1.  產(chǎn)品概述：

高真空電子束蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)是一種先進(jìn)的物理氣相沉積（PVD）技術(shù)設(shè)備，主要用于在超高真空環(huán)境下，通過(guò)電子束加熱蒸發(fā)源材料，使其蒸發(fā)并在基片表面沉積形成薄膜。該系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于物理學(xué)、材料科學(xué)、動(dòng)力與電氣工程等域，特別適用于納米材料、太陽(yáng)能光伏電池、半導(dǎo)體器件等高精度薄膜的制備。

2 設(shè)備用途/原理：

1. 薄膜制備：該系統(tǒng)能夠制備各種金屬、半導(dǎo)體、氧化物等材料的薄膜，滿足不同材料和器件的制備需求。

2. 科學(xué)研究：在材料科學(xué)研究中，用于探索新材料、新結(jié)構(gòu)的物理和化學(xué)性質(zhì)。

3. 工業(yè)生產(chǎn)：在半導(dǎo)體、光電子、太陽(yáng)能電池等行業(yè)中，用于大規(guī)模生產(chǎn)高精度、高質(zhì)量的薄膜產(chǎn)品。

3  設(shè)備特點(diǎn)

CMP拋光機(jī)具有以下幾個(gè)顯著特點(diǎn)：

1 高真空度：系統(tǒng)能夠達(dá)到高的真空度（≤6.0E-5Pa），有助于減少薄膜制備過(guò)程中的雜質(zhì)和氣體干擾，提高薄膜質(zhì)量。

2 電子束加熱：采用電子束加熱技術(shù)，具有熱效率高、束流密度大、蒸發(fā)速度快等優(yōu)點(diǎn)，能夠蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料，制備高純薄膜。

3 多源蒸發(fā)：系統(tǒng)配備多個(gè)蒸發(fā)源（如6個(gè)40cc坩堝），可同時(shí)或分別蒸發(fā)多種不同材料，實(shí)現(xiàn)多層膜的均勻沉積。

4 精確控制：配備高精度的膜厚監(jiān)控儀和控制系統(tǒng)，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)薄膜厚度、成分和結(jié)構(gòu)的精確控制，確保薄膜的均勻性和一致性。

5 靈活定制：樣品尺寸及數(shù)量可定制，工件架有拱形基片架和行星形基片架等多種選擇，可根據(jù)用戶基片尺寸設(shè)計(jì)工件架。

6 穩(wěn)定可靠：系統(tǒng)整體設(shè)計(jì)合理，結(jié)構(gòu)緊湊，具有良好的設(shè)備穩(wěn)定性和可靠性，以及完善的售后及質(zhì)保服務(wù)。

綜上所述，高真空電子束蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)以其高真空度、高精度、多源蒸發(fā)和靈活定制等特點(diǎn)，在薄膜制備域具有廣泛的應(yīng)用景和重要的科學(xué)價(jià)值。

4  特色參數(shù)：

本系統(tǒng)配有一套電子槍及電源，可滿足在Al，Ni，Ag，Pt，Pd，Mo,Cr和Ti等多種金屬和介質(zhì)膜基片上均勻沉積多層膜的需要。

真空室結(jié)構(gòu):U形開門

真空室尺寸:700x700x900mm

限真空度:≤6.6E-5Pa

沉積源:6個(gè)40cc坩堝

樣品尺寸，溫度:φ4英寸，26片，高300℃

占地面積（長(zhǎng)x寬x高）:約3.2米x3.9米x2.1米

電控描述:全自動(dòng)控制系統(tǒng)：
通過(guò)工控機(jī)和 PLC 實(shí)現(xiàn)對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的控制，具有自動(dòng)和手動(dòng)控制兩種功能，操作過(guò)程可在觸摸屏上進(jìn)行，提供配方設(shè)置、真空系統(tǒng)、電子槍系統(tǒng)、工藝系統(tǒng)、充氣系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)等人機(jī)操作界面；在工控機(jī)上可通過(guò)配方式參數(shù)設(shè)置方式實(shí)現(xiàn)對(duì)程序工藝過(guò)程和設(shè)備參數(shù)的設(shè)置。

工藝:片內(nèi)膜厚均勻性：≤±3%

特色參數(shù) :工件架有拱形基片架和行星形基片架：可根據(jù)用戶基片尺寸設(shè)計(jì)工件架