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目錄:北京精科智創(chuàng)科技發(fā)展有限公司>>材料電學(xué)性能測(cè)試儀>>儲(chǔ)能電介質(zhì)充放電測(cè)試儀>> 儲(chǔ)能電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)DCD-100

儲(chǔ)能電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)DCD-100
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參考價(jià) 9999
訂貨量 ≥1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
9999
≥1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 ABB
  • 型號(hào)
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 產(chǎn)品資料 下載
  • 所在地 北京市
屬性

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更新時(shí)間:2025-04-21 15:41:29瀏覽次數(shù):994評(píng)價(jià)

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DCD-100型儲(chǔ)能電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)
關(guān)鍵詞:儲(chǔ)能,電介質(zhì),充放電


目前常規(guī)的方法是通過電滯回線計(jì)算高壓下電介質(zhì)的能量密度,測(cè)試時(shí),樣品的電荷是放回到高壓源上,而不是釋放到負(fù)載上,通過電滯回線測(cè)得的儲(chǔ)能密度一般會(huì)大于樣品實(shí)際釋放的能量密度,無法正確評(píng)估電介質(zhì)材料的正常放電性能。DCD-100儲(chǔ)能型電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)專為研究儲(chǔ)能電介質(zhì)材料快速充放電性能而設(shè)計(jì),適用陶瓷、薄膜材料,可進(jìn)行

DCD-100型儲(chǔ)能電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)

關(guān)鍵詞:儲(chǔ)能,電介質(zhì),充放電

 

 

目前常規(guī)的方法是通過電滯回線計(jì)算高壓下電介質(zhì)的能量密度,測(cè)試時(shí),樣品的電荷是放回到高壓源上,而不是釋放到負(fù)載上,通過電滯回線測(cè)得的儲(chǔ)能密度一般會(huì)大于樣品實(shí)際釋放的能量密度,無法正確評(píng)估電介質(zhì)材料的正常放電性能。DCD-100儲(chǔ)能型電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)專為研究儲(chǔ)能電介質(zhì)材料快速充放電性能而設(shè)計(jì),適用陶瓷、薄膜材料,可進(jìn)行變溫下的欠、過阻尼充放電測(cè)試。是目前研究儲(chǔ)能材料的重要科研設(shè)備,是目前高等院校和科研院所的設(shè)備。

一、產(chǎn)品特點(diǎn):    

1、內(nèi)置直流高壓模塊,最大電壓:10kV,20KV 多種可選,電流:0-5mA;

2、通過電流探頭監(jiān)測(cè)放電電流,最高可達(dá)100A-200A;

3、可以實(shí)現(xiàn)欠阻尼和過阻尼兩種測(cè)試模式,欠阻尼測(cè)試時(shí),放電回路短路,不使用電阻負(fù)載,過阻尼測(cè)試時(shí),使用較大的高精度無感電阻作為放電負(fù)載;

4、通過示波器采集數(shù)據(jù),并能直接計(jì)算儲(chǔ)能密度;

9、專業(yè)的載樣平臺(tái),適用于陶瓷和薄膜樣品測(cè)試;

10、可以變溫測(cè)試,0-250℃;

11、可以疲勞測(cè)試,飽和極化,剩余極化等功能

12、本系統(tǒng)采用特殊高壓開關(guān),通過單刀雙擲控制充電和放電過程,開關(guān)可以承受10kV高壓,寄生電容小,動(dòng)作時(shí)間短;

 

二、主要參數(shù)

1、電流探頭帶寬:120MHz

2、峰值電流:0-100A,150 A(多種電流可監(jiān)測(cè))

3、電流采集精度:1mA

4、高壓源模塊:3KV,5KV, 10kV,15KV多可選(電流:0-5mA)

5、開關(guān)適用:100萬次,最高耐壓15kV。

6、溫控范圍:0-250℃。

7、溫度穩(wěn)定性和精度:0.1℃

8、探頭:鈹銅鍍金

9、示波器參數(shù)帶寬≤350M

10、采樣率≤5GSa/s

11、測(cè)試樣品:薄膜,厚膜,陶瓷,玻璃等

12、可以疲勞測(cè)試,飽和極化,剩余極化等多種參數(shù)測(cè)試

13、可以配合各種極化設(shè)備進(jìn)行多種壓電材料和介電材料的測(cè)試

 

 


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