國產(chǎn)透射電鏡 參考價：面議
國產(chǎn)透射電鏡是指由中國自主研發(fā)和生產(chǎn)的透射電子顯微鏡（Transmission Electron Microscope，簡稱TEM）。透射電鏡是一種高分辨率、高...
多功能原位高溫熱臺 參考價：面議
多功能原位高溫熱臺是一種實驗設(shè)備，主要用于在高溫環(huán)境下進行各種實驗。這種熱臺能夠提供精確的溫度控制，并且具有多種功能，例如可以用來研究物質(zhì)在高溫下的反應、變化、...
退火爐 參考價：面議
退火爐是用于制造半導體元件的制程方法。該制程包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理旨在達到不同的效果?？梢约訜峋约せ顡诫s劑，使沉積的膜至密化，并改變生...
串集多腔鍍膜設(shè)備 參考價：面議
串集多腔鍍膜設(shè)備是一組真空腔系統(tǒng)，這些真空腔系統(tǒng)通過位于系統(tǒng)中心的傳輸腔相互連接。從基材的清潔、鍍膜與封裝的所有過程都在不破壞真空的環(huán)境下連續(xù)進行。
原子層蝕刻設(shè)備 參考價：面議
原子層蝕刻設(shè)備是一種先進的蝕刻技術(shù)，可精準的控制其蝕刻深度。隨著元件尺寸的進一步減小，需要進一步的使用ALE才能達到其所需的精度。
感應耦合電漿蝕刻 參考價：面議
感應耦合電漿蝕刻是在標準反應離子蝕刻（RIE）的基礎(chǔ)上，添加電感耦合電漿的。感應耦合電漿由磁場圍繞石英晶體管所提供。產(chǎn)生的高密度電漿被線圈包圍，將充當變壓器中的...
反應離子蝕刻設(shè)備 參考價：面議
反應離子蝕刻設(shè)備中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，并具有重復性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。
等離子干蝕刻 參考價：面議
等離子干蝕刻是從另一種材料的表面去除材料的過程。該過程是由於于激發(fā)離子與材料的碰撞而發(fā)生的，無需使用任何液體化學藥品或蝕刻劑即可將其除去。
電漿原子層沉積設(shè)備 參考價：面議
電漿原子層沉積設(shè)備是一種基于常規(guī)ALD的先進方法，其利用電漿作為裂化前驅(qū)物材料的條件，而不是僅依靠來自加熱基板的熱能。
原子層沉積設(shè)備 參考價：面議
原子層沉積設(shè)備為一種氣相化學沉積技術(shù)。大多數(shù)的ALD反應，將使用兩種化學物質(zhì)稱為前驅(qū)物。這些前驅(qū)物以連續(xù)且自限的方式與材料表面進行反應。
原子層沉積系統(tǒng) 參考價：面議
原子層沉積系統(tǒng)是基于順序使用氣相化學過程的最重要技術(shù)之一；它可以被視為一種特殊類型的化學氣相沉積（CVD）。多數(shù)ALD反應使用兩種或更多種化學物質(zhì)（稱為前驅(qū)物，...
批量式電漿輔助氣相沉積設(shè)備 參考價：面議
批量式電漿輔助氣相沉積設(shè)備為一種使用化學氣相沉積技術(shù)，可為沉積反應提供能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比，可在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會降低薄膜質(zhì)量。
類鉆碳鍍膜設(shè)備 參考價：面議
類鉆碳鍍膜設(shè)備是一種無定形納米復合碳材料，具有與天然金剛石相似的特性，包括?低摩擦、高硬度和高耐腐蝕性。正確的涂層可以減少滑動磨損，而類鉆碳 (DLC)鍍膜機可...
FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積 參考價：面議
FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積：隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加，其制造設(shè)備也變得更大，需要越來越大的設(shè)備投資。SYSKEY針對中小尺寸的需求...
感應耦合電漿化學氣相沉積設(shè)備 參考價：面議
感應耦合電漿化學氣相沉積設(shè)備是一種使用ICP的化學氣相沉積技術(shù)，可為沉積反應提供一些能量。與PECVD方法相比，ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不...
低真空化學氣相沉積設(shè)備 參考價：面議
低真空化學氣相沉積設(shè)備是一種化學氣相沉積技術(shù)，利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅(qū)氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。
電漿輔助式化學氣相沉積設(shè)備 參考價：面議
電漿輔助式化學氣相沉積設(shè)備是一種使用電漿的化學氣相沉積(CVD)技術(shù)，可為沉積反應提供一些能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比，PECVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜...
化學氣相沉積 參考價：面議
化學氣相沉積為一種薄膜沉積方法，其中將基材暴露于一種或多種揮發(fā)性氣體中，在基板表面上反應或分解以生成所需的薄膜沉積物。這種方法通常用于在真空環(huán)境中制造高質(zhì)量與高...
剝離成形電子束設(shè)備 參考價：面議
剝離成形電子束設(shè)備：對于有些金屬，我們很難使用蝕刻(Etching)方式來完成想要的電路圖案(Circuit Pattern)時，就可以采用 Lift-Off制...
超高真空電子束蒸鍍設(shè)備 參考價：面議
超高真空電子束蒸鍍設(shè)備的特征為其真空壓力低于10-8至10-12 Torr，在化學物理和工程領(lǐng)域十分常見。超高真空環(huán)境對于科學研究非常重要，因為實驗通常要求，在...
電子束蒸鍍設(shè)備 參考價：面議
電子束蒸鍍設(shè)備是一種實用且高度可靠的系統(tǒng)。我們的系統(tǒng)可針對量產(chǎn)使用單一坩堝也可以有多個坩堝來達到產(chǎn)品多層膜結(jié)構(gòu)。在基板乘載上我們對應半導體研究和大型設(shè)備設(shè)計。單...
電子束蒸鍍 參考價：面議
電子束蒸鍍?yōu)橐环N物理氣相沉積（PVD）技術(shù)，其中電子束是由鎢絲所產(chǎn)生的，並受到電場和磁場的驅(qū)動而朝向蒸發(fā)材料，並將其材料由固態(tài)轉(zhuǎn)化為氣態(tài)以沉積在基板表面上。且該...
有機材料熱蒸鍍設(shè)備 參考價：面議
有機材料熱蒸鍍設(shè)備：該過程需要通過精確控制溫度和沉積速率來實現(xiàn)薄膜的高精度和均勻性。
金屬熱蒸鍍設(shè)備 參考價：面議
金屬熱蒸鍍設(shè)備：熱蒸發(fā)是物理氣相沉積（PVD）中常用方法，也是PVD簡單的形式之一。使用電加熱的蒸發(fā)源可用於沉積大多數(shù)的有機和無機薄膜，其中以電阻式加熱法最為常...
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