美國(guó)SVT公司MBE分子束外延系統(tǒng)

美國(guó)SVT公司是世界MBE供應(yīng)商，具有20年的MBE設(shè)備制造經(jīng)驗(yàn)。數(shù)位核心工程師擁有25年以上的MBE經(jīng)驗(yàn)。

占據(jù)美國(guó)主要科研市場(chǎng)的SVT分子束外延系統(tǒng)，以其專業(yè)化的超高真空技術(shù)和薄膜生長(zhǎng)技術(shù)搏得了廣大客戶的青睞。

SVT公司擁有獨(dú)立的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，可以為客戶提供完善的工藝技術(shù)服務(wù)。和客戶之間建立共同研發(fā)及合作的技術(shù)平臺(tái)。

SVT公司建立完善的售后服務(wù)體系。在北京、香港、美國(guó)總部都有服務(wù)工程師。

SVT MBE系統(tǒng)是模塊化設(shè)計(jì)，主要包括裝載室模塊，預(yù)備或分析室模塊，主生長(zhǎng)室模塊。可配10個(gè)源，線性移動(dòng)擋板。每個(gè)模塊都有獨(dú)立的抽氣系統(tǒng)。模塊間有閘板閥相互隔離，互不影響。

Model 35-6 AlGaAs（或其他半導(dǎo)體材料）研究和生產(chǎn)型設(shè)備，樣品尺寸可達(dá)6英寸。

可容納10個(gè)cell。

真空度< 1×10-10Torr。

可配普通束流源、裂解源、RF源、電子束蒸發(fā)源。

Model 35-N-V 標(biāo)準(zhǔn)4''襯底MBE平臺(tái)，用于生長(zhǎng)高質(zhì)量的氮化物半導(dǎo)體材料。

可容納10個(gè)cell。

真空度< 1×10-10Torr。

設(shè)計(jì)考慮了嚴(yán)格的活性氮環(huán)境并配有高溫襯底加熱器。

氮源的種類包括RF氮源和氨氣入射源。

26-O-V 氧化物MBE系統(tǒng)具有彈性配置。

真空度< 1×10-10Torr。

此多元化MBE平臺(tái)可以生長(zhǎng)研究各種氧化物材料。

該系統(tǒng)可以配備多坩堝電子束蒸發(fā)源以及10個(gè)熱蒸發(fā)源或等離子源等。

氧化物MBE還包括：26-O-C緊湊型氧化物MBE、26-O-6大樣品氧化物MBE等各種型號(hào)。

Model SM-6 SiGe系統(tǒng)用于生長(zhǎng)高質(zhì)量的Si/Ge及相關(guān)化合物。

真空度< 1×10-10Torr。

可容納9個(gè)普通源及1個(gè)電子束蒸發(fā)源，或6個(gè)普通源及2個(gè)電子束蒸發(fā)源。

美國(guó)SVT公司MBE分子束外延系統(tǒng)集成了電子束蒸發(fā)和熱源蒸發(fā)兩種沉積技術(shù)，并通過(guò)傳感器反饋控制技術(shù)實(shí)現(xiàn)薄膜制備的高度再現(xiàn)性。