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邁可諾技術(shù)有限公司

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    Ossila狹縫涂布機(jī)&紫外臭氧清洗機(jī)助力科研-無鉛錫鈣鈦礦太陽能電池

    2025-3-28 閱讀(173)

    一、為何選擇錫替代鉛?

    傳統(tǒng)鉛基鈣鈦礦(如(fapbi?)的效率已突破30%,但其毒性問題引發(fā)環(huán)境擔(dān)憂。錫與鉛同屬iv族元素,電子特性相似,且毒性更低。此外,錫鈣鈦礦的理論極限效率(,33%)()甚至略高于鉛基材料。然而,錫的超快結(jié)晶特性導(dǎo)致薄膜易出現(xiàn)孔洞、晶粒不均等問題

    二、實(shí)驗(yàn)方法:氮?dú)饷}沖+添加劑「雙管齊下」

    1. 關(guān)鍵策略

    ** ** - 調(diào)控」結(jié)晶法**::

    • 觸發(fā):用氮?dú)饷}沖瞬間加速溶劑蒸發(fā),誘導(dǎo)成核。,誘導(dǎo)成核。

    • 調(diào)控:通過添加劑(如masncl?),改變?nèi)芤夯瘜W(xué)環(huán)境,延緩晶核生長(zhǎng)速度,形成致密大晶粒。,形成致密大晶粒。

    2。實(shí)驗(yàn)步驟

    太陽能電池制造

    PSC選擇了倒置結(jié)構(gòu):玻璃/ito/pedot:PSS/Fasni 3/C 60/BCP/AG。

    40°c 的超聲波熱浴中洗滌圖案化的含氧化錫( 的超聲波熱浴中洗滌圖案化的含氧化錫( 的超聲波熱浴中洗滌圖案化的含氧化錫(,然后使用以下步驟:15分鐘,液體洗滌劑溶于去離子水中(2 v/v(v/v);用去離子水沖洗并超聲5 分鐘;用丙酮沖洗,然后超聲,然后超聲15分鐘;用乙醇沖洗,然后超聲處理15分鐘。,15分鐘。

    對(duì)于狹縫涂布涂層,使用uv ossila),并在環(huán)境條件下沉積水。沉積保持不變。將薄膜在,120°c退火20分鐘。將底物移入雜物箱后,ossila(ossila),階段保持在,40°C。移動(dòng)速度設(shè)置為5mm s -1 s -1 s -1 ;分配率設(shè)置為1μls-1μls-1μls-1。涂層后

    對(duì)于所有鈣鈦礦沉積實(shí)驗(yàn),用5 bar n 2氣體在雜物箱中的5bar n 2氣體中施加了氣吹氣。

    使用熱真空( <10 -6 bar)的熱蒸發(fā)室沉積eTl和銀電極。三層和銀電極。三層c 60,bcp和ag的厚度分別為75、7和150 nm。

    對(duì)于大面積((50×50毫米)設(shè)備的狹縫涂布涂層


    UV-Ozone-Cleaner.jpg


    Ossila紫外臭氧清洗機(jī)


    Ossila-Slot-Die-Coater-Product-Photo.webp


    Ossila狹縫涂布機(jī)

    三、創(chuàng)新亮點(diǎn):如何「馴服」錫的狂野結(jié)晶?

    1。氮?dú)饷}沖:精準(zhǔn)觸發(fā)成核

    (傳統(tǒng)鉛鈣鈦礦常用反溶劑(如甲苯)觸發(fā)結(jié)晶,但錫的反應(yīng)速度過快,反溶劑法難以控制。本研究改用氮?dú)?/span>脈沖


    動(dòng)圖封面



    ( 1)(a),結(jié)晶理論的表示(前體濃度時(shí)間),顯示了結(jié)晶的四個(gè)基本階段:穩(wěn)定,亞穩(wěn)態(tài),成核爆發(fā)和生長(zhǎng); b)通過三種不同的結(jié)晶模式形成的鈣鈦礦膜的谷物形態(tài)的圖形表示:快速溶劑蒸發(fā):快速溶劑蒸發(fā)

