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NES8100系列高溫反偏老化測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

是一款適用于各種封裝形式（包括SMD表面貼裝）微波器件的高溫反偏老化測(cè)試系統(tǒng)，系統(tǒng)滿足雙電源型GaN類、微波MOS管等半導(dǎo)體分立器件的高溫反偏/柵偏試驗(yàn)（HTRB/HTGB）和高溫漏電流測(cè)試（HTIR）。NES8100系列采用高品質(zhì)的GWS的PH-201型號(hào)高溫箱，最高長(zhǎng)期穩(wěn)定工作溫度為175℃；具備測(cè)試通道多的特點(diǎn)，單系統(tǒng)16CH支持單管芯器件640 工位測(cè)試；支持電壓200V單偏置或雙偏置的高溫反偏試驗(yàn)(HTRB)和老煉篩選。NES8100系列為半導(dǎo)體器件高溫反偏測(cè)試定制開發(fā)專用軟件，集成自動(dòng)調(diào)節(jié)加電模式、在線調(diào)節(jié)加電模式、加載時(shí)序控制、自動(dòng)保護(hù)器件、數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)監(jiān)控等多種功能。

NES8100系列高溫反偏老化測(cè)試系統(tǒng)主要特點(diǎn)：

支持高溫反偏/柵偏試驗(yàn)（HTRB/HTGB）和高溫漏電流測(cè)試（HTIR）

GWS單高溫箱結(jié)構(gòu)，長(zhǎng)期穩(wěn)定工作溫度為175℃

雙一級(jí)電源供電，Vd為200V；Vg為±15.0V

NGI品牌高精度測(cè)試電源，高精度、低紋波

Vg電源單機(jī)四通道，高集成度

Vg采用UPS供電的二級(jí)電源設(shè)計(jì)，軟硬件時(shí)序控制

單系統(tǒng)16CH支持單管芯器件640工位測(cè)試

自動(dòng)調(diào)節(jié)、在線調(diào)試多種加電模式，加載時(shí)序控制

數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)監(jiān)控、全程記錄，測(cè)試數(shù)據(jù)快速溯源

單工位Vd均加繼電器自動(dòng)保護(hù)，器件測(cè)試更安全
規(guī)格參數(shù)表：

型號(hào)	NES8100-16
適用標(biāo)準(zhǔn)/條款	MIL-STD-750D、MIL-M-19500、GJB128A、AEC-101
尺寸	1450mm(寬)×1430mm（深）×1900mm（高）
重量	1000kg
供電	AC 220V±10%，50Hz
功率	≤12kW
	高溫試驗(yàn)箱（PH-201）
試驗(yàn)腔尺寸	600600600(mm)
風(fēng)道設(shè)計(jì)	水平橫向循環(huán)風(fēng)道設(shè)計(jì)
長(zhǎng)期最高試驗(yàn)溫度	150℃(老化板配件最高耐溫150℃)
溫度均勻性	150℃±3℃（空載），試驗(yàn)溫度波動(dòng)度：±1℃
溫度顯示及控制精度	1℃
	測(cè)試電源（NGI）
Vd電源數(shù)量	4臺(tái)
Vd電壓范圍	0~240V
Vd電流范圍	0~30A
Vd功率范圍	0~1200W
Vg電源數(shù)量	2臺(tái)（單機(jī)四通道）
Vg電壓范圍	0~60V
Vg電流范圍	0~15A
Vg功率范圍	0~360W
	測(cè)試容量
獨(dú)立試驗(yàn)區(qū)數(shù)量	4個(gè)區(qū)(一組測(cè)試電源對(duì)應(yīng)一個(gè)試驗(yàn)區(qū))
測(cè)試通道數(shù)	16CH
單板工位數(shù)/總?cè)萘?/td>	40工位/640工位
	驅(qū)動(dòng)檢測(cè)板
數(shù)量	16塊
Vd電壓檢測(cè)	0V～200V；分辨率：0.1V；精度： 1％+0.1V
Vg電壓檢測(cè)	-15.00V～15.00V；分辨率：0.01V；精度： 1％+0.01V
Id漏電流檢測(cè)	0.01mA～50mA；分辨率：0.01mA；精度：2％+30μA
Ig漏電流檢測(cè)	0.01mA～50mA；分辨率：0.01mA；精度：2％+30μA
	老化板
基板材質(zhì)	標(biāo)配高Tg基板（可定制）
耐溫范圍	耐溫150℃（可定制）
老化板尺寸	290mm*600mm（可定制）