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參考價	面議

薄膜制備全套設(shè)備

3靶等離子濺射儀

火焰輔助噴霧熱分解涂覆設(shè)備

超聲波霧化模塊

多功能試樣表面處理機

小型蒸鍍儀

高真空蒸發(fā)鍍膜儀

小型磁控射頻濺射鍍膜儀

射頻等離子磁控濺射鍍膜儀

直流等離子磁控濺射鍍膜儀

雙靶磁控濺射儀

提拉涂膜設(shè)備

旋轉(zhuǎn)涂層設(shè)備（勻膠機）

流延涂覆機

磁控濺射鍍膜設(shè)備

蒸發(fā)鍍膜設(shè)備

等離子鍍膜設(shè)備

熱噴涂鍍膜設(shè)備/靜電紡絲鍍膜設(shè)備

濺射源及真空腔體

VTC-2RF是一款小型的射頻（RF）等離子體磁控濺射鍍膜儀系統(tǒng)，系統(tǒng)中包含了所有所需的配件，如300W（13.5MHz）的RF電源、2“的磁控濺射頭、石英真空腔體、真空泵和溫度控制器等。對于制作一些金屬薄膜及非金屬薄膜，它是一款物美價廉的實驗幫手。

詳細介紹

VTC-2RF是一款小型的射頻（RF）等離子體磁控濺射鍍膜儀系統(tǒng)，系統(tǒng)中包含了所有所需的配件，如300W（13.5MHz）的RF電源、2"的磁控濺射頭、石英真空腔體、真空泵和溫度控制器等。對于制作一些金屬薄膜及非金屬薄膜，它是一款物美價廉的實驗幫手。
我們用此設(shè)備得到擇優(yōu)取向的ZnO薄膜

技術(shù)參數(shù)

輸入電源	220VAC 50/60Hz, 單相 800W (包括真空泵）
等離子源	一個300W，13.5MHz的射頻電源安裝在移動柜內(nèi) (點擊圖片查看詳細資料）
磁控濺射頭	一個 2英寸磁控濺射頭（帶有水冷夾層），采用快速接頭與真空腔體相連接靶材尺寸: 直徑為50mm,zui大厚度6.35mm 一個快速擋板安裝在法蘭上（手動操作，見圖左3）濺射頭所需冷卻水：流速10ml/min（儀器中配有一臺流速為16ml/min的循環(huán)水冷機）同時可選配1英寸濺射頭
真空腔體	真空腔體：160 mm OD x 150 mm ID x 250mm H，采用高純石英制作密封法蘭:直徑為165 mm . 采用金屬鋁制作，采用硅膠密封圈密封一個不銹鋼網(wǎng)罩住整個石英腔體，以屏蔽等離子體真空度：10-3 Torr （采用雙極旋片真空泵） 10-5 torr （采渦旋分子泵）
載樣臺	載樣臺可旋轉(zhuǎn)（為了制膜更加均勻）并可加熱載樣臺尺寸：直徑50mm （zui大可放置2英寸的基片）旋轉(zhuǎn)速度：1 - 20 rpm 樣品的zui高加熱溫度為700℃，(短期使用，恒溫不超過1小時)，長期使用溫度500℃ 控溫精度+/- 10℃
真空泵	可選用直聯(lián)式雙極旋片泵,也可選用德國制作的分子泵系統(tǒng)
薄膜測厚儀	一個精密的石英振動薄膜測厚儀安裝在儀器上，可實時監(jiān)控薄膜的厚度，分辨率為0.10 ? LED顯示屏顯示，同時也輸入所制作薄膜的相關(guān)數(shù)據(jù)
外形尺寸
質(zhì)保和質(zhì)量認證	一年質(zhì)保期，終生維護 CE認證
使用注意事項	這款2英寸的射頻濺射鍍膜儀主要是用于在單晶基片上制備氧化物膜，所以并不需要太高的真空度為了較好地排出真空腔體中的氧氣，建議用5%H2+95 %N2對真空腔體清洗，可有效減少真空腔體中的氧含量請用純度大于5N的Ar來進行等離子濺射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建議將鋼瓶中的惰性氣體通過凈化系統(tǒng)過后，再導入到真空腔體內(nèi)