不良故障,出現(xiàn)故障之后自動停止測試并在測試界面提供接觸不良點提示。

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保障了結(jié)果的準確性,同時利于客戶及時發(fā)現(xiàn)問題,避免了不良品率提高及故障品退回等帶來的損失。


4、快速通斷測試(OP_SH),排除損壞器件

在半導體器件特性測試時,由于半器件本身是損壞件,特別是多芯器件其中一個芯已經(jīng)損壞的情況下,測試雜散電容仍有可能被為合格,而半導體器件的導通特性才是最重要的特性。

因此,對于本身導通特性不良的產(chǎn)品進行C-V特性測試是沒有必要的,不僅僅浪費了測量時間,同時會由于C-V合格而混雜在良品里,導致成品出貨后被退回帶來損失。

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TH510系列半導體C-V特性分析儀提供了快速通斷測試(OP_SH)功能,可用于直接判斷器件本身導通性能。


5、模組式器件設(shè)置,支持定制

針對模組式器件如雙路(Dual)MOSFET、多組式IGBT,有些器件會有不同類型芯片混合式封裝;TH510系列CV特性分析儀針對此情況做了優(yōu)化,常見模組式芯片Demo已內(nèi)置,特殊芯片支持定制。

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