化工儀器網(wǎng)
技術(shù)文章
CS1H-CPU□□H / CS1G-CPU□□H
閱讀：2224 發(fā)布時(shí)間：2015-6-27| 項(xiàng)目 | 規(guī)格 | ||
|---|---|---|---|
| 控制方式 | 已存儲程序 | ||
| I/O控制方式 | 循環(huán)掃描和立即處理均可實(shí)現(xiàn)。 | ||
| 編程 | ? 梯形圖 ? SFC(時(shí)序功能圖) ? ST語言文字(ST) ? 記憶 | ||
| 指令長度 | 1～7步/指令 | ||
| 指令種類 | 約400個(gè)(3位功能代碼) | ||
| 執(zhí)行時(shí)間 | 基本指令 | 0.02μs(zui小值) | |
| 指令 | 0.04μs(zui小值) | ||
| 任務(wù)數(shù) | 288(循環(huán)任務(wù)：32，中斷任務(wù)：256) 注1. 周期性任務(wù)由TKON(820)與TKOF(821)指令控制， 并在每個(gè)循環(huán)周期執(zhí)行。 2. 支持以下4種類型的中斷任務(wù)。斷電中斷任務(wù)： 1 zui大定時(shí)中斷任務(wù)： 2 zui大I/O中斷任務(wù)： 32 zui大外部中斷任務(wù)： 256以下 | ||
| 中斷類型 | 定時(shí)中斷：在CPU單元內(nèi)置定時(shí)器的定時(shí)時(shí)間生成的中斷。 I/O中斷：從中斷輸入單元中斷。 斷電中斷：CPU單元斷電時(shí)執(zhí)行的中斷。 外部I/O中斷：來自高功能I/O單元、CS系列CPU總線單元或內(nèi)插板的中斷。 | ||
| 功能塊*1 | 功能塊定義中的語言：梯形編程、ST語言文字 | ||
| CIO(核心I/O) 區(qū)域 | I/O區(qū)域 | 5,120: CIO 000000～CIO 031915(CIO 0000～0319，320字) 可更改*個(gè)字的設(shè)定默認(rèn)值(CIO 0000)，以便可使用CIO 0000～CIO 0999。 I/O位將分配給基本I/O單元，如CS系列基本I/O單元、C200H基本I/O單元和C200H組2高密度I/O單元。 | 如果位未按此處顯示的方式使用，CIO區(qū)可用 作工作位。 |
| 鏈接區(qū)域 | 3,200(200字)：CIO 10000～CIO 119915(字CIO 1000～CIO 1199) 鏈接位用于數(shù)據(jù)鏈接并分配給Controller Link系統(tǒng)和PLC鏈接系統(tǒng)中的單元。 | ||
| CPU總線單元區(qū)域 | 6,400(400字)：CIO 150000～CIO 189915(字CIO 1500～CIO 1899) CS系列CPU總線單元位將存儲CS系列CPU總線單元的工作狀態(tài)。 (每個(gè)單元25字，16單元以下) | ||
| 高功能I/O單元區(qū)域 | 15,360(960字)：CIO 200000～CIO 295915(字CIO 2000～CIO 2959) 高功能I/O單元位將分配給CS系列高功能I/O單元和C200H高功能I/O單元。(參見注釋) (每個(gè)單元10字，zui多96個(gè)單元。但是，zui大凹槽總數(shù)限制為80，包括擴(kuò)展凹槽，以便zui大單元數(shù)真正為80。 注： zui多可安裝16個(gè)C200H高功能I/O單元。此外， 根據(jù)單元， zui大值可以是10。部分I/O單元分類為高功能I/O單元。 | ||
| 內(nèi)插板區(qū)域 | 1,600(100字)：CIO 190000～CIO 199915(字CIO 1900～CIO 1999) 內(nèi)插板位將分配給內(nèi)插板。(100 I/O字以下) | ||
| SYSMAC BUS區(qū)域 | 800(50字)：CIO 300000～CIO 304915(字CIO 3000～CIO 3049) SYSMAC BUS位將分配給連接到SYSMAC BUS遠(yuǎn)程I/O主站單元的從站裝置。(每個(gè)裝置10字，5個(gè)裝置以下) | ||
| I/O端子區(qū)域 | 512(32字)：CIO 310000～CIO 313115(字CIO 3100～CIO 3131) I/O端子位將分配給連接到SYSMAC BUS遠(yuǎn)程I/O主站單元的I/O端子單元(但不分配給從站裝置)。(每個(gè)端子1字，32個(gè)端子以下) | ||
