可靠性試驗(yàn)是為了確定已通過(guò)可靠性鑒定試驗(yàn)而轉(zhuǎn)入批量生產(chǎn)的產(chǎn)品在規(guī)定的條件下是否達(dá)到規(guī)定可靠性要求，驗(yàn)證產(chǎn)品的可靠性是否隨批量生產(chǎn)期間工藝，工裝，工作流程，零部件質(zhì)量等因素的變化而降低。只有經(jīng)過(guò)這些試驗(yàn)檢測(cè)，產(chǎn)品性能才是可以信任，產(chǎn)品質(zhì)量才是過(guò)硬的。

電子產(chǎn)品的可靠性試驗(yàn)分類(lèi)就很多，往下將介紹部分試驗(yàn)條件。

一、環(huán)境試驗(yàn)：部分可靠性專(zhuān)著把樣品置于自然或人工模擬的儲(chǔ)存、運(yùn)輸和工作環(huán)境中的試驗(yàn)統(tǒng)稱(chēng)為環(huán)境試驗(yàn)，是考核產(chǎn)品在各種環(huán)境（振動(dòng)、沖擊、離心、溫度、熱沖擊、潮熱、鹽霧、低氣壓等）條件下的適應(yīng)能力，是評(píng)價(jià)產(chǎn)品可靠性的重要試驗(yàn)方法之一。一般主要有以下幾種：

（ 1）穩(wěn)定性烘培，即高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)；

                試驗(yàn)?zāi)康模涸诓皇┘与姂?yīng)力的情況下，高溫存儲(chǔ)對(duì)產(chǎn)品的影響。有嚴(yán)重缺陷的產(chǎn)品處于非平衡態(tài)，是一種不穩(wěn)定態(tài)，由非平衡態(tài)向平衡態(tài)的過(guò)渡過(guò)程既是引發(fā)有嚴(yán)重缺陷產(chǎn)品失效的過(guò)程，也是促使產(chǎn)品從非穩(wěn)定態(tài)向穩(wěn)定態(tài)的過(guò)渡過(guò)程。這種過(guò)渡一般情況下是物理化學(xué)變化，其速率遵循阿倫尼烏斯公式，隨溫度上升指數(shù)增加，高溫應(yīng)力的目的是為了縮短這種變化的時(shí)間．所以該實(shí)驗(yàn)又可以視為一項(xiàng)穩(wěn)定產(chǎn)品性能。

                試驗(yàn)條件：一般選定一恒定的溫度應(yīng)力和保持時(shí)間。微電路溫度應(yīng)力范圍為75℃至400℃，試驗(yàn)時(shí)間為24h以上。試驗(yàn)前后被試樣品要在標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)環(huán)境中，既溫度為25土10℃、氣壓為86kPa~100kPa的環(huán)境中放置一定時(shí)間。多數(shù)的情況下，要求試驗(yàn)后在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)完成終點(diǎn)測(cè)試。

       （2）溫度循環(huán)試驗(yàn)：

                試驗(yàn)?zāi)康模嚎己水a(chǎn)品承受一定溫度變化速率的能力及對(duì)高溫和低溫環(huán)境的承受能力．是針對(duì)產(chǎn)品熱機(jī)械性能設(shè)置的。當(dāng)構(gòu)成產(chǎn)品各部件的材料熱匹配較差，或部件內(nèi)應(yīng)力較大時(shí)，溫度循環(huán)試驗(yàn)可引發(fā)產(chǎn)品由機(jī)械結(jié)構(gòu)缺陷劣化產(chǎn)生的失效。如漏氣、內(nèi)引線(xiàn)斷裂、芯片裂紋等。

               試驗(yàn)條件：在氣體環(huán)境下進(jìn)行。主要是控制產(chǎn)品處于高溫和低溫時(shí)的溫度和時(shí)間及高低溫狀態(tài)轉(zhuǎn)換的速率。試驗(yàn)箱內(nèi)氣體的流通情況、溫度傳感器的位置、夾具的熱容量都是保證試驗(yàn)條件的重要因素。控制原則是試驗(yàn)所要求的溫度、時(shí)間和轉(zhuǎn)換速率都是指被試產(chǎn)品，不是試驗(yàn)的局部環(huán)境。微電路的轉(zhuǎn)換時(shí)間要求不大于1min在高溫或低溫狀態(tài)下的保持時(shí)間要求不小于10min；低溫為-55℃或-65-10℃，高溫從85+10℃到300+10℃不等。

      （3）熱沖擊試驗(yàn)

試驗(yàn)?zāi)康模嚎己水a(chǎn)品承受溫度劇烈變化，即承受大溫度變化速率的能力。試驗(yàn)可引發(fā)產(chǎn)品由機(jī)械結(jié)構(gòu)缺陷劣化產(chǎn)生的失效．熱沖擊試驗(yàn)與溫度循環(huán)試驗(yàn)的目的基本一致，但熱沖擊試驗(yàn)的條件比溫度循環(huán)試驗(yàn)要嚴(yán)酷得多。

   （4）低氣壓試驗(yàn)

試驗(yàn)?zāi)康模嚎己水a(chǎn)品對(duì)低氣壓工作環(huán)境(如高空工作環(huán)境)的適應(yīng)能力。當(dāng)氣壓減小時(shí)空氣或絕緣材料的絕緣強(qiáng)度會(huì)減弱；易產(chǎn)生電暈放電、介質(zhì)損耗增加、電離；氣壓減小使散熱條件變差，會(huì)使元器件溫度上升。這些因素都會(huì)使被試樣品在低氣壓條件下喪失規(guī)定的功能，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生損傷。

