美國Optodiode近紅外發(fā)光二極管

Optodiode近紅外發(fā)光二極管，高光輸出，耐輻射性高

Optodiode近紅外LED中OD-800F型號特征

• 高光輸出、810nm峰值發(fā)射、密封金屬TO-46封裝、窄角度，

適合長距離應用、耐輻射性高、優(yōu)異的功率衰減特性、快速響應、提供 MIL-S-19500 篩查、無內(nèi)部涂層

在IF=100mA時，總功率輸出最小值是1.5mW，典型值是3mW。IF=50mA，峰值發(fā)射波長810nm，光譜帶寬在50%典型值是50nm，半強度光束角是8°。IF=100mA，正向電壓典型值1.45V，最大值1.8V。IR=10μA，反向擊穿電壓最小值是3V，典型值4V。VR=0V，電容典型值是150pF。上升與下降時間都是60納秒。

參數(shù)單位：功耗180mW，連續(xù)正向電流100mA，峰值正向電流（10μs，150Hz）3A，反向電壓3V，引線焊接溫度240°C。

存儲和工作溫度范圍-65°C至150°C，最高結(jié)溫150°C，熱阻1典型值400°C/W，熱阻2典型值135°C/W。

OD-800L、OD-800W與OD-800F型號參數(shù)差不多，除了角度不一樣，IF=50mA，OD-800L半強度光束角是35°，OD-800W半強度光束角是80°。

近紅外發(fā)光二極管（IRLED）采用寬、中或窄輸出模式制造，采用堅固的氣密密封封裝。金屬外殼是最佳散熱的理想選擇，工作溫度范圍為 -65°C 至 +150°C。光電二極管的IRLED提供廣泛的線性功率輸出，并提供高速等級。

Optodiode近紅外發(fā)光二極管有窄角、中角、廣角三種類型，窄角近紅外發(fā)光二極管半強度光束角是8°，中角近紅外發(fā)光二極管半強度光束角是35°、廣角半強度光束角是80°，不同角度的近紅外發(fā)光二極管輸出功率不一樣。

Optodiode近紅外LED采用TO-46密封封裝，具有高光輸出，耐輻射性高等特點。窄角近紅外發(fā)光二極管適合長距離應用，中角近紅外發(fā)光二極管發(fā)射角中等可以實現(xiàn)最佳覆蓋范圍/功率密度，廣角近紅外發(fā)光二極管發(fā)射角度廣，覆蓋大面積。Optodiode近紅外發(fā)光二極管有810nm和850nm兩種波長。

窄角、中角、廣角三種類型近紅外發(fā)光二極管的區(qū)別

OD-850F窄角近紅外發(fā)光二極管工作溫度-40°C-100°C，視角8°，波長850nm，電流直流最大值100mA，正向電壓典型值1.6V。

OD-850F窄角近紅外發(fā)光二極管具有高光輸出、850nm峰值發(fā)射、密封TO-46封裝、窄角近紅外發(fā)光二極管適合長距離應用等特點。

OD-850F窄角近紅外發(fā)光二極管在IF=100mA時，總功率輸出最小值是22mW，典型值是30mW。IF=20mA，峰值發(fā)射波長850nm，光譜帶寬在50%典型值是40nm，半強度光束角是8°。IF=100mA，正向電壓典型值1.6V，最大值2V。IR=10μA，反向擊穿電壓最小值是5V，典型值30V。IFP=50mA，上升與下降時間都是20納秒。

OD-850F窄角近紅外發(fā)光二極管參數(shù)單位：功耗200mW，連續(xù)正向電流100mA，峰值正向電流（10μs，200Hz）300mA，反向電壓5V，引線焊接溫度260°C。

OD-850F窄角近紅外發(fā)光二極管存儲和工作溫度范圍-40°C至100°C，最高結(jié)溫100°C，熱阻1典型值400°C/W，熱阻2典型值135°C/W。

OD-850L中角、OD-850W廣角除了輸出功率和角度與OD-850F窄角不一樣，其他參數(shù)都一樣。在IF=100mA時，OD-850L總功率輸出最小值是25mW，典型值是35mW，半強度光束角是35°。在IF=100mA時，OD-850W總功率輸出最小值是30mW，典型值是40mW，半強度光束角最小值是70°典型值是80°。

OD-850FHT、OD-850WHT、OD-850LHT除了輸出功率、角度和工作溫度與OD-850F不一樣，其他參數(shù)都一樣。OD-850FHT總功率輸出最小值是17mW，典型值是22mW，半強度光束角是8°；OD-850WHT輸出功率典型值是26mW，半強度光束角最小值是70°典型值是80°；OD-850LHT總功率輸出最小值是18mW，典型值是22mW，半強度光束角是35°。OD-850FHT、OD-850WHT、OD-850LHT存儲和工作溫度范圍-65°C至150°C，最高結(jié)溫150°C。

美國Optodiode近紅外發(fā)光二極管