| C200H高功能 I/O單元區(qū)域 | 8,192位(512字)：W00000～W51115(W000～W511) C200H高功能I/O單元位將分配給C200H高功能I/O單元，且可單獨(dú)從I/O刷新訪問。 | ||
| DeviceNet區(qū)域 | 1,600(100字)： 輸出：CIO 005000～CIO 009915(字CIO 0050～CIO 0099) 輸入：CIO 035000～CIO 039915(字CIO 0350～CIO 0399) DeviceNet位將根據(jù)DeviceNet遠(yuǎn)程I/O通信分配給從站。 | ||
| PLC鏈接區(qū)域 | 64位(4字)：CIO 024700～CIO 025015(字CIO 0247～CIO 0250) 將PLC鏈接單元用于PLC鏈接時(shí)，使用這些位可監(jiān)控PLC鏈接錯(cuò)誤和PLC鏈接中其他CPU單元的操作狀態(tài)。 | ||
| 內(nèi)部I/O區(qū)域 | 4,800(300字)：CIO 120000～CIO 149915(字CIO 1200～CIO 1499) 37,504(2,344字)：CIO 380000～CIO 614315(字CIO 3800～CIO 6143) CIO區(qū)中的這些位在編程中用作工作位，以控制程序執(zhí)行。(它們不能用于外部I/O。) | ||
| 工作區(qū)域 | 8,192位(512字)：W00000～W51115(W000～W511) CIO區(qū)中的這些位在編程中用作工作位，以控制程序執(zhí)行。(它們不能用于外部I/O。) 在編程中使用工作位時(shí)，先在工作區(qū)域中使用這些位，然后使用其他區(qū)域中的位。 | ||
| 保持區(qū)域 | 8,192位(512字)：W00000～W51115(W000～W511) 保持位可用于控制程序執(zhí)行，并且在PLC關(guān)閉或操作模式變化時(shí)保持其ON/OFF狀態(tài)。 注： 功能塊保持區(qū)域字將從H512分配給H1535。這些字只可用于功能塊實(shí)例區(qū)域(內(nèi)部分配的變量區(qū)域)。 | ||
| 輔助區(qū)域 | 只讀： 7,168位(448字)：A00000～A44715(字A000～A447) 可讀/可寫： 8,192位(512字)：A44800～A95915(字A448～A959) 輔助位是分配的特定功能。 | ||
| 暫存區(qū)域 | 16位(TR0～TR15) 暫存位可用于暫時(shí)保存編程分支出的ON/OFF執(zhí)行狀態(tài)。 | ||
| 定時(shí)器區(qū)域 | 4,096: T0000～T4095(獨(dú)立于計(jì)數(shù)器) 注： 用于定時(shí)器設(shè)定的時(shí)間單位是0.1s、0.01s和0.001s (取決于使用的定時(shí)器指令) | ||
| 計(jì)數(shù)器區(qū)域 | C0000 to C4095(獨(dú)立于定時(shí)器) | ||
| DM區(qū)域 | 32K字：D00000～D32767 內(nèi)部高功能I/O單元DM區(qū)域： D20000～D29599(100字 × 96單元) 用于為高功能I/O單元設(shè)定參數(shù)。 CPU總線單元DM區(qū)域： D30000至D31599(100字 × 16單元) 用于為CPU總線單元設(shè)定參數(shù)。 內(nèi)插板DM區(qū)域： D32000～D32099 用于為內(nèi)插板設(shè)定參數(shù)。 用作通用數(shù)據(jù)區(qū)域，供在字單元(16位)中讀取和寫入數(shù)據(jù)。關(guān)閉(OFF)PLC或更改操作模式時(shí)，DM區(qū)中的字將保持狀態(tài)。 | ||
| 項(xiàng)目 | 規(guī)格 | ||
|---|---|---|---|
