1. 產(chǎn)品概述

SENTECH SI 500 CCP 系統(tǒng)使用動態(tài)溫度控制和氦背冷卻，代表了材料蝕刻靈活性的優(yōu)勢。等離子體蝕刻過程中的襯底溫度設(shè)置和穩(wěn)定性是高質(zhì)量蝕刻的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。具有動態(tài)溫度控制功能的襯底電極與氦氣背面冷卻和晶圓背面溫度傳感相結(jié)合，可在很寬的溫度范圍內(nèi)提供出色的工藝條件。

2. 主要功能與優(yōu)勢

材料蝕刻靈活性

從結(jié)構(gòu)電介質(zhì)到GaAs和InP等III-V族化合物，SENTECH SI 500 CCP RIE 等離子體蝕刻系統(tǒng)具有氦氣 （He） 背面冷卻功能，可在很寬的溫度范圍內(nèi)（RT 至 250°C）工作。金屬的物理蝕刻和量子材料（如石墨烯和hBN）的慢速蝕刻是可能的。

優(yōu)異的工藝穩(wěn)定性

他的背面冷卻和動態(tài)溫度控制通過防止基板加熱來實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的蝕刻。使用SENTECH自適應(yīng)襯底處理，可以在不打開反應(yīng)器的情況下，通過氦氣背面冷卻輕松處理小晶圓。

優(yōu)異的均勻性

SI 500 CCP 在 RIE 模式下運(yùn)行，帶有噴淋頭，可實(shí)現(xiàn)均勻的氣體分布，可在高達(dá) 200 mm 的基材上提供出色的均勻性和一致的結(jié)果。

3. 靈活性和模塊化

SENTECH SI 500 CCP 是一種導(dǎo)電耦合等離子體 （CCP） 蝕刻系統(tǒng)，具有氦背面冷卻功能，用于在 RIE 模式下處理襯底。它專為 III/V 和 Si 加工領(lǐng)域的模塊化和工藝靈活性而設(shè)計(jì)。

該系統(tǒng)在不同技術(shù)的所有重要蝕刻工藝中都得到了充分的驗(yàn)證，并且可以執(zhí)行各種蝕刻工藝。

SENTECH SI 500 CCP由先進(jìn)的硬件和SIA操作軟件控制，具有客戶端-服務(wù)器架構(gòu)。一個(gè)經(jīng)過充分驗(yàn)證的可靠可編程邏輯控制器（PLC）用于所有組件的實(shí)時(shí)控制。