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更新時(shí)間:2023-12-21 18:07:34
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ZEM-5熱電性能分析系統(tǒng)
技術(shù)特點(diǎn):
· 適用于研究開發(fā)各種熱電材料和薄膜材料,提高測(cè)量精度
· 溫度檢測(cè)采用C型熱電偶,測(cè)量Si系列熱電材料(SiGe, MgSi等) *HT型
· 真正可測(cè)基板上的納米級(jí)薄膜(TF型)
· zui大可測(cè)10MΩ高電阻材料
· 標(biāo)準(zhǔn)搭載歐姆接觸自我診斷程序并輸出V/I圖表
· 基于日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS (熱電能JIS 電阻率JIS R 1650-2)
| ZEM-5HT | ZEM-5HR | ZEM-5LT | ZEM-5TF |
特 點(diǎn) | 高溫型 | 高電阻型 zui大電阻:10MΩ | 低中溫型 | 薄膜型 可測(cè)在基板上形成的熱電薄膜 |
溫度范圍 | RT-1200℃ | RT-800℃ | -150℃-200℃ | RT-500℃ |
樣品尺寸 | 直徑或正方形:2 to 4 mm2 ; 長度3 ~ 15mm | 成膜基板:寬2-4mm,厚0.4-12mm,長20mm 薄膜厚度:≥nm量級(jí) 薄膜樣品與基板要求絕緣 | ||
控溫精度 | ±0.5K | |||