| EM區(qū)域 | 每個(gè)存儲庫32K字，zui多13個(gè)存儲庫：E0_00000～EC_32767以下(因CPU單元型號而異。) 用作通用數(shù)據(jù)區(qū)域，供在字單元(16位)中讀取和寫入數(shù)據(jù)。關(guān)閉(OFF)PLC或更改操作模式時(shí)，EM區(qū)中的字將保持狀態(tài)。 EM區(qū)分為存儲庫，且可采用以下方法之一設(shè)定地址。 使用電流存儲庫的EMBC(281)指令和設(shè)定地址更改電流存儲庫。直接設(shè)定存儲庫編號和地址。 通過*個(gè)存儲庫的編號，可將EM數(shù)據(jù)存儲在文件中。 | ||
| 數(shù)據(jù)寄存器 | DR0～DR15：存儲用于間接尋址的偏移值。每個(gè)寄存器有16位(1個(gè)字)。 | ||
| 索引寄存器 | IR0～I(xiàn)R15：保存間接尋址的PLC存儲器地址。每個(gè)寄存器有32位(2個(gè)字)。 | ||
| 任務(wù)標(biāo)志區(qū)域 | 32(TK0000～TK0031)：任務(wù)標(biāo)志是只讀標(biāo)志，在對應(yīng)循環(huán)任務(wù)可執(zhí)行時(shí)為ON，在對應(yīng)任務(wù)不可執(zhí)行或處于備用狀態(tài)時(shí)為OFF。 | ||
| 跟蹤存儲器 | 4,000字(一個(gè)數(shù)據(jù)追蹤中可追蹤的數(shù)據(jù)zui多為500個(gè)采樣，每個(gè)采用為31位和6個(gè)字)。 | ||
| 文件存儲器 | 存儲卡：可使用小型閃存卡(MS-DOS格式)。 EM文件存儲器：部分EM區(qū)可以轉(zhuǎn)換為文件存儲器(MS-DOS格式)。 | ||
| 功能 | 并行處理模式 | 程序執(zhí)行和外圍服務(wù)可同時(shí)執(zhí)行。 | |
| 無電池操作 | 用戶程序和系統(tǒng)參數(shù)自動(dòng)備份在閃存(標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備)中。 | ||
| 周期時(shí)間常數(shù) | 可能(1～32,000ms)(單位：1ms) | ||
| 周期時(shí)間監(jiān)控 | 支持(如果周期過長，單元將停止操作)：10～40,000ms(單位：10ms) | ||
| I/O刷新 | 周期刷新、立即刷新、使用I/O REFRESH指令刷新 | ||
| 更改運(yùn)行模式時(shí)的I/O存儲保持功能 | 支持(取決于輔助區(qū)域中的IOM保持位的ON/OFF狀態(tài)。) | ||
| 負(fù)載OFF功能 | 輸出單元中的所有輸出均可關(guān)閉(OFF)。 | ||
| 輸入響應(yīng)時(shí)間設(shè)定 | 可為來自基本I/O單元的輸入設(shè)定時(shí)間常數(shù)。 增加時(shí)間常數(shù)可降低噪聲和振蕩的影響，或者減少以檢測輸入中更短的脈沖(CS1基本I/O單元)。 | ||
| 電源ON時(shí)的模式設(shè)定 | 支持。 | ||
| 存儲卡功能 | 接通(ON)電源時(shí)自動(dòng)從存儲庫讀取程序(autoboot)。 | ||
| 數(shù)據(jù)在存儲卡中的存儲格式 | 用戶程序：程序文件格式 PLC設(shè)定與其他參數(shù)：數(shù)據(jù)文件格式(二進(jìn)制格式) I/O存儲器：數(shù)據(jù)文件格式(二進(jìn)制格式)、文本格式或CSV格式 | ||
| 支持存儲卡讀取/寫入的功能 | 用戶程序指令、編程設(shè)備(包括編程器)、上位鏈接計(jì)算機(jī) | ||
| 文件功能 | 存儲卡數(shù)據(jù)和EM(擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲器)區(qū)可作為文件處理。 | ||
| 調(diào)試功能 | 控制設(shè)定/復(fù)位、差監(jiān)控、數(shù)據(jù)追蹤(定時(shí)、每個(gè)周期或執(zhí)行指令時(shí))、發(fā)生程序錯(cuò)誤時(shí)存儲生成錯(cuò)誤的位置 | ||
| 在線編輯 | CPU單元處于MONITOR或PROGRAM模式時(shí)，可在程序塊單元中改寫用戶程序。 (該功能對于塊編程區(qū)域不可用。) | ||
| 程序保護(hù) | 防止改寫：使用撥動(dòng)開關(guān)設(shè)定。 防止讀?。菏褂镁幊淘O(shè)備設(shè)定密碼。 | ||
