RTS-2/RTS-2A型四探針測(cè)試儀（便攜式）應(yīng)用

測(cè)量范圍寬、精度高、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作的便攜式設(shè)計(jì)    

體積僅為：125mm(寬)*145mm(高)*245mm(深)    

  RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，專(zhuān)用于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
    儀器采用了最新電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。如有需要可加配測(cè)試臺(tái)使用。
    本儀器廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能單晶（多晶）生產(chǎn)廠(chǎng)家為硅材料的分選測(cè)試，半導(dǎo)體材料廠(chǎng)、半導(dǎo)體器件廠(chǎng)、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。
    

四探針測(cè)試儀前面板

帶把手四探針探頭

技　術(shù)　指　標(biāo) ：    

便攜式四探針測(cè)試儀按測(cè)量范圍可選配RTS-2型或RTS-2A型，區(qū)別：測(cè)量范圍不一樣。    

 RTS-2測(cè)量范圍

    電阻率：0.01～1999.9Ω.cm；  
 方塊電阻：0.1～19999Ω/□；
   

 RTS-2A測(cè)量范圍

    電阻率：0.001～199.99Ω.cm；  
 方塊電阻：0.01～1999.9Ω/□；
   

RTS-2恒流源

    電流量程分為100μA、1mA兩檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)    

RTS-2A恒流源

    電流量程分為1mA、10mA兩檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)    

數(shù)字電壓表

    量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　
 分辨力：10μV；
 輸入阻抗：>1000MΩ；
 精度：±0.1% ；
 顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動(dòng)顯示；    

四探針探頭基本指標(biāo)

    間距：1±0.01mm；
 針間絕緣電阻：≥1000MΩ；
 機(jī)械游移率：≤0.3%；
 探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
 探針壓力：5～16 牛頓(總力)；    

四探針探頭應(yīng)用參數(shù)

    (見(jiàn)探頭附帶的合格證)    

模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差
( 按JJG508-87進(jìn)行)

    1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字    

整機(jī)測(cè)量最大相對(duì)誤差

   (用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5%    

整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度

    ≤5%    

外型尺寸

    125mm(寬)*145mm(高)*245mm(深)    

標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境

    溫度：23±2℃；
 相對(duì)濕度：≤65%；
 無(wú)高頻干擾；
 無(wú)強(qiáng)光直射；