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n型有機(jī)半導(dǎo)體材料

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  • 所在地 國(guó)外

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更新時(shí)間:2022-06-22 14:20:13瀏覽次數(shù):1062

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

供貨周期 一個(gè)月以上    
n型有機(jī)半導(dǎo)體材料

詳細(xì)介紹

n型有機(jī)半導(dǎo)體材料Wako

PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI




本產(chǎn)品為n型有機(jī)半導(dǎo)體材料,其具有優(yōu)異的大氣穩(wěn)定性和電子遷移速度。

n型有機(jī)半導(dǎo)體材料PhCn-BQQDI,無(wú)論采用真空沉積法,還是涂布法,均可形成再現(xiàn)性良好的成膜,但C2體(n=2)適合涂布法,而C3體(n=3)適合氣相沉積法。




基本信息



PhC2-BQQDI

PhC3-BQQDI

名稱(chēng)

benzo[de]isoquinolino[1,8-gh]quinoline

diimide(BQQDI在骨架的亞胺基的氮原

子上連有苯乙基(-C2H4Ph)。


benzo[de]isoquinolino[1,8-gh]quinoline

diimide(BQQDI)在骨架的亞胺基團(tuán)的氮

原子上連有苯丙基(-C3H6Ph)。


結(jié)構(gòu)式



實(shí)物圖



包裝

氬氣填充


外觀

紅色~紅棕色,結(jié)晶性粉末~粉末




◆特點(diǎn)


可用于氣相沉積法和涂布法的高性能n型有機(jī)半導(dǎo)體材料。


■ 高遷移性

· 涂布結(jié)晶形成的單晶在大氣中的電子遷移速度為3 cm2/Vs

· 真空蒸鍍膜在大氣中的電子遷移速度超過(guò)0.6 cm2/Vs


■ 高穩(wěn)定性

· 可在大氣中長(zhǎng)期保持穩(wěn)定,不受器件結(jié)構(gòu)的影響

· 單晶有機(jī)薄膜晶體管(OFET)可維持半年以上,蒸鍍法OFET可維持一個(gè)月以上

· 遷移性降低率小于10%


■ 高耐性(PhC2-BQQDI)

· 在單晶OFET中,選擇任意基板,都具有超過(guò)150°C的高耐熱應(yīng)力

· 良好的偏壓應(yīng)力




◆數(shù)據(jù)


①PhC2-BQQDI


LUMO能級(jí)估算、大氣·熱穩(wěn)定性評(píng)估


● 通過(guò)循環(huán)伏安法(Cyclic Voltammetry,簡(jiǎn)稱(chēng)CV),估計(jì)LUMO為?4.11 eV(4-Hep-BQQDI具有優(yōu)異的溶解性)

● 通過(guò)熱重-差熱分析法(Thermogravimetry?Differential Thermal Analysis,簡(jiǎn)稱(chēng)TG?DTA),在421 °C下未觀察到

  分解或相變的熱異常

● 大氣儲(chǔ)存下采用氣相沉積法形成的100 nm薄膜在1個(gè)月內(nèi)的紫外-可見(jiàn)光(UV-Vis)光譜無(wú)變化。




團(tuán)聚體結(jié)構(gòu)


呈磚砌型團(tuán)聚體結(jié)構(gòu),能夠觀察到相鄰BQQDI骨架之間的多分子相互作用,并可實(shí)現(xiàn)二維電荷傳輸。



PhC2-BQQDI的單晶OFET


元件結(jié)構(gòu)

大氣下的輸出特性



②PhC3-BQQDI


PhC3-BQQDI單晶結(jié)構(gòu)與LUMO之間的轉(zhuǎn)移積分。



評(píng)估大氣中真空氣相沉積OTFT特性(通道長(zhǎng)/寬=100 µm/1000 µm)


(a)OTFT結(jié)構(gòu)圖

(b)PhC2-BQQDI和(c)PhC3-BQQDI在飽和區(qū)隨基板溫度變化的傳輸特性(漏極電壓:50 V)

藍(lán)線:室溫、綠線:100°C、紅線:180°C

(d)PhC2-BQQDI及(e)PhC3-BQQDI的遷移速度在大氣中的經(jīng)時(shí)變化



PhC2-BQQDI與PhC3-BQQDI


化合物

基板溫度

平均(最大)遷移速度

(cm2 V-1S-1)?

平均閾值電壓

(V)?

接觸電阻

(kΩ cm)?

PhC2-BQQDI

室溫

0.29(0.30)

4.6

4.8±0.6

100°C

0.54(0.54)

3.3

5.8±0.5

180°C

0.64(0.65)

3.5

4.7±0.4

PhC3-BQQDI

室溫

0.32(0.33)

3.2

1.7±0.3

100°C

0.51(0.53)

1.4

4.3±0.6

180°C

0.65(0.70)

2.5

3.2±0.5


?:在飽和區(qū)(漏極電壓=50 V)時(shí)評(píng)估

?:柵極電壓=50 V時(shí)的估算值


產(chǎn)品編號(hào)產(chǎn)品名稱(chēng)產(chǎn)品規(guī)格
165-28601PhC2-BQQDI100 mg
166-28871PhC3-BQQDI100 mg




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