硅光電晶體管型號結(jié)構(gòu)和工作原理
基本結(jié)構(gòu)
·硅光電晶體管型號和普通晶體管類似，也有電流放大作用。只是它的集電極電流不只是受基極電路的電流控制，也可以受光的控制。
· 光電晶體管的外形，有光窗、集電極引出線、發(fā)射極引出線和基極引出線（有的沒有）。
· 制作材料一般為半導(dǎo)體硅，管型為NPN型，
· 光電晶體管的靈敏度比光電二極管高，輸出電流也比光電二極管大，多為毫安級。
· 但它的光電特性不如光電二極管好，在較強的光照下，光電流與照度不成線性關(guān)系。
· 所以光電晶體管多用來作光電開關(guān)元件或光電邏輯元件。
· 正常運用時，集電極加正電壓。因此，集電結(jié)為反偏置，發(fā)射結(jié)為正偏置，集電結(jié)為光電結(jié)。
· 當(dāng)光照到集電結(jié)上時，集電結(jié)即產(chǎn)生光電流Ip向基區(qū)注入，同時在集電極電路即產(chǎn)生了一個被放大的電流Ic（=Ie=（1+β）Ip）β為電流放大倍數(shù)。
因此，光電晶體管的電流放大作用與普通晶體管在上偏流電路中接一個光電二極管的作用是*相同的。
工作原理
這是由于硅元件較鍺元件有小得多的暗電流和較小的溫度系數(shù)。硅光電三極管是用N型硅單晶做成N—P—N結(jié)構(gòu)的。管芯基區(qū)面積做得較大，發(fā)射區(qū)面積卻做得較小，入射光線主要被基區(qū)吸收。與光電二極管一樣，入射光在基區(qū)中激發(fā)出電子與空穴。在基區(qū)漂移場的作用下，電子被拉向集電區(qū)，而空穴被積聚在靠近發(fā)射區(qū)的一邊。由于空穴的積累而引起發(fā)射區(qū)勢壘的降低，其結(jié)果相當(dāng)于在發(fā)射區(qū)兩端加上一個正向電壓，從而引起了倍率為β+1(相當(dāng)于三極管共發(fā)射極電路中的電流增益)的電子注入，這就是硅光電晶體管型號的工作原理。
