1.CP測(cè)試的流程

       晶圓片放置在Chuck臺(tái)上并移動(dòng)到相機(jī)采集圖像的位置，根據(jù)采集到的圖像計(jì)算出晶圓的圓心位置，晶粒排列方向，然后旋轉(zhuǎn)Chuck臺(tái)使晶粒排列方向與X軸同向；

       測(cè)試時(shí)移動(dòng)Chuck臺(tái)使探針與晶粒焊盤準(zhǔn)確接觸，上位機(jī)向測(cè)試機(jī)發(fā)送開始測(cè)試信號(hào)，測(cè)試機(jī)開始測(cè)試并將結(jié)果返回給上位機(jī)，上位機(jī)根據(jù)測(cè)試結(jié)果決定是否進(jìn)行重測(cè)或進(jìn)行打點(diǎn)標(biāo)記，完成一個(gè)晶粒的測(cè)試；

       然后上位機(jī)控制Chuck臺(tái)移動(dòng)至下一個(gè)晶粒位置繼續(xù)測(cè)試；

       測(cè)完一行的晶粒后，向Y軸移動(dòng)換一行直至測(cè) 全部晶粒。

2.晶圓中心檢測(cè)

       為了獲取到晶圓的中心，可連續(xù)在三個(gè)不同的位置進(jìn)行晶圓邊界檢測(cè)，獲取三個(gè)邊界點(diǎn)A、B和C。然后分別做AB和BC的中垂線，根據(jù)三點(diǎn)定圓原理，即可求出晶圓的圓心位置。晶圓邊界的提取可分為三部分： 圖像二值化、圖像腐蝕、邊緣提取。

3.晶圓調(diào)平

       晶圓片放到Chuck臺(tái)上，晶粒排列方向與X軸運(yùn)動(dòng)方向存在一個(gè)傾角，需要將晶圓擺正，使晶粒的排列方向與X軸同向，這樣在進(jìn)給運(yùn)動(dòng)的時(shí)候，只需要做X向或Y向運(yùn)動(dòng)，簡(jiǎn)化了探針測(cè)試的運(yùn)動(dòng)控制。

       為了計(jì)算晶粒方向的傾角，需要確定同一行內(nèi)兩個(gè)晶粒位置，計(jì)算出兩個(gè)晶粒的X向位移d和Y向位移Δy，然后用公式tanθ=Δy/d計(jì)算出傾角。然后旋轉(zhuǎn)R軸便可以實(shí)現(xiàn)晶圓調(diào)平。

       中冷低溫研發(fā)的溫度卡盤TC系列是一款溫度范圍為-65℃到200℃氣冷型高低溫卡盤系統(tǒng)，主要由氣冷高低溫卡盤和氣冷溫控器組成。系統(tǒng)具有寬泛的溫度控制范圍、緊湊的冷卻套件、純空氣制冷、高溫度精度與穩(wěn)定性控制等特性，廣泛應(yīng)用于八英寸及以下尺寸的半導(dǎo)體器件或晶圓的變溫電學(xué)性能關(guān)鍵參數(shù)分析，如:功率器件建模測(cè)試、晶圓可靠性評(píng)估、生產(chǎn)型變溫檢測(cè)，變溫光電測(cè)試、射頻變溫測(cè)試等。

關(guān)鍵特征:

·僅使用空氣冷卻一無液體或帕爾貼元件

·溫度范圍為-65℃到200℃

·模塊化系統(tǒng)，適合單獨(dú)測(cè)試的需要

·冷卻劑占地面積小，節(jié)省空間

·兼容各大主流生產(chǎn)型或分析型探針臺(tái)

·可集成全套的軟硬件于一體