高精度光學(xué)浮區(qū)法單晶爐

      Quantum Design Japan公司推出的高溫光學(xué)浮區(qū)法單晶爐，采用鍍金雙面鏡、高反射曲面設(shè)計(jì)，高溫度可達(dá)2100℃-2200℃，系統(tǒng)采用高效冷卻節(jié)能設(shè)計(jì)（不需要額外冷卻系統(tǒng)），穩(wěn)定的電源輸出保證了燈絲的恒定加熱功率......

應(yīng)用域：

■  高溫超導(dǎo)體

■  介電和磁性材料

■  金屬間化合物

■  半導(dǎo)體/光學(xué)晶體/寶石

產(chǎn)品點(diǎn)：

■  占地空間小，操作簡(jiǎn)單，易于上手，立支撐設(shè)計(jì)

■  鍍金雙面高效反射鏡，加熱效率更高

■  可實(shí)現(xiàn)溫度達(dá)2150°C

■  穩(wěn)定的電源

■  內(nèi)置閉循環(huán)冷卻系統(tǒng)，無(wú)需外部水冷裝置

■  采用商業(yè)化標(biāo)準(zhǔn)鹵素?zé)?/span>

      光學(xué)浮區(qū)法（垂直區(qū)熔法）也可以說(shuō)是種垂直的區(qū)熔法。在生長(zhǎng)裝置中，在生長(zhǎng)的晶體和多晶棒之間有段靠光學(xué)聚焦加熱的熔區(qū)，該熔區(qū)有表面張力所支持。熔區(qū)自上而下或自下而上移動(dòng)，以完成結(jié)晶過(guò)程。

      浮區(qū)法的主要點(diǎn)是不需要坩堝，也由于加熱不受坩堝熔點(diǎn)限制，可以生長(zhǎng)熔點(diǎn)*材料。生長(zhǎng)出的晶體沿軸向有較小的組分不均勻性在生長(zhǎng)過(guò)程中容易觀察等。浮區(qū)法晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，熔區(qū)的穩(wěn)定是靠表面張力與重力的平衡來(lái)保持，因此，材料要有較大的表面張力和較小的熔態(tài)密度。浮區(qū)法對(duì)加熱技術(shù)和機(jī)械傳動(dòng)裝置的要求都比較嚴(yán)格。

鏡面系統(tǒng)

發(fā)表文章

1. High quality(InNb)0.1Ti0.9O2 single crystal grown using optical floating zone method, Journal of Crystal Growth 446(2016)74–78.

2. 光學(xué)浮區(qū)法生長(zhǎng)摻銦氧化鎵單晶及其性能, 硅酸鹽學(xué)報(bào) Vol. 45，No. 4，April，2017，P548-P552.

3. Ultralow-temperature heat transport in the quantum spin liquid candidate Ca10Cr7O28 with a bilayer kagome lattice, PHYSICAL REVIEW B 97, 104413 (2018).

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