    2。添加劑調(diào)控:masncl?的魔法

    團(tuán)隊(duì)測(cè)試了多種添加劑,Masncl?)(Masncl?)::

    • sn2?富集:補(bǔ)償錫空位缺陷,抑制sn2?氧化。

    • cl?導(dǎo)向生長(zhǎng):cl?在結(jié)晶時(shí)被排至晶界,優(yōu)化能級(jí)排列,提升電荷收集效率。,提升電荷收集效率。

    • ma?緩釋效應(yīng):ma?與溶劑形成中間相,延緩結(jié)晶速度,避免過快成核。,避免過快成核。

    通過原位pl 光譜(圖2a(2a),可清晰看到,masncl?使結(jié)晶動(dòng)力學(xué)趨于平緩,pl 量子產(chǎn)率( plqy(Plqy),器件效率達(dá),5.38%。


    動(dòng)圖封面


    圖2(a)用FASI-SNCL2,F(xiàn)ASI-MACL,F(xiàn)ASI-MASNCL3和FASI-SNF2印刷的插槽涂層膜上的原位測(cè)量(藍(lán)色為零的基線和紅色的輪廓圖)。為了更好地比較,將每個(gè)測(cè)量的強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)化為在整個(gè)實(shí)驗(yàn)過程中檢測(cè)到的Z大PL強(qiáng)度。對(duì)于FASI-MACL,未觀察到信號(hào)演化。相應(yīng)的原位(b)PL峰強(qiáng)度和(c)峰位置隨時(shí)間的變化而變化;由于缺乏信號(hào),將FASI-MACL排除在外。熱退火后的結(jié)果包括以下內(nèi)容:(d)穩(wěn)態(tài)PL光譜和(E)X射線衍射。

    四、實(shí)驗(yàn)結(jié)果:從實(shí)驗(yàn)室到工業(yè)化的跨越

    1。效率突破

    • 小面積((0.1cm2):5.38%(目前錫鈣鈦礦涂布法Z高值)。

    • 大面積((5cm2):2.31%(受限于測(cè)試接觸電阻,優(yōu)化后潛力更大)。)

    2。室內(nèi)光伏潛力

    在led 模擬室內(nèi)光( 0.03太陽)下,器件效率仍保持,5.4%,證明其在低光環(huán)境(如物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備供電)的應(yīng)用前景。


    動(dòng)圖封面


    圖3比較FASNI3設(shè)備的性能,并用研究的四種添加劑,SNCL2,MACL,MASNCL3,SNF2進(jìn)行了比較。 (a)合資掃描; (b)每個(gè)樣品的光強(qiáng)度依賴性光致發(fā)光量子產(chǎn)率(完整設(shè)備堆棧); (c)每個(gè)樣品的JV性能分布(用于正向的F和R的反向掃描)。


    動(dòng)圖封面


    LED的圖4(a)頻譜用于測(cè)試室內(nèi)PV性能,以及(b)在不同的MOL%濃度MASNCL3的FASI下,相應(yīng)的PCE在不同的光強(qiáng)度下。

    五、未來展望:無鉛鈣鈦礦的工業(yè)化之路

    (通過狹縫涂布+氮?dú)庥|發(fā)可實(shí)現(xiàn)錫鈣鈦礦的量產(chǎn)化制備。下一步需優(yōu)化傳輸層匹配(如能級(jí)調(diào)整)(0.49 v),(coll到卷)生產(chǎn)線。隨著毒性問題的解決,無鉛鈣鈦礦或?qū)⒊蔀橄乱淮嵝?、輕質(zhì)光伏組件的核心材料。,無鉛鈣鈦礦或?qū)⒊蔀橄乱淮嵝?、輕質(zhì)光伏組件的核心材料。,無鉛鈣鈦礦或?qū)⒊蔀橄乱淮嵝?、輕質(zhì)光伏組件的核心材料。

    參考文獻(xiàn)
    li,X。等。可持續(xù)能源燃料 2025,doi:10.1039/d4se01321b




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