1.  產品概述：

激光尖峰退火設備利用高能激光束對半導體晶圓進行快速加熱和冷卻處理，以達到激活雜質離子、修復晶格損傷和改善材料性能的目的。該設備結合了激光技術、精密控制技術和熱處理工藝，能夠在短的時間內對晶圓進行精確的溫度控制，實現(xiàn)高效的退火處理。

2.  設備用途/原理：

   1. 半導體制造：在半導體制造過程中，為了形成特定的摻雜結構和提高器件性能，需要對晶圓進行多次離子注入。然而，離子注入過程中會造成晶格損傷，影響雜質離子的電活性。激光尖峰退火設備能夠迅速加熱晶圓，修復晶格損傷，并激活雜質離子，從而恢復晶圓的電學性能。

   2. 高k金屬柵結活化：在高k金屬柵CMOS工藝中，激光尖峰退火設備可用于激活金屬柵與半導體界面處的雜質離子，提高柵性能，降低漏電流。

   3. 鎳硅化物形成：在鎳硅化物的形成過程中，激光尖峰退火設備能夠快速加熱晶圓，促進鎳與硅的反應，形成高質量的鎳硅化物層，提高器件的導電性能。

3.  設備特點

激光尖峰退火設備具有以下幾個顯著特點：

1. 瞬時溫度高：激光束能夠在短的時間內將晶圓加熱到高溫狀態(tài)，實現(xiàn)快速退火處理。這種高溫作用能夠迅速修復晶格損傷并激活雜質離子。

2. 作用時間短：由于激光束的加熱作用非常迅速，因此整個退火過程可以在短的時間內完成。這有助于減少熱預算并提高生產效率。

3. 熱預算低：由于作用時間短且加熱均勻性好，激光尖峰退火設備能夠降低晶圓在退火過程中的熱預算。這有助于減少晶圓因長時間高溫加熱而產生的熱應力和形變。

4. 可選區(qū)加工：激光尖峰退火設備能夠實現(xiàn)晶圓上的可選區(qū)加工。通過精確控制激光束的照射位置和形狀，可以對晶圓上的特定區(qū)域進行退火處理，而不影響其他區(qū)域。這種靈活性使得激光尖峰退火設備在復雜結構的半導體器件制造中具有廣泛的應用景。

5. 高精度控制：激光尖峰退火設備采用先進的控制系統(tǒng)和精密的機械結構，能夠實現(xiàn)對激光束的精確控制和定位。這有助于確保退火處理的精度和一致性，提高器件的性能和可靠性。

綜上所述，激光尖峰退火設備在半導體制造域具有重要的作用和廣泛的應用景。隨著科技的不斷發(fā)展和進步，激光尖峰退火設備的技術水平和性能也將不斷提高和完善。

4  特色參數(shù)：

產地：美國

節(jié)點：40nm到140nm

平臺：Unity Platform

系統(tǒng)類型：雙梁

技術：雙光束

精度：亞毫

溫度：高達1350°C

加工方式：低溫

安裝：DM和鑄造廠