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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導體行業(yè)專用儀器>工藝測量和檢測設(shè)備>其它晶圓缺陷檢測設(shè)備>Full Deposition PSL Wafer 校準晶圓標準品-半導體表征

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Full Deposition PSL Wafer 校準晶圓標準品-半導體表征

參考價 ￥ 100000
訂貨量 ≥1片
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 科睿設(shè)備有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 Full Deposition PSL Wafer
  • 產(chǎn)地 美國
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 更新時間 2024/8/23 12:38:55
  • 訪問次數(shù) 2905
產(chǎn)品標簽

校準晶圓標準顆粒晶圓

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科睿設(shè)備有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd )為多家國外高科技儀器廠家在中國地區(qū)的代理?？祁９疽回灡小赫\信』、『品質(zhì)』、『服務(wù)』、『創(chuàng)新』的企業(yè)文化，為廣大中國用戶提供儀器、設(shè)備，周到的技術(shù)、服務(wù)和*的整體解決方案。在科技日新月異、國力飛速發(fā)展的中國，納米科學研究、薄膜材料(包括半導體)生長和表征、表面材料物性分析、生物藥物開發(fā)、有機高分子合成等等領(lǐng)域，都需要與歐美發(fā)達國家*接軌的儀器設(shè)備平臺來實現(xiàn)。科睿設(shè)備有限公司有幸成長在這個火熱的年代，我們愿意化為一座橋梁，見證中國科技水平的提升，與中國科技共同飛速成長。
      科睿設(shè)備有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd)總部設(shè)在中國香港，在中國上海設(shè)立了分公司，在國內(nèi)多個城市設(shè)立了辦事處或維修站，旨在為客戶提供*的產(chǎn)品和服務(wù)。2010年，科睿設(shè)備有限公司在上海設(shè)立備品倉庫及維修中心，同時提供在大陸的各項技術(shù)服務(wù)和后期的維修保障服務(wù)，我們擁有專業(yè)的應(yīng)用維修人員，并且都曾到國外廠家進行了專門的培訓。上海配備了多種維修部件，能使我們的服務(wù)更加快捷和方便。我們承諾24小時電話響應(yīng)，72小時內(nèi)趕到現(xiàn)場維修。以利于更好、更快的為中國大陸服務(wù)！
      因為信任,所以理解.我們理解用戶的困難和需求。我們已經(jīng)為國內(nèi)眾多科研院所和大學根據(jù)用戶的要求配制和提供了上百套系統(tǒng)，主要用戶包括：中科院物理所，中科院半導體所，中科院大連化學物理研究所，國家納米中心，上海納米中心，北京大學，清華大學，中國科技大學，南京大學，復旦大學，上海交通大學，華東理工大學，浙江大學，中山大學，西安交通大學，四川大學，中國工程物理研究院，香港大學，香港城市大學，香港中文大學，香港科技大學等。



光刻機，鍍膜機，磁控濺射鍍膜儀，電子束蒸發(fā)鍍膜儀，開爾文探針系統(tǒng)(功函數(shù)測量)，氣溶膠設(shè)備，氣溶膠粒徑譜儀，等離子增強氣相沉積系統(tǒng)(PECVD)，原子層沉積系統(tǒng)(ALD)，快速退火爐，氣溶膠發(fā)生器，稀釋器，濾料測試系統(tǒng)

校準晶圓標準品-半導體表征

校準晶圓標準

污染晶圓標準品、校準晶圓標準品和二氧化硅顆粒晶圓標準品使用顆粒沉積系統(tǒng)生產(chǎn)，該系統(tǒng)將首先使用差分遷移率分析儀（DMA）分析PSL尺寸峰或二氧化硅尺寸峰。DMA是一種高精度顆粒掃描工具，結(jié)合凝聚態(tài)粒子計數(shù)器和計算機控制，基于NIST可追溯粒徑校準分離出高精度粒徑峰。一旦尺寸峰得到驗證，粒度流就被引導到主硅、晶圓標準表面。顆粒在沉積在晶圓表面上之前被計數(shù)，通常是在晶圓上全部沉積。或者，可以在晶圓周圍的特定位置沉積多達 8 個粒徑作為點沉積。晶圓標準品為KLA-Tencor Surfscan SP1、KLA-Tencor Surfscan SP2、KLA-Tencor Surfscan SP3、KLA-Tencor Surfscan SP5、Surfscan SPx、Tencor 6420、Tencor 6220、Tencor 6200、ADE、Hitachi和Topcon SSIS工具和晶圓檢測系統(tǒng)的尺寸校準提供高精度的尺寸峰。


差分遷移率分析儀，DMA電壓掃描，二氧化硅尺寸峰，100nm


PSL球體尺寸標準品和二氧化硅尺寸標準液由差分遷移率分析儀掃描，以確定真正的尺寸峰。一旦分析了尺寸峰，就可以將晶圓標準品沉積為全沉積或點沉積，或多點沉積晶圓標準品。掃描上方100納米（0.1微米）處的二氧化硅尺寸峰，DMA在101nm處檢測到真正的二氧化硅尺寸峰。

全沉積或點沉積晶圓標準品–顆粒沉積系統(tǒng)提供高精度的PSL校準晶圓標準品和二氧化硅污染晶圓標準品。

我們的 2300 XP1 顆粒沉積系統(tǒng)提供自動顆粒沉積控制，以生成您的 PSL 晶圓標準品和二氧化硅晶圓標準品。

校準晶圓標準品-半導體表征-應(yīng)用

  • 高分辨率、NIST 可追溯的 DMA（差分遷移率分析儀）選型和分類超過了新的 SEMI 標準 M52、M53 和 M58 協(xié)議，以實現(xiàn) PSL 尺寸精度和尺寸分布寬度

  • 在 60nm、100nm、269nm 和 900nm 處自動校準沉積尺寸

  • 先進的差動率分析儀（DMA）技術(shù)，具有自動溫度和壓力補償功能，可提高系統(tǒng)穩(wěn)定性和測量精度

  • 自動沉積工藝可在一個晶圓上提供多個點沉積

  • 整個晶圓上的完整晶圓沉積;或在晶圓上的任何位置進行點沉積

  • 高靈敏度允許PSL球和二氧化硅顆粒沉積從20nm到2um

  • 沉積二氧化硅顆粒，用于使用高功率激光掃描校準晶圓檢測系統(tǒng)

  • 存放PSL球體，以便使用低功率激光掃描校準晶圓檢測系統(tǒng)

將PSL球體和二氧化硅顆粒沉積在主要硅晶圓標準品或150mm光掩模上。

PSL 校準晶圓標準、二氧化硅污染晶圓標準

顆粒沉積工具用于在晶圓標準品上沉積非常精確的PSL尺寸標準品或二氧化硅粒徑標準品，以校準各種晶圓檢測系統(tǒng)。

  • PSL校準晶圓標準，用于校準使用低功率激光器掃描晶圓的晶圓檢測系統(tǒng)。

  • 二氧化硅污染晶圓標準，用于校準使用高功率激光器掃描晶圓的晶圓檢測系統(tǒng)。

校準掩模標準或二氧化硅掩模標準

我們的 2300 XP1 在 75mm 至 300mm 晶圓直徑的硼硅酸鹽掩模和優(yōu)質(zhì)硅上沉積 NIST 可追溯、經(jīng)過認證的掩模標準。

  • 125mm 和 150mm 模板上的 PSL 校準模板標準

  • 150mm口罩上的二氧化硅污染標準

  • 75mm至300mm校準晶圓標準

  • 75mm至300mm二氧化硅污染晶圓標準





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