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超高真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 科睿設(shè)備有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào)
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 更新時(shí)間 2024/8/26 15:05:41
  • 訪問次數(shù) 3853
產(chǎn)品標(biāo)簽

沉積系統(tǒng)

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科睿設(shè)備有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd )為多家國(guó)外高科技儀器廠家在中國(guó)地區(qū)的代理??祁9疽回灡小赫\(chéng)信』、『品質(zhì)』、『服務(wù)』、『創(chuàng)新』的企業(yè)文化,為廣大中國(guó)用戶提供儀器、設(shè)備,周到的技術(shù)、服務(wù)和*的整體解決方案。在科技日新月異、國(guó)力飛速發(fā)展的中國(guó),納米科學(xué)研究、薄膜材料(包括半導(dǎo)體)生長(zhǎng)和表征、表面材料物性分析、生物藥物開發(fā)、有機(jī)高分子合成等等領(lǐng)域,都需要與歐美發(fā)達(dá)國(guó)家*接軌的儀器設(shè)備平臺(tái)來實(shí)現(xiàn)??祁TO(shè)備有限公司有幸成長(zhǎng)在這個(gè)火熱的年代,我們?cè)敢饣癁橐蛔鶚蛄海娮C中國(guó)科技水平的提升,與中國(guó)科技共同飛速成長(zhǎng)。
      科睿設(shè)備有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd)總部設(shè)在中國(guó)香港,在中國(guó)上海設(shè)立了分公司,在國(guó)內(nèi)多個(gè)城市設(shè)立了辦事處或維修站,旨在為客戶提供*的產(chǎn)品和服務(wù)。2010年,科睿設(shè)備有限公司在上海設(shè)立備品倉(cāng)庫(kù)及維修中心,同時(shí)提供在大陸的各項(xiàng)技術(shù)服務(wù)和后期的維修保障服務(wù),我們擁有專業(yè)的應(yīng)用維修人員,并且都曾到國(guó)外廠家進(jìn)行了專門的培訓(xùn)。上海配備了多種維修部件,能使我們的服務(wù)更加快捷和方便。我們承諾24小時(shí)電話響應(yīng),72小時(shí)內(nèi)趕到現(xiàn)場(chǎng)維修。以利于更好、更快的為中國(guó)大陸服務(wù)!
      因?yàn)樾湃?所以理解.我們理解用戶的困難和需求。我們已經(jīng)為國(guó)內(nèi)眾多科研院所和大學(xué)根據(jù)用戶的要求配制和提供了上百套系統(tǒng),主要用戶包括:中科院物理所,中科院半導(dǎo)體所,中科院大連化學(xué)物理研究所,國(guó)家納米中心,上海納米中心,北京大學(xué),清華大學(xué),中國(guó)科技大學(xué),南京大學(xué),復(fù)旦大學(xué),上海交通大學(xué),華東理工大學(xué),浙江大學(xué),中山大學(xué),西安交通大學(xué),四川大學(xué),中國(guó)工程物理研究院,香港大學(xué),香港城市大學(xué),香港中文大學(xué),香港科技大學(xué)等。



光刻機(jī),鍍膜機(jī),磁控濺射鍍膜儀,電子束蒸發(fā)鍍膜儀,開爾文探針系統(tǒng)(功函數(shù)測(cè)量),氣溶膠設(shè)備,氣溶膠粒徑譜儀,等離子增強(qiáng)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD),原子層沉積系統(tǒng)(ALD),快速退火爐,氣溶膠發(fā)生器,稀釋器,濾料測(cè)試系統(tǒng)

價(jià)格區(qū)間 面議 應(yīng)用領(lǐng)域 電子,電氣,綜合

超高真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)

超高真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)(UHV SPUTTER)
儀器介紹:
美國(guó)專業(yè)的制造商PVD公司是一家在磁控濺射沉積,電子束蒸發(fā)沉積,脈沖激光沉積等領(lǐng)域有著20年制造經(jīng)驗(yàn)。
我司代理的PVD公司生產(chǎn)的磁控濺射系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)在最大300mm襯底上沉積金屬和電介質(zhì)薄膜。使用RF、DC或脈沖DC電源的磁控濺射源可以單個(gè)模式或者聯(lián)合-沉積模式工作,以便生產(chǎn)可以對(duì)滿足廣泛的薄膜要求。我司生產(chǎn)的鈦磁控濺射源的尺寸可從1 inch(25mmm)到8inch(200mm)任選 ,并搭配內(nèi)置傾斜裝置以滿足按照沉積工藝進(jìn)行的微調(diào)。襯底支架符合最大300mm直徑的晶片需求,并可對(duì)晶片加熱至850°C及加載RF偏壓。磁控濺射系統(tǒng)可按客戶需求增減其他窗口用于諸如殘余氣體分析(RGA)、反射高能電子衍射(RHEED)或橢偏儀(ellipsometry)。


技術(shù)參數(shù):
Vacuum Chamber: 304不銹鋼圓柱形腔體,滿足不同客戶的定制需求。
Pumping: 分子泵或冷凝泵,機(jī)械泵真空系統(tǒng)
Load Lock: 手動(dòng)傳片或自動(dòng)傳片,適合各種形狀尺寸的小片到300mm大的圓片,高真空背景傳遞
Process Control: PC / PLC自動(dòng)控制界面,菜單控制,數(shù)據(jù)獲取和遠(yuǎn)程控制
In-Situ Monitoring & Control: QCM膜厚監(jiān)控,光學(xué)膜厚監(jiān)控,RGA殘余氣體分析
Substrate Fixture: 單片,多片,星狀襯底夾具
Substrate Holders: 可加熱,冷卻,偏壓,旋轉(zhuǎn)
Ion Source: 襯底預(yù)清洗,納米表面改性
Deposition Techniques
Magnetron Sputtering  RF, DC, or Pulsed-DC;具有射頻濺射,直流濺射,脈沖直流濺射。
Glancing Angle Depostion (GLAD)Cathodic Arc Plasma Deposition   傾斜角度濺射。




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