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HTR-4立式4寸快速退火爐
HTR-4立式4寸快速退火爐(芯片熱處理設(shè)備)廣泛應(yīng)用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導(dǎo)體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn),和歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物生長、消除應(yīng)力和致密化等工藝當(dāng)中,通過快速熱處理以改善晶體結(jié)構(gòu)和光電性能,技術(shù)指標(biāo)高、工藝復(fù)雜、專用性強(qiáng)。
主要應(yīng)用領(lǐng)域:
1.快速熱處理(RTP),快速退火(RTA),快速熱氧化(RTO),快速熱氮化(RTN);
2.離子注入/接觸退火;
3.金屬合金;
4.熱氧化處理;
5.化合物合金(砷化鎵、氮化物等);
6.多晶硅退火;
7.太陽能電池片退火;
8.高溫退火;
9.高溫擴(kuò)散。
產(chǎn)品特點(diǎn):
· 可測大尺寸樣品:可測單晶片樣品的尺寸為4英寸。
· 壓力控制系統(tǒng)創(chuàng)新設(shè)計:高精度控制壓力,以滿足不同的工藝要求。
· 存儲熱處理工藝:方便工藝參數(shù)調(diào)取,提高實(shí)驗(yàn)效率,數(shù)據(jù)可查詢。
· 快速控溫與高真空:升溫速率可達(dá)150℃/s,真空度可達(dá)到10-5Pa。
· 程序設(shè)定與氣路擴(kuò)展:可實(shí)現(xiàn)不同溫度段的控制,進(jìn)行降溫段的自動轉(zhuǎn)接,并能夠?qū)に嚥藛芜M(jìn)行保存,方便調(diào)用。采用MFC控制氣體流量,實(shí)現(xiàn)不同氣氛環(huán)境(真空、氮?dú)獾龋┫碌臒崽幚怼?/span>
· 腔體空間設(shè)計:保證大尺寸樣品的溫場均勻性 ≤1%。
· 全自動智能控制:采用全自動智能控制,包括溫度、時間、氣體流量、真空、冷卻水等均可實(shí)現(xiàn)自動控制。
· 超高安全系數(shù):采用爐門安全溫度開啟保護(hù)、溫控器開啟權(quán)限保護(hù)以及設(shè)備急停安全保護(hù)三重安全措施,保障設(shè)備使用安全。
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· 主要技術(shù)參數(shù):
最大樣品尺寸 | 4英寸(直徑100mm) |
控溫范圍 | RT~1200℃ |
升溫速率(max) | 150℃/s |
高溫段降溫速率(max) | 1200℃/min |
控溫精度 | ±0.5℃ |
溫場均勻性 | ≤1% |
氣體流量 | 標(biāo)配1路MFC控制(氮?dú)猓┛蓴U(kuò)展至4路 |
壓力控制 | ~1bar,±100Pa |
工藝條件 | 支持真空、氧化、還原、惰性氣體等工藝氣氛,一鍵設(shè)置通過軟件控制真空及通氣時間 |
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