高低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)箱HTST概述

1.High Temperature Storage Life Test主要通過溫度150℃、-40℃～+85℃、-55℃～+85℃及在1.1VCC動(dòng)態(tài)測試條件，對(duì)IC產(chǎn)品進(jìn)行高低溫循環(huán)試測試、冷熱循環(huán)測試、溫度循環(huán)測試、高低溫交變測試、高低溫恒定測試、高低溫操作測試、高低溫儲(chǔ)存測試，是IC芯片封裝、半導(dǎo)體元器件、集成電路、PCB板、手機(jī)芯片、CPU芯片做可靠性測試與質(zhì)量鑒定。每次程式試驗(yàn)時(shí)間為1000～2000小時(shí)，檢測其IC產(chǎn)品化學(xué)和擴(kuò)散效應(yīng)、Au-Al共金效應(yīng)、電子遷移、氧化層破裂、相互擴(kuò)散、不穩(wěn)定性、離子玷污等，評(píng)估IC產(chǎn)品在實(shí)際使用之前在高低溫條件下保持幾年不工作條件下的生命時(shí)間。

2.控制系統(tǒng)優(yōu)勢：中英文菜單式人機(jī)對(duì)話操作方式，有開機(jī)自檢功能、溫度線性校正、自動(dòng)停機(jī)、系統(tǒng)預(yù)約定時(shí)啟動(dòng)功能；實(shí)現(xiàn)工業(yè)自動(dòng)化，帶數(shù)據(jù)交互功能，能與客戶主機(jī)鏈接實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程監(jiān)控，了解設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)，可以通過任何移動(dòng)終端監(jiān)控。

高低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)箱HTST性能參數(shù)

1.溫度范圍：-40℃～+150℃；-50℃～+150℃；-60℃～+150℃；-70℃～+150℃。（高溫可定制：+250℃）

2.重點(diǎn)測試溫度范圍：-40℃～+85℃；-40℃～+120℃；-50℃～+150℃、-65℃～+150℃。（可根據(jù)試驗(yàn)要求選擇溫度范圍）

3.試驗(yàn)測試方式：高低溫循環(huán)試驗(yàn)、冷熱循環(huán)試驗(yàn)、高低溫恒定試驗(yàn)、高低溫交變?cè)囼?yàn)、高低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)、高低溫操作試驗(yàn)。

4.溫度穩(wěn)定度：±0.3℃。

5.溫度均勻度：±1.5℃。

6.升溫速率：3℃～4℃/min平均值。（可定制溫變速率為：5℃/min；10℃/min；15℃/min；20℃/min；25℃/min，線性與非線性溫變。）

7.降溫速率：0.7℃～1℃/min平均值。（可定制溫變速率為：5℃/min；10℃/min；15℃/min；20℃/min；25℃/min，線性與非線性溫變。）

8.制冷系統(tǒng)：*壓縮機(jī)及制冷配件模塊化機(jī)組設(shè)計(jì)，方便日常維護(hù)與保養(yǎng)。

9.制冷方式：機(jī)械壓縮單級(jí)制冷或二元復(fù)疊制冷（風(fēng)冷或水冷）。

10.加熱系統(tǒng)：進(jìn)口SUS304#不銹鋼鰭片式耐熱、耐寒加熱管，加熱空氣式控溫。

11.節(jié)能方式：冷端PID調(diào)節(jié)（即加熱不制冷，制冷不加熱），比平衡調(diào)溫方式節(jié)能30%。

12.標(biāo)準(zhǔn)配置：觀測窗一個(gè)；LED視窗燈一支；保險(xiǎn)管2支；物料架2套。

13.噪音處理：整機(jī)運(yùn)行時(shí)≤60dB（*），滿足萬級(jí)高精無塵環(huán)境車間制備工藝需求。

14.前端空氣經(jīng)干燥過濾器處理，產(chǎn)品測試區(qū)及附近無明顯結(jié)露現(xiàn)象。設(shè)備可以連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)不需進(jìn)行除霜。

15.保護(hù)裝置：壓縮機(jī)過載、過流、超壓保護(hù)、漏電保護(hù)、內(nèi)箱超溫保護(hù)、加熱管空焚保護(hù)。

16.電源：AC220V(三線制）±10% 或 AC380V（五線制）±5%。

高低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)箱參考標(biāo)準(zhǔn)

1.MIT-STD-883E Method 1010.7。

2.JESD22-A104-A。

3.EIAJED- 4701-B-131。

4.MIT-STD-883E Method 1005.8。

5.JESD22-A108-A。

6.EIAJED- 4701-D101。

7.MIT-STD-883E Method 1008.2。

8.JESD22-A103-A。

9.EIAJED- 4701-B111。