氣溶膠顆粒度靜電計(jì)-德國設(shè)備 參考價(jià)：面議
氣溶膠顆粒度靜電計(jì)-德國設(shè)備研究發(fā)現(xiàn)，與健康效應(yīng)更為相關(guān)的是空氣中顆粒的數(shù)量和大小，而非其質(zhì)量。這些超細(xì)顆粒只占?xì)馊苣z質(zhì)量的很小一部分，因此不能通過稱重的方法進(jìn)...
煙霧發(fā)生器1-德國氣溶膠設(shè)備 參考價(jià)：面議
煙霧發(fā)生器1-德國氣溶膠設(shè)備此系統(tǒng)致力于煙霧的研究，廣泛應(yīng)用在各國授權(quán)的煙火研究分析實(shí)驗(yàn)室，專業(yè)分析高標(biāo)準(zhǔn)濾材。 某些特殊行業(yè)需要超高潔凈度，對(duì)濾材要求高，例如...
等離子體原子/離子源-真空組件 參考價(jià)：面議
等離子體原子/離子源-真空組件產(chǎn)生感應(yīng)耦合等離子體,包括氮?dú)?氧氣和氫氣等分子氣體。使用1個(gè)射頻線圈（頻率13.56MHz）,能量將轉(zhuǎn)化為等離子體，這會(huì)產(chǎn)生僅具...
俄歇電子能譜儀（在線表面分析）-材料表征 參考價(jià)：面議
俄歇電子能譜儀（在線表面分析）-材料表征The microCMA is a compact （2.75“ CF mount） cylindrical mirro...
全自動(dòng)劃片機(jī)/切片機(jī)（12英寸）-半導(dǎo)體材料 參考價(jià)：面議
全自動(dòng)劃片機(jī)/切片機(jī)（12英寸）-半導(dǎo)體材料– 最大 12 英寸硅晶圓– 真空吸盤：6~12英寸可切割材料：硅晶圓、QFN、陶瓷、印刷電路板、石英、LED、移動(dòng)...
集成式低溫等離子體源 參考價(jià)：面議
集成式低溫等離子體源--基于壓電變壓器直接放電，同時(shí)在元件的輸出端直接產(chǎn)生冷等離子，等離子通過電離空氣或氣體來形成。
手持低溫等離子體源 參考價(jià)：面議
手持低溫等離子體源--基于壓電變壓器直接放電，同時(shí)在元件的輸出端直接產(chǎn)生冷等離子，等離子通過電離空氣或氣體來形成。
大氣等離子體系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
大氣等離子體系統(tǒng)機(jī)器人工業(yè)化設(shè)計(jì)中使用的*定制單元：10米線便可輕松集成至各種系統(tǒng)中的PS2000高壓單元和PB3等離子體發(fā)生器。
X射線光源-真空組件 參考價(jià)：面議
X射線光源-真空組件X射線光源（可用于X射線電子能譜） 雙陽極X射線光源多種陽極材料具有差分抽氣或者從安裝口抽氣70mm O.D. CF安裝法蘭
射頻離子/原子源（可轉(zhuǎn)換）-真空組件 參考價(jià)：面議
射頻離子/原子源（可轉(zhuǎn)換）-真空組件射頻離子源：用于離子束沉積，離子束輔助沉積，MEMS射頻原子源：用于合成氧化物，氮化物，氫原子清洗
真空腔體水氣解吸附組件2 參考價(jià)：面議
真空腔體水氣解吸附組件2ZCUVE代表了水蒸氣解吸技術(shù)的新進(jìn)展。*的設(shè)計(jì)可從2.75“擴(kuò)展到8"法蘭尺寸，紫外線功率因數(shù)w按比例增加
磁控濺射源（1英寸/2英寸/3英寸）-真空組件 參考價(jià)：面議
磁控濺射源（1英寸/2英寸/3英寸）-真空組件磁控濺射源/靶槍（1英寸/2英寸/3英寸）我們提供多種口徑的圓形平面靶槍,尺寸1“, 2“ and 3“. 以及矩...
