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低溫探針臺助力一篇Nature子刊!錫基鈣鈦礦鐵電半導(dǎo)體研究取得重要進展

來源:QUANTUM量子科學(xué)儀器貿(mào)易(北京)有限公司   2025年03月07日 08:36  

鐵電半導(dǎo)體因其可切換極化、鐵電場調(diào)控以及半導(dǎo)體輸運特性等優(yōu)勢,在鐵電晶體管和非易失性存儲器領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。然而,制備同時具有強鐵電性和半導(dǎo)體特性的薄膜頗具挑戰(zhàn)。近年來,錫基鈣鈦礦半導(dǎo)體因其 p 型特性和較低的載流子有效質(zhì)量備受關(guān)注,但具有強鐵電性的錫基鈣鈦礦半導(dǎo)體卻鮮有報道。高載流子濃度會屏蔽鐵電極化場,致使鐵電極化減弱甚至消失。因此,探索一種使錫基鈣鈦礦半導(dǎo)體具有鐵電性的新方法,對于實現(xiàn)低功耗器件和存儲器的應(yīng)用至關(guān)重要。

 

復(fù)旦大學(xué)材料科學(xué)系的褚君浩院士和李文武研究員團隊提出了一種創(chuàng)新的分子重構(gòu)策略,通過摻雜2-jia基苯并咪唑(MBI),成功將錫基鈣鈦礦半導(dǎo)體薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)殍F電半導(dǎo)體薄膜,這一轉(zhuǎn)變源于分子重構(gòu)。重構(gòu)后的鐵電半導(dǎo)體表現(xiàn)出高達23.2 μC/cm2的剩余極化(Pr)。鐵電性的產(chǎn)生源于咪唑分子摻雜后氫鍵的增強,從而導(dǎo)致空間對稱性破缺,使得正負電荷中心不再重合。值得注意的是,基于鈣鈦礦鐵電半導(dǎo)體的晶體管表現(xiàn)出低于67 mV/dec的亞閾值擺幅(SS),進一步證實了引入鐵電性的顯著優(yōu)勢。這一發(fā)現(xiàn)為基于錫基鈣鈦礦的鐵電器件提供了新的材料平臺,也為下一代電子器件的設(shè)計和發(fā)展開拓了廣闊前景。相關(guān)研究成果以“Emergence of ferroelectricity in Sn-based perovskite semiconductor films by iminazole molecular reconfiguration”為題,發(fā)表于國際著名學(xué)術(shù)期刊《Nature Communications》上。李文武研究員為通訊作者,材料科學(xué)系博士生劉昱為第一作者。

 

圖1 錫基鈣鈦礦薄膜的壓電原子力顯微鏡(PFM)、二次諧波光譜(SHG)和鐵電性能




研究團隊進一步將摻MBI分子的錫基鐵電鈣鈦礦應(yīng)用于鐵電場效應(yīng)晶體管(FeFET)中,研發(fā)了底柵頂接觸結(jié)構(gòu)的器件(圖2a)。實驗結(jié)果顯示,原始晶體管的轉(zhuǎn)移曲線呈現(xiàn)出典型的界面缺陷和體缺陷捕獲載流子的特征(圖 2b),反向電流低于正向電流。而摻MBI后的FeFET,由于極化電場的作用,反向電流超過正向電流,展現(xiàn)出顯著的鐵電滯回現(xiàn)象。研究人員還對不同掃描速度、掃描范圍、漏源電壓和不同溫度下的轉(zhuǎn)移曲線進行了測量,發(fā)現(xiàn)掃描窗口基本保持一致,再次證明了滯后現(xiàn)象源于鐵電場效應(yīng)晶體管(FeFETs)的鐵電性。同時,隨著MBI濃度的增加,器件的亞閾值擺幅(SS)從120 mV/dec降至67 mV/dec,充分表明該材料在低壓操作和低功耗器件方面有著的巨大潛力。



圖2 基于鐵電鈣鈦礦半導(dǎo)體的錫基晶體管的電學(xué)表征


本次工作中,基于鐵電鈣鈦礦半導(dǎo)體的錫基晶體管的常溫及變溫電學(xué)表征能夠精準完成,Lake Shore CRX-6.5K低溫探針臺發(fā)揮了重要的作用,它與Keysight B1500協(xié)同工作,為實驗數(shù)據(jù)的準確獲取提供了堅實的保障。


CRX-6.5K低溫探針臺主要參數(shù):

? 溫度范圍8 K ~ 350 K

? 可升級高溫選件至675 K

? 溫度控制穩(wěn)定性±10 mK @ 11 K~350 K

? 最多可配置6個探針臂

? 直流漏電流<100 fA

? 微波頻率最高至67GHz

? 光纖可用波長覆蓋200 nm~2100 nm



圖3 Lake Shore CRX-6.5K 低溫探針臺

 

Lake Shore低溫探針臺創(chuàng)新型變溫測量解決方案

 

在使用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀進行變溫測試時,設(shè)備與變溫測試結(jié)合困難一直是困擾研究人員的難題。Lake Shore聯(lián)合是德科技和吉時利,推出了自動變溫測量的解決方案,讓變溫半導(dǎo)體參數(shù)測量變得便捷、可靠、高效!

