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SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-3000 參考價(jià)：面議
SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-3000功能及主要參數(shù)： 適用碳化硅二極管、IGBT模塊\\MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。
HUSTEC-DC-2020分立器件測(cè)試儀 參考價(jià)：面議
HUSTEC-DC-2020分立器件測(cè)試儀設(shè)備擴(kuò)展性強(qiáng)，通過(guò)選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系...
MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀ITC57300 參考價(jià)：面議
MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀ITC57300ITC57300是美國(guó)ITC公司設(shè)計(jì)生產(chǎn)的高集成度功率半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備，采用測(cè)試主機(jī)+功能測(cè)試頭+個(gè)性板的測(cè)...
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-1200A-MT 參考價(jià)：面議
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-1200A-MT華科智源IGBT電參數(shù)測(cè)試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊...
IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)PT-1224 參考價(jià)：面議
IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)PT-1224該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性，通過(guò)特制測(cè)試夾具的連接，實(shí)...
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-1600A-MT 參考價(jià)：面議
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-1600A-MT華科智源功率器件測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線(xiàn)和轉(zhuǎn)移曲線(xiàn)，...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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