半球電子能量分析器-真空組件 參考價(jià)：面議
半球電子能量分析器-真空組件半球電子能量分析器半徑: 120mm反轉(zhuǎn)角度: 180 deg.
真空腔體水氣解吸附組件 參考價(jià)：面議
真空腔體水氣解吸附組件Zcuve是近年來上較多使用的水蒸氣解吸技術(shù)。*的設(shè)計(jì)可從2.75“擴(kuò)展到8"法蘭尺寸，具有比例較高的紫外線功率因數(shù)
IG2離子源-超高真空 參考價(jià)：面議
IIG2離子源-超高真空典型應(yīng)用是氬離子濺射清洗表面（中科院物理所配置多套IG2型離子源）濺射清洗 /表面準(zhǔn)備，用于表面科學(xué)，MBE ，高真空濺射過程離子輔助沉...
磁控濺射靶源-真空組件 參考價(jià)：面議
磁控濺射靶源-真空組件我司提供的磁控濺射源是目前一和超高真空系統(tǒng)（1e-11torr）匹配的商業(yè)用濺射源。 在不配置彈性墊圈的結(jié)構(gòu)中，可烘烤至250℃。在匹配的...
電子束蒸發(fā)源-真空組件 參考價(jià)：面議
電子束蒸發(fā)源-真空組件電子束蒸發(fā)源對(duì)于使用常用熱蒸發(fā)技術(shù)非常難蒸發(fā)的材料,電子束蒸發(fā)是一種有效的蒸發(fā)手段.通過高能電子束射向靶材來升高靶材溫度.相比于通常輻射或...
半球型電子能量分析譜-真空組件 參考價(jià)：面議
半球型電子能量分析譜-真空組件大型高透射半球形電子能量分析譜--120mm半徑.¨ 全程180度反轉(zhuǎn)角度.¨ 邊緣界線區(qū)域校正--使用Jos...
俄歇電子能量譜-真空組件 參考價(jià)：面議
俄歇電子能量譜-真空組件俄歇電子能量譜是一種利用高能電子束為激發(fā)源的表面分析技術(shù). AES分析區(qū)域受激原子發(fā)射出具有元素特征的俄歇電子。俄歇電子在固體中運(yùn)行也同...
熱舟蒸發(fā)源-真空組件 參考價(jià)：面議
熱舟蒸發(fā)源-真空組件應(yīng)用范圍： 薄層沉積； 光學(xué)涂覆； 混合層沉積； 金屬電極接觸。
深能級(jí)瞬態(tài)譜儀2-半導(dǎo)體表征 參考價(jià)：面議
深能級(jí)瞬態(tài)譜儀2-半導(dǎo)體表征深能級(jí)瞬態(tài)譜儀是半導(dǎo)體領(lǐng)域研究和檢測(cè)半導(dǎo)體雜質(zhì)、缺陷深能級(jí)、界面態(tài)等的重要技術(shù)手段！測(cè)試功能：電容模式、定電容模式、電流模式、（雙關(guān)...
皮可安培計(jì)（USB接口）-材料表征 參考價(jià)：面議
皮可安培計(jì)（USB接口）-材料表征技術(shù)參數(shù)：接口輸入: BNC; 模擬輸出偏壓選項(xiàng)：無偏壓/ 內(nèi)置偏壓 （± 90 V DC）/ 外置偏壓 （BNC）
飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜2-材料表征 參考價(jià)：面議
飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜2-材料表征飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜是一種靈敏的表面分析技術(shù)，可以廣泛應(yīng)用于物理，化學(xué)，微電子，生物，制藥，空間分析等工業(yè)和研究方面。TOF-S...
皮可安培計(jì)-材料表征 參考價(jià)：面議
皮可安培計(jì)-材料表征技術(shù)參數(shù)：接口輸入: BNC; 模擬輸出: Banana jacks偏壓選項(xiàng)：無偏壓/ 內(nèi)置偏壓 （± 90 V DC）/ 外置偏...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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