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Kevlar纖維UD片材復合材料的防dan性能：優(yōu)化設計與機制解析2025/04/15

文章基本信息標題：Kevlar纖維UD片材復合材料的防dan性能作者：閆衛(wèi)星、郭艷文、徐行浩、黃曉梅、曹海建期刊：《復合材料學報》2025年第42卷第1期研究背景與意義隨著國際局勢緊張，防dan材料需求激增，輕量化、高防護性能成為核心需求。Kevlar纖維因其高強度、高模量、耐高溫等特性，成為防dan領域的理想材料。然而，其表面光滑、與樹脂基體結(jié)合性差的問題限制了應用。本文通過優(yōu)化樹脂配比、工藝參數(shù)及結(jié)構(gòu)設計，探索該Kevlar纖維UD片材復合材料的防dan性能提升方案。實驗方法與關鍵材料材料K

晶圓劃片機該如何選型呢？2025/04/10

如何選擇晶圓劃片機？關鍵技術(shù)與選型指南在半導體制造、MEMS器件封裝、光電子芯片加工等領域，晶圓劃片機（WaferDicingMachine）是將整片晶圓切割成獨立芯片（Die）的核心設備。其性能直接決定芯片的切割質(zhì)量、生產(chǎn)效率和成本。然而，面對市場上種類繁多的劃片機（如機械劃片、激光切割、等離子蝕刻等），如何選擇適合的機型？本文將從技術(shù)原理、應用場景和關鍵參數(shù)出發(fā)，系統(tǒng)解析選型邏輯。一、明確需求：四大核心問題在選擇劃片機前，需明確以下基礎問題：1.加工材料類型傳統(tǒng)硅基晶圓：機械切割（金剛石刀片

如何將整片晶圓分割成獨立的芯片呢？2025/04/09

如何將整片晶圓分割成獨立的芯片呢？將硅片分裂成小片的過程通常稱為“劃片”或“切割”（Dicing），這是半導體制造中的關鍵步驟，用于將晶圓分割成獨立的芯片（die）。以下是幾種常見方法及注意事項：1.機械劃片（DicingSaw）原理：使用高速旋轉(zhuǎn)的金剛石刀片或硬質(zhì)合金刀片切割硅片。步驟：貼膜：將硅片背面粘貼在藍膜（UV膠膜）上，固定位置。劃片：用劃片機沿預先設計的切割道（切割線）進行切割。清洗：去除切割產(chǎn)生的碎屑（可用去離子水或超聲波清洗）。分離：拉伸藍膜使小芯片分離。優(yōu)點：成本低、效率高，適

科研型桌面式納米壓印機2025/04/08

邁可諾科研型納米壓印機RD-NIL100，是一款桌面型納米壓印系統(tǒng)。主要應用于微米或納米結(jié)構(gòu)的壓印成型。一、納米壓印機應用1.1DOE（人臉識別衍射元器件）可用于制造高精度的衍射光學元件（DOE），這些元件在人臉識別技術(shù)中起到關鍵作用。通過納米壓印技術(shù)，能夠在基材上形成微米或納米級的復雜光學結(jié)構(gòu)，用于光束整形和衍射，從而提升人臉識別設備的成像質(zhì)量和識別精度。1.2Diffuser（擴散元器件）該設備適用于生產(chǎn)光學擴散器，通過壓印形成均勻的微納結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)光的散射和擴散。這種擴散元器件廣泛應用于照明

接觸角的含義2025/03/31

接觸角的含義什么是接觸角？接觸角為我們提供了液體在表面上鋪展的好壞的指標。在配制油墨時，接觸角提供了一個有用的指標，表明油墨的改性將如何影響其鋪展。接觸角可大可小，取決于被研究材料的物理性質(zhì)。下圖顯示了表面上的三種不同的水滴。最左邊的液滴具有大的接觸角，因為它不會在固體表面上擴散。最右邊的液滴具有低接觸角，因為它擴散得很好。這種擴散被稱為“潤濕”，當液滴沉積在表面上時，或者“潤濕”或者“去潤濕”。下圖顯示了固體表面上液滴的2D截面。定位液滴輪廓與固體表面相交的點。液滴輪廓和固體表面之間的角度是接

