波長范圍1μm-5.5μm，InSb/HgCdTe，銻化銦/碲鎘汞探測器

美國InfraRed Associates公司為熱成像、科研以及光譜學等應用提供銻化銦/碲鎘汞探測器和銻化銦/碲鎘汞雙色紅外探測(InSb/HgCdTe 2-color)，這些Infrared探測器各有各的優(yōu)勢和特點，以下簡單介紹這幾款Infrared銻化銦/碲鎘汞MCT探測器。Infrared Associates銻化銦/碲鎘汞探測器

圖1：InSb/HgCdTe探測器圖示

光伏銻化銦探測器(InSb Detectors)：

InfraRed Associates提供的光伏銻化銦探測器是利用單晶材料通過介子技術(shù)形成p-n結(jié)，這種工藝可生產(chǎn)出較高質(zhì)量的光電二極管，并且在1μm至5.5μm波長區(qū)域表現(xiàn)出的電光性能。這些二極管是背景限制(BLIP)的探測器，其性能可通過空間（冷卻FOV stops）或光譜（冷卻干擾濾波器）減少背景來提高。

圖2：D*值曲線圖

光電效應是指當適當波長的輻射入射到p-n結(jié)時，p-n結(jié)上會產(chǎn)生電勢。當光子通量照射到交界時，如果光子能量超過禁帶間隙能量，就會形成電子-空穴對。

磁場將電子從p區(qū)掃向n區(qū)，將空穴從n區(qū)掃向p區(qū)。這一過程使p區(qū)為正，n區(qū)為負，并在外部電路中產(chǎn)生電流。InSb探測器的等效電路如下所示。該電路由信號和噪聲電流發(fā)生器與電阻和電容項并聯(lián)組成。

圖3：InSb探測器的等效電路圖

當背景輻射通過在有源元件中產(chǎn)生恒定輸出而改變工作曲線時，探測器應反向偏置，使其回到最佳工作點：零電壓。

這可以通過使用匹配的前置放大器來實現(xiàn)，例如IAP-1000IS。探測器前置放大器系統(tǒng)在探測器噪聲受限模式下工作，需要雙路輸出電源。

光伏銻化銦探測器的應用：

- 醫(yī)療熱成像

- 熱成像

- 光譜學

- 輻射測量

- 科研

- 紅外顯微鏡

光伏銻化銦探測器的規(guī)格參數(shù)：

標準光伏銻化銦探測器規(guī)格表

可根據(jù)客戶的規(guī)格要求定制配置和陣列。此外，還可提供定制的金屬和玻璃露臺，以配合各種冷卻技術(shù)，詳情請聯(lián)系我們。

碲鎘汞(MCT)探測器(Mercury Cadmium Telluride (HgCdTe))：

InfraRed Associate提供完整系列的光電導碲鎘汞 (HgCdTe) LN2 和 TE 冷卻探測器。通過調(diào)整這種三元化合物的合金成分，可以改變波長響應。

操作這些光電導碲鎘汞探測器時需要偏置電壓，并確定最佳值以實現(xiàn)最高信噪比。InfraRed Associates的探測器在性能上通常受到背景噪聲的限制。

標準LN2冷卻和TE冷卻（LN2 cooled and TE cooled）MCT探測器的響應如下圖所示，圖中給出的是FOV60度下的D*值和響應度。數(shù)值因元件尺寸和封裝而異，請參閱規(guī)格表，了解與探測器要求相對應的數(shù)據(jù)。

圖4：標準LN2冷卻和TE冷卻（LN2 cooled and TE cooled）MCT探測器的響應圖

光電導碲鎘汞探測器的應用：

- 醫(yī)學熱成像

- 熱成像

- 傅立葉變換紅外光譜儀

- 分析儀器

- 科研

- 污染監(jiān)測

銻化銦/碲鎘汞雙色紅外探測器(InSb/HgCdTe 2-color)：

InfraRed Associates為商業(yè)和軍事應用提供InSb/HgCdTe 雙色紅外探測器。這些探測器可對紅外光譜中不同但相鄰的區(qū)域做出響應，一個元件響應短波長輻射，另一個元件響應長波長輻射。

其中，結(jié)構(gòu)允許兩個元件位于同一焦點。 InSb/HgCdTe 雙色探測器的InSb元件對1µm至5.5µm的輻射做出響應，HgCdTe元件對5.5µm至12.5µm的輻射做出響應。碲化鎘汞元件可進行定制，以將其長波長響應范圍擴展到25mm以上?？筛鶕?jù)客戶的規(guī)格要求進行定制配置，了解詳情，請聯(lián)系我們。

圖5：響應度曲線圖

銻化銦/碲鎘汞雙色紅外探測器的應用：

- 輻射測量

- 熱成像

- 背景識別Background Discrimination

- 傅立葉變換紅外光譜

- 紅外顯微鏡

銻化銦/碲鎘汞雙色紅外探測器的規(guī)格參數(shù)：

標準InSb/HgCdTe雙色紅外探測器規(guī)格表

Infrared Associates銻化銦/碲鎘汞探測器