 

1. 與是德科技(Keysight)B1500A 半導(dǎo)體器件參數(shù)分析儀聯(lián)用

 

研究人員將是德科技B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀及其EasyExpert™軟件與Lake Shore低溫探針臺的336溫控儀的接口連接,能夠在自動化測量過程中通過編程管理溫度設(shè)置。啟動后,軟件會在設(shè)定的溫度范圍內(nèi)自動運行各種參數(shù)測量,并與 336 型溫控儀無縫協(xié)作,精確記錄和控制樣品溫度,實現(xiàn)了在寬溫度范圍內(nèi)對早期材料和器件的自動精確表征。



圖4 是德科技B1500半導(dǎo)體參數(shù)分析儀的EasyExpert 軟件與Lake Shore低溫探針臺的336溫控儀聯(lián)用

 

2. 與吉時利(Keithley)4200-SCS 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀聯(lián)用

 

許多Lake Shore的客戶使用多個單獨的測量儀表和自動化軟件來控制探針臺測量。但我們也注意到,有些客戶正在使用吉時利 4200-SCS 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀系統(tǒng)的集成編程接口與Lake Shore的336溫控儀聯(lián)用,并結(jié)合有的 ZN50R-CVT 探針,可在Lake Shore探針臺中實現(xiàn)變溫測量的自動化運行。用戶可以對系統(tǒng)進行編程,使其按設(shè)定的溫度逐步變化,并在一定溫度范圍內(nèi)運行多項測量,無需手動重復(fù)進行探針抬起、落針以及多次的溫度重新設(shè)定等繁瑣操作。吉時利新發(fā)布的固件中包含了用于Lake Shore 336 型溫控儀(該儀器用于控制探針臺樣品臺溫度)的驅(qū)動程序,進一步優(yōu)化了二者的兼容性。



圖5 吉時利4200半導(dǎo)體參數(shù)分析儀與336溫控儀自動控制兼容界面

 

3. 自動變溫測試重要配件——ZN50R-CVT適用變溫探針

 

Lake Shore的 CVT(連續(xù)可變溫度)探針的設(shè)計,能夠抵消因熱脹冷縮導(dǎo)致的探針臂移動,確保在整個變溫循環(huán)過程中,探針尖的著陸位置保持穩(wěn)定。同時,CVT 探針可裝到現(xiàn)有平臺上,通過簡化和優(yōu)化測量流程,以及拓展新的測量應(yīng)用,提升Lake Shore探針臺的整體功能。



圖6 CVT適用變溫探針實物圖

 

與標(biāo)準 ZN50R 探針相比,CVT 探針在變溫測試時無需頻繁重新定位,有效減少了調(diào)整探針位置的時間,降低了測量誤差




圖7 標(biāo)準探針和CVT探針比較


除了提高效率和更快獲得結(jié)果外,消除重復(fù)接觸定位帶來的差異,還能大幅降低測量誤差。即使是經(jīng)驗豐富、操作熟練的用戶,也無法消除每次探針著陸時接觸電阻的變化。使用CVT探針,包括霍爾效應(yīng)、柵控霍爾效應(yīng)、電流-電壓(I-V)、反?;魻栃?yīng)(AHE)、磁阻(MR)、深能級瞬態(tài)譜(DLTS)、電容-電壓(C-V)、光致發(fā)光和塞貝克效應(yīng)等測量,都會變得更加輕松便捷。


變溫霍爾效應(yīng)測試實例對比


下圖展示了 ZN50R-CVT 探針在實際測量中的性能。通過對比 ZN50R - CVT 探針和Lake Shore標(biāo)準 ZN50R 探針,得出了霍爾遷移率隨溫度的變化關(guān)系。測量是在Lake Shore CPX - VF 垂直磁場探針臺上進行的。在溫度變化期間,ZN50R 探針需要抬起,待溫度穩(wěn)定后再重新放置,這一過程需要操作人員進行 14 次不同的操作干預(yù)。而ZN50R-CVT 探針在 20K 時放置在樣品上,在20K 至 300K 的溫度范圍內(nèi)無需操作人員干預(yù)。在這兩個實驗中,溫度都是以逐點升溫的模式調(diào)節(jié)的:先改變設(shè)定溫度,待溫度穩(wěn)定后再進行測量。



圖8 變溫霍爾效應(yīng)標(biāo)準探針和CVT探針操作對比


Lake Shore低溫探針臺憑借其寬溫度范圍、高穩(wěn)定性和多功能配置,為錫基鈣鈦礦鐵電半導(dǎo)體薄膜及其低功耗晶體管研究提供了強有力的支持。自動化變溫測量解決方案和CVT適用變溫探針的引入,進一步提升了實驗的便捷性和準確性。這一創(chuàng)新性進展不僅推動了鈣鈦礦半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展,更為未來低功耗、高效能電子器件的設(shè)計提供了新的思路。


參考文獻:

[1]. Liu, Y., Yang, S., Hua, L. et al. Emergence of ferroelectricity in Sn-based perovskite semiconductor films by iminazole molecular reconfiguration. Nat. Commun., (2025).


相關(guān)產(chǎn)品

1、Lake Shore低溫探針臺系列http://www.muquzhou.cn/usermanage/default.aspx?pro_promanage


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