HARRICK等離子清洗機賦能止血新材料，登上Nature子刊的氣凝膠2025/03/28

實驗目的開發(fā)新型止血材料：制備一種雙組分納米和微纖維氣凝膠（NMA），結(jié)合聚乳酸（PLA）納米纖維和聚己內(nèi)酯（PCL）微纖維，通過優(yōu)化其機械性能和孔隙結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)對深部交界性出血的高效控制。性能驗證：通過體外和體內(nèi)實驗，驗證NMA的快速形狀恢復能力、高血液吸收率、凝血效率及機械穩(wěn)定性，并與市售產(chǎn)品（XStat®和QuikClot®CombatGauze）進行對比。動物模型驗證：在豬的致死性交界性出血模型中評估NMA的即時止血效果、生存率及無再出血特性。實驗步驟1.氣凝膠制備納米纖維（PLA）制備：

Ossila狹縫涂布機＆紫外臭氧清洗機助力科研-無鉛錫鈣鈦礦太陽能電池2025/03/28

一、為何選擇錫替代鉛？傳統(tǒng)鉛基鈣鈦礦（如（fapbi?）的效率已突破30％，但其毒性問題引發(fā)環(huán)境擔憂。錫與鉛同屬iv族元素，電子特性相似，且毒性更低。此外，錫鈣鈦礦的理論極限效率（，33％）（）甚至略高于鉛基材料。然而，錫的超快結(jié)晶特性導致薄膜易出現(xiàn)孔洞、晶粒不均等問題二、實驗方法：氮氣脈沖+添加劑「雙管齊下」關鍵策略****-調(diào)控」結(jié)晶法**：：觸發(fā)：用氮氣脈沖瞬間加速溶劑蒸發(fā)，誘導成核。，誘導成核。調(diào)控：通過添加劑（如masncl?），改變?nèi)芤夯瘜W環(huán)境，延緩晶核生長速度，形成致密大晶粒。，形

太陽能電池特性分析與測試的幾種方法（一）2025/03/14

太陽能電池特性分析與測試的幾種方法（一）太陽光模擬器用于測量太陽能電池的效率。為了表征太陽能電池在現(xiàn)實世界中的表現(xiàn)，使用有效模擬太陽光譜的太陽光源至關重要。當然，你可以使用真正的陽光，但是這會引入一些不可控的變量。為了可靠地測試太陽能電池，你需要在實驗室內(nèi)保持受控的條件。此外，許多太陽能電池的材料在早期的開發(fā)階段不能經(jīng)受氣候影響。由于這些原因，當在實驗室環(huán)境中測試太陽能電池時，你應該使用太陽光模擬器來重現(xiàn)太陽的輻照度。為了表征太陽能電池，太陽光模擬器需要滿足關于時間穩(wěn)定性、光譜匹配性和均勻性的特

選擇光學光譜儀時需要考慮哪些因素呢？2025/03/13

1.波長范圍：選購時首要考慮因素，由分析樣品和觀察的屬性或躍遷決定。光學光譜可測量可見光及附近波長，范圍約190nm-1100nm，能觀察共軛有機分子的特定能量躍遷。此外，紅外和近紅外光譜用于研究振動和轉(zhuǎn)動躍遷。2.光源：不同光學測量需要不同光源，如吸光度光譜或漫反射測量需寬波長范圍光源；發(fā)射光譜則需要特定波長的高能量激發(fā)源，部分樣品（如電致發(fā)光測量）需要非輻射激發(fā)電源?？蛇x擇光譜套件配備寬帶白光源和紫外光源。3.分辨率和靈敏度：分辨率決定光譜峰可分辨的最小間距，靈敏度指光譜儀檢測光的效率，二者

太陽光模擬器出現(xiàn)光強不穩(wěn)定、光譜不穩(wěn)定時，如何排查故障？2025/03/07

太陽光模擬器出現(xiàn)光強不穩(wěn)定、光譜不穩(wěn)定時，如何排查故障？太陽光模擬器光強不穩(wěn)定、光譜不穩(wěn)定，這兩個問題是太陽光模擬器常見的故障，可能的原因有，光源使用的有效期到了、光源燈絲損壞、光學元件污染、濾光片老化、電子控制系統(tǒng)故障等。當出現(xiàn)光強不穩(wěn)定或者光譜不穩(wěn)定的情況時，可以采取以下三種方式排查故障并解決問題：（1）光源使用壽命，氙燈光源的使用壽命一般在1000個小時以上，我們可以根據(jù)使用頻率大致合計下累計使用的時間，如果光源壽命到期，則需要更換光源。（2）檢查光源燈絲。如果光源燈絲損壞，我們就可以進行