| 出錯(cuò)檢查 | 用戶定義的錯(cuò)誤(即用戶可定義嚴(yán)重錯(cuò)誤和非嚴(yán)重錯(cuò)誤) FPD(269)指令可用于檢查每個(gè)編程塊的執(zhí)行時(shí)間和邏輯。 | ||
| 出錯(cuò)記錄 | 錯(cuò)誤日志zui多存儲20個(gè)錯(cuò)誤。信息包括錯(cuò)誤代碼、錯(cuò)誤詳細(xì)信息和錯(cuò)誤發(fā)生時(shí)間。 | ||
| 串行通信 | 內(nèi)置外圍端口： 編程設(shè)備(包括編程器)連接、上位鏈接、NT鏈接 內(nèi)置RS-232C端口： 編程設(shè)備(不包括編程器)連接、上位鏈接、無協(xié)議通信、NT鏈接和串行網(wǎng)關(guān)*3 | ||
| 串行通信板(另售)：協(xié)議宏、上位鏈接、無協(xié)議通信*3、NT鏈接、串行網(wǎng)關(guān)*3和Modbus-RTU從站*5 | |||
| 時(shí)鐘 | 所有型號均提供。 注： 用于存儲接通(ON)電源和發(fā)生錯(cuò)誤的時(shí)間。 | ||
| 電源OFF檢測時(shí)間 | 10～25ms(不固定) | ||
| 電源OFF檢測延遲時(shí)間 | 0～10ms(用戶定義，默認(rèn)：0ms) | ||
| 斷電期間存儲器保持 | 保持區(qū)域：保持位、數(shù)據(jù)存儲器和擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲器的內(nèi)容以及計(jì)數(shù)器完成標(biāo)志的狀態(tài)和現(xiàn)有值。 注： 如果打開(ON)輔助區(qū)域中的I/O存儲保持圖， 且將PLC設(shè)定設(shè)定為在接通(ON)PLC電源時(shí)保持I/O存儲保持圖狀態(tài)， 則CIO區(qū)域、工作區(qū)域、部分輔助區(qū)域、超時(shí)標(biāo)志和PV、索引寄存器和數(shù)據(jù)寄存器的內(nèi)容將保存。 | ||
| 將命令發(fā)送到上位鏈接計(jì)算機(jī) | 通過從PLC執(zhí)行網(wǎng)絡(luò)通信指令，可將FINS命令發(fā)送到通過上位鏈接系統(tǒng)連接的計(jì)算機(jī)。 | ||
| 遠(yuǎn)程編程和監(jiān)控 | 可以通過Controller Link系統(tǒng)或Ethernet使用上位鏈接通信進(jìn)行遠(yuǎn)程編程和遠(yuǎn)程監(jiān)控。 | ||
| 8級通信*2 | 通過使用上位鏈接，zui多可跨八個(gè)網(wǎng)絡(luò)層(Controller Link或Ethernet)執(zhí)行遠(yuǎn)程編程和監(jiān)控。(這些層可位于不同網(wǎng)絡(luò)類型之間。) | ||
| 將注釋存儲在 CPU單元中 | I/O注釋將存儲在CPU單元的存儲卡*1或EM文件存儲器中。 | ||
| 程序檢查 | 程序檢查在項(xiàng)目開始操作時(shí)執(zhí)行，如無END指令和指令錯(cuò)誤。 編程設(shè)備(編程器除外)也可用于檢查程序。 | ||
| 控制輸出信號 | RUN輸出：以RUN模式或MONITOR模式運(yùn)行CPU單元時(shí)，內(nèi)部接點(diǎn)將為ON(閉合)。 僅C200HW-PA204R、C200HW-PA209R和CS1D-PA207R電源單元提供這些端子。 | ||
| 電池壽命 | 電池壽命在環(huán)境溫度為25°C下為5年，但在不利溫度和電源條件下壽命會(huì)短至1.1年。(電池組：CS1W-BAT01)*3 *4 | ||
| 自檢功能 | CPU錯(cuò)誤(WDT)、I/O驗(yàn)證錯(cuò)誤、I/O總線錯(cuò)誤、存儲器錯(cuò)誤和電池錯(cuò)誤。 | ||
| 其他功能 | 輔助區(qū)域中的字存儲了斷電次數(shù)、zui后一次斷電時(shí)間以及通電時(shí)間總長。 | ||
*1. 單元Ver.3.0或更高版本的CPU單元。
*2. 單元Ver.2.0或更高版本的CPU單元。（跨三個(gè)網(wǎng)絡(luò)層通信受支持， 前提是低于Ver.2.0 CPU單元）
*3. 單元Ver.3.0或更高版本的CPU單元或單元Ver.1.2的串行通信板/單元。
*4. 更換的電池需在過去2年內(nèi)生產(chǎn)。
*5. Ver.1.3或更高版本的串行通信板/單元。