試驗(yàn)條件：被試樣品置于密封室內(nèi)，加規(guī)定的的電壓，從密封室降低氣壓前20min直至試驗(yàn)結(jié)束的一段時(shí)間內(nèi)，要求樣品溫度保持在25+-1.0℃的范圍。密封室從常壓降低到規(guī)定的氣壓再恢復(fù)到常壓，并監(jiān)視這‘過(guò)程中被試樣品能否正常工作，微電路被試樣品所施加電壓的頻率在直流到20MHz的范圍內(nèi)，電壓引出端出現(xiàn)電暈放電被視為失效。試驗(yàn)的低氣壓值是與海拔高度相對(duì)應(yīng)的，并分若干檔．如微電路低氣壓試驗(yàn)的A檔氣壓值是58kPa，對(duì)應(yīng)高度是4572m，E檔氣壓值是1.1kPa，對(duì)應(yīng)高度是30480m等等。

（5）耐濕試驗(yàn)

試驗(yàn)?zāi)康模阂允┘蛹铀賾?yīng)力的方法評(píng)定微電路在潮濕和炎熱條件下抗衰變的能力，是針對(duì)典型的熱帶氣候環(huán)境設(shè)計(jì)的。微電路在潮濕和炎熱條件下衰變的主要機(jī)理是由化學(xué)過(guò)程產(chǎn)生的腐蝕和由水汽的浸入、凝露、結(jié)冰引起微裂縫增大的物理過(guò)程。試驗(yàn)也考核在潮濕和炎熱條件下構(gòu)成微電路材料發(fā)生或加劇電解的可能性，電解會(huì)使絕緣材料電阻宰發(fā)生變化，使抗介質(zhì)擊穿的能力變?nèi)酢?/span>

試驗(yàn)條件：潮熱試驗(yàn)有兩種，即文變潮熱試驗(yàn)和恒定潮熱試驗(yàn)。交受潮熱試驗(yàn)要求被試樣品在相對(duì)濕度為90％～100％的范圍內(nèi)，用一定的時(shí)間(‘般2．5h)使溫度從25℃上升到65℃，井保持3h以上；然后再在相對(duì)濕度為80％一100％的范圍內(nèi)，用一定的時(shí)間(—般2.5 h)使溫度從6s℃下降到25℃，再進(jìn)行一次這樣的循環(huán)后再在任意濕度的情況下將溫度下降到一10 c，并保持3h以上‘再恢復(fù)到溫度為25℃，相對(duì)濕度等于或大于80％的狀態(tài)。這就完成了一次文變潮熱的大循環(huán)，大約需要24h。

一般一次耐濕試驗(yàn)，上述交變潮熱的大循環(huán)要進(jìn)行10次．試驗(yàn)時(shí)被試樣品要施加—定的電壓。試驗(yàn)箱內(nèi)每分鐘的換氣量要求大于試驗(yàn)箱容積的5倍。被試樣品應(yīng)該是經(jīng)受過(guò)非破壞性引線(xiàn)牢固性試驗(yàn)的樣品。

（6）鹽霧試驗(yàn)

試驗(yàn)?zāi)康模阂约铀俚姆椒ㄔu(píng)定元器件外露部分在鹽霧、潮濕和炎熱條件下抗腐蝕的能力，是針對(duì)熱帶海邊或海上氣候環(huán)境設(shè)計(jì)的．表面結(jié)構(gòu)狀態(tài)差的元器件在鹽霧、湘濕和炎熱條件下外露部分會(huì)產(chǎn)生腐蝕。

試驗(yàn)條件：鹽霧試驗(yàn)要求被試樣品上不同方位的外露部分都要在溫度、濕度及接收的鹽淀積速率等方面處于相同的規(guī)定條件。這一要求是通過(guò)樣品在試驗(yàn)箱內(nèi)放置的相互間的最小距離和樣品的放置角度來(lái)滿(mǎn)足的。

試驗(yàn)溫度：一般要求為(35+-3)'C、在24h內(nèi)鹽淀積速率為2X104mg／m2~5X104mg／m2。鹽淀積速率和濕度是通過(guò)產(chǎn)生鹽霧的鹽溶液的溫度、濃度及流經(jīng)它的氣流決定的，氣流中氧氣和氮?dú)獗确菀c空氣相同。

試驗(yàn)時(shí)間：一般分為24h、48h、96h和240h等。

（7）輻照試驗(yàn)

試驗(yàn)?zāi)康模嚎己宋㈦娐吩诟吣芰Ｗ虞椪窄h(huán)境下的工作能力。高能粒子進(jìn)入微電路會(huì)使微觀(guān)結(jié)構(gòu)發(fā)生變化產(chǎn)生缺陷或產(chǎn)生附加電荷或電流。從而導(dǎo)致微電路參數(shù)退化、發(fā)生鎖定、電路翻轉(zhuǎn)或產(chǎn)生浪涌電流引起燒毀失效。輻照超過(guò)某一界限會(huì)使微電路產(chǎn)生損傷。

試驗(yàn)條件：微電路的輻照試驗(yàn)主要有中子輻照和γ射線(xiàn)輻照兩大類(lèi)。又分總劑量輻照試驗(yàn)和劑量率輻照試驗(yàn)。劑量率輻照試驗(yàn)都是以脈沖的形式對(duì)披試微電路進(jìn)行輻照的。在試驗(yàn)中要依據(jù)不同的微電路和不同的試驗(yàn)?zāi)康膰?yán)格控制輻照的劑量串和總劑量。否則會(huì)由于輻照超過(guò)界限而損壞樣品或得不到要尋求的閩值。輻照試驗(yàn)要有防止人體損傷的安全措施。