基于多層二硒化鎢的高性能場效應晶體管的實驗優(yōu)化和理論模擬2025/02/11

隨著半導體集成工藝進入3nm及以下技術(shù)節(jié)點，傳統(tǒng)硅基晶體管出現(xiàn)漏電功耗增大，短溝道效應加劇等問題，對集成電路的性能與可靠制造產(chǎn)生嚴重的影響［1~3］.近年來，以過渡金屬硫族化合物（TMDCs）為代表的二維納米材料因具有原子級物理厚度，優(yōu)異的機械柔韌性和較高的載流子遷移率［4~6］，成為未來可替代傳統(tǒng)硅基材料以延續(xù)摩爾定律發(fā)展的重要候選新材料之一［7~10］.作為二維（2D）TMDCs的代表性材料，WSe2是繼WS2和MoS2之后備受關注的一種二維原子晶體，具有很高的導通電流密度和載流子遷移率［1

聚合物包覆改善二維鈣鈦礦(FPEA)2PbI4 光學性能2025/02/11

聚合物包覆改善二維鈣鈦礦(FPEA)2PbI4光學性能摘要：環(huán)境因素（如光照、水蒸氣、氧氣等）會引發(fā)二維鈣鈦礦材料的降解，其穩(wěn)定性極大地限制該材料的進一步發(fā)展及市場化進程。利用氟化物的強穩(wěn)定性與疏水性，將其以含氟苯y(tǒng)i胺的形式引入二維鈣鈦礦的有機層，可以有效地改善二維鈣鈦礦穩(wěn)定性，但是熒光效率有所降低。針對這一問題，本文采用聚苯乙烯（PS）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、環(huán)烯烴聚合體（COP）三種高分子聚合物對二維鈣鈦礦薄膜進行包覆，使其熒光強度分別得到2.2、1.3和1.4倍的改善，光照穩(wěn)定性

二氧化硅材料的表面潤濕性改性研究2025/02/11

文章內(nèi)容：1.二氧化硅材料的重要性與挑戰(zhàn)二氧化硅（SiO?）是地殼中含量極豐富的礦物之一，廣泛存在于玻璃、陶瓷、微電子器件和建筑材料中。其化學穩(wěn)定性高、耐高溫、環(huán)境友好等特點使其成為工業(yè)和科研領域的“明星材料”。然而，二氧化硅表面富含羥基（-OH），導致其親水性強，容易吸附水分子，這限制了其在需要疏水性能的場景（如防水涂層、自清潔材料）中的應用。此外，納米二氧化硅顆粒因表面能高，易團聚，影響其在復合材料中的分散性。2.表面潤濕性改性的核心思路要解決二氧化硅的親水性問題，關鍵在于表面化學改性——通

竹材也能做結(jié)構(gòu)材料？組坯結(jié)構(gòu)如何影響竹束層壓板的性能？2025/02/11

文章基本信息標題：組坯結(jié)構(gòu)對竹束單板層壓板物理力學性能的影響作者：張文福、王戈等（國際竹藤網(wǎng)絡中心、黑龍江省林產(chǎn)工業(yè)研究所）期刊：《中南林業(yè)科技大學學報》2012年02期關鍵詞：竹束單板、層壓板、力學性能、耐水性能、連接性能研究背景與意義竹子作為可再生資源，具有生長快、強度高的特點。竹束單板層壓板是一種新型工程材料，通過將竹材加工成松散纖維束，再熱壓成型，可替代傳統(tǒng)木材或金屬用于建筑、家具等領域。然而，傳統(tǒng)順紋層壓板雖然縱向強度高，但橫向連接性能差（如螺栓連接易劈裂），限制了其應用。本文通過改變

引線鍵合工藝中會遇到哪些問題呢？2025/01/09

引線鍵合是芯片和外部封裝體之間互連最常見和有效的連接工藝。我們來講講鍵合工藝中會遇到的問題：一．鍵合工藝差錯造成的失效1.焊盤出坑出坑通常出現(xiàn)于超聲波鍵合中,是指對焊盤金屬化層下面半導體材料層的損傷。這種損傷有時是肉眼可見的凹痕,更多是不可見的材料結(jié)構(gòu)損傷。這種損傷將降低器件性能并引發(fā)電損傷。其產(chǎn)生原因如下:(1)超聲波能量過高導致Si晶格層錯;(2)楔鍵合時鍵合力過高或過低:(3)鍵合工具對基板的沖擊速度過大,一般不會導致Si器件出坑,但會導致(3)GaAs器件出坑;(4)球鍵合時焊球太小致使

