Cyberstar高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐簡介：

是適用于生長各種超導(dǎo)材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。浮區(qū)法單晶爐中的轉(zhuǎn)動以及拉伸等控制部分采用了電子控制，與傳統(tǒng)的齒輪變速箱以及離合器相比，這種技術(shù)能夠使得用戶在單晶生長過程中獲得更高的控制精度和更高的生長穩(wěn)定性。同時(shí)，能夠更精準(zhǔn)的控制籽晶和料棒的同步。

高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐的拉伸與轉(zhuǎn)動控制精度擁有技術(shù)（zui慢模式：0.01毫米/小時(shí)），晶體生長腔可抽真空（10-4 torr），或充入不同氣氛（氧氣，氬氣，等），高壓浮區(qū)法單晶爐可生長任何類型的單晶(氧化物，氟化物，金屬化合物)，用的100Bar高壓氣氛裝置，用戶還可以生長多種包含易揮發(fā)元素的晶體。

成功生長出高質(zhì)量單晶：LaMnO3， La1-xCaxMnO3, La1-xSrxMnO3 ，YNi2B2C， HoNi2B2C ，Sr2RuO4， CaCuTiO， LaSrMnO，LaNiO ，NdNiO， BiSrCaCuO

基本參數(shù)：
1 控制：其精細(xì)控制精度
拉伸：
慢速拉伸：+/-0.01毫米/小時(shí)—100毫米/小時(shí)
快速拉伸：0—100毫米/分鐘
拉伸精度：滿程的千分之
轉(zhuǎn)動：
轉(zhuǎn)動速度范圍+/-0.1-99.9 轉(zhuǎn)/分鐘（千分可調(diào)）
轉(zhuǎn)動精度：滿程的千分之
2 可生長晶體尺寸
長度100mm 直徑5mm
3 料棒和籽晶精確電子同步
誤差小于1毫米
4 雙鍍金橢球鏡 經(jīng)過殊化聚焦設(shè)計(jì)
溫度可達(dá)2400度 2×1000W 120V
鹵素?zé)?無需更換燈絲來調(diào)節(jié)功率
5 選件：
10Bar 100Bar 高壓氣氛腔
CCD 相機(jī) 可選

Cyberstar成功生長出的單晶

Sr2RuO4 single crystal

7cm lengh for 4 to 5mm diameter

References: Magnetic excitations in the normal and superconducting states of Sr2RuO4
Phys. Rev. B 65, 184511 (2002)

用戶：

University of Geneva
Lawrence Berkeley National Laboratory
University of Orsay,
CNRS Grenoble,
University of Tours,
University of Bordeaux
University of PaviaPolan
Academy of Mining and Metallurgy
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