1 產(chǎn)品概述:

      物理氣相沉積（PVD）平臺是一種在真空環(huán)境中，通過物理方法將固體或液體材料源表面氣化成氣態(tài)原子、分子或離子，并沉積在基體表面形成具有特定功能的薄膜的設(shè)備。PVD平臺通常包括真空系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、氣體控制系統(tǒng)、沉積室、基體支撐及驅(qū)動系統(tǒng)等部分。AE物理氣相沉積平臺可能集成了這些關(guān)鍵技術(shù)組件，以提供高效、精確的薄膜沉積解決方案。

2 設(shè)備用途：

  AE物理氣相沉積平臺的主要用途包括：

1. 表面改性：通過沉積耐磨、耐腐蝕、導(dǎo)電、絕緣、潤滑等特性的薄膜，改善基體材料的表面性能。

2. 功能薄膜制備：制備具有光導(dǎo)、壓電、磁性、超導(dǎo)等功能的薄膜，應(yīng)用于電子、光學(xué)、傳感器等領(lǐng)域。

3. 裝飾和保護(hù)：在高檔手表、珠寶、建筑材料等表面沉積金屬或合金薄膜，提供美觀和防腐蝕保護(hù)。

4. 微納加工：在微電子、半導(dǎo)體、納米技術(shù)等領(lǐng)域，制備高精度、高質(zhì)量的薄膜結(jié)構(gòu)。

3 設(shè)備特點(diǎn)

  高精度和均勻性：通過精確控制沉積參數(shù)，如溫度、壓力、氣體流量等，實(shí)現(xiàn)薄膜的高精度和均勻性沉積。

  多功能性：支持多種PVD技術(shù)，如真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜、真空離子鍍膜等，滿足不同應(yīng)用需求。

  環(huán)保和節(jié)能：在真空環(huán)境中進(jìn)行沉積，減少環(huán)境污染；采用高效能源利用技術(shù)，降低能耗。

  自動化和智能化：集成計算機(jī)控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)自動化操作和智能化監(jiān)控，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

Angstrom Engineering 的 Amod PVD 平臺是一款物理氣相沉積系統(tǒng)，以下是其一些技術(shù)特點(diǎn)和應(yīng)用：
技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn)：

不同型號的 Nexdep PVD 設(shè)備可能在具體技術(shù)指標(biāo)上存在差異，如果你想了解更詳細(xì)的信息，可以參考相關(guān)產(chǎn)品手冊或直接聯(lián)系 Angstrom Engineering 公司。此外，天津大學(xué)大型儀器管理平臺和一些采購公告中也有 Nexdep PVD 設(shè)備的具體參數(shù)信息，例如：

1,腔室尺寸為 400mm（長）×400mm（寬）×500mm（高），帶有可拆卸的不銹鋼內(nèi)襯；前門為移門，后門為鉸鏈?zhǔn)浇Y(jié)構(gòu)，采用 O 型圈密封；腔室門集成觀察窗并帶有防沉積裝置。

2,真空系統(tǒng)方面，前級泵采用油泵，抽速不低于 9cfm；主泵采用分子泵，抽速不低于 685L/s；配備 Inficon MPG400 真空規(guī)，測量范圍從3.75e-9torr 到大氣；在潔凈、干燥環(huán)境下，極限抽真空優(yōu)于 5e-7torr。

3,蒸鍍系統(tǒng)配備 1 套熱阻金屬蒸發(fā)源和 1 個蒸發(fā)源電源控制器，熱阻蒸發(fā)源電源功率可達(dá) 2.5kW，采用可控硅電源控制器。

4,膜厚檢測系統(tǒng)配備 1 個膜厚檢測探頭，帶有水冷功能以提高檢測準(zhǔn)確性，探頭安裝在剛性支架上防止碰撞影響精度。

5,樣品臺可裝載直徑為 150mm 的樣品，兼容小尺寸樣片，帶旋轉(zhuǎn)功能，轉(zhuǎn)速 10-30rpm 可調(diào)；系統(tǒng)配備自動控制模式的蒸發(fā)源擋板和開合式樣品臺擋板。