如何使用四探針法計算薄層電阻2025/01/08

使用四探針法計算薄層電阻的原理薄層電阻(也稱為表面電阻或表面電阻率)是一種常見的電學性質(zhì)，用于表征導體和半導體材料薄膜。它是通過薄正方形材料的橫向電阻的量度，即正方形對邊之間的電阻。與其他電阻測量相比，薄層電阻的主要優(yōu)勢在于它與正方形的大小無關，因此可以輕松比較不同的樣品。這一特性可以很容易地用四點探針并且在高效鈣鈦礦光伏器件的制造中是至關重要的，其中需要低薄層電阻材料來提取電荷。薄層電阻的應用薄層電阻是任何薄膜材料的一個重要特性，電荷將在薄膜中傳播(而不是通過)。例如，薄膜器件(如鈣鈦礦太陽能

太陽能電池特性分析與測試的幾種方法（二）2025/01/08

太陽能電池特性分析與測試的幾種方法（二）3.動態(tài)伏安測量在動態(tài)I-V測量中，測量各種電壓下的電流響應，就像J-V掃描一樣。但是，在這種測量中，在記錄電流密度之前，需要等待測量值穩(wěn)定一段時間。這給出了太陽能電池性能的非常精確的表示。事實上，一項比較不同實驗室對太陽能電池測量的研究認為，這是表征鈣鈦礦太陽能電池好的方法。然而，完整的J-V掃描可能需要很長時間來測量，尤其是如果太陽能電池表現(xiàn)出動態(tài)行為。例如，使用動態(tài)I-V測量來測量鈣鈦礦太陽能電池的一條J-V曲線需要幾個小時。只有在絕對確定地測量太陽

如何選擇紫外臭氧清洗機？2024/12/31

如何選擇紫外臭氧清洗機？今天的主角是我們的一款簡易的紫外臭氧清洗機。來自其他制造商的紫外臭氧清潔機可以提供一系列附加功能。更多的功能常常會被誤認為是更有效的性能。但是，在您的實驗設置中評估附加功能的必要性和適用性總是很重要的。我們這款紫外臭氧清潔機本著簡單高效的理念構(gòu)建，提供了一個有效工作的模型，沒有不必要的、復雜的或令人困惑的特性。1.加熱功能超過150°C，材料的溫度越高，紫外臭氧清洗的反應速度越快。因此，提高襯底的溫度可以促進更快的清洗速率。為此，一些系統(tǒng)將可加熱的樣品臺集成到紫外臭氧清洗

MC方案｜氮化硼封裝對2D半導體層等離子體處理的影響(下篇)2024/12/26

氮化硼封裝對2D半導體層等離子體處理的影響（下）結(jié)果和討論在樣品制備、器件制造和后處理過程中，2D材料或異質(zhì)結(jié)構(gòu)可能會遇到幾種形式的高能輻射源。使用的輻射源包括電子、離子(氬、氦和氙)和光子(激光、紫外線)通量。然而，離子束和紫外光分別是蝕刻和光刻工藝中最CY的。在這里，我們研究了h-BN，MoS2及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)在Ar+離子等離子體下曝光。氬離子等離子體是最CY的，因為氬由于其固有的惰性不會與樣品形成化學鍵。氬也是一種足夠重的離子，可以提供足夠的動能以在合理的加速電壓下蝕刻樣品。圖1顯示了本研究中

MC方案｜氮化硼封裝對2D半導體層等離子體處理的影響(上篇)2024/12/26

二維(2D)過渡金屬二硫族化合物(TMDCs)在光學、電子學、催化和能量存儲方面的應用是研究的熱點。當封裝在沒有電荷無序的環(huán)境中時，它們的光學和電子性質(zhì)可以顯著增強。因為六方氮化硼(h-BN)是原子級薄的、高度結(jié)晶的并且是強絕緣體，所以它是封裝和鈍化TMDCs常用的2D材料之一。在這份報告中，我們研究了超薄氮化硼如何屏蔽底層金屬氧化物半導體在半導體器件制造和后處理過程中通常使用的高能氬等離子體的TMDCs層。像差校正的掃描透射電子顯微鏡用于分析h-BN和MoS2中的缺陷形成這些觀察結(jié)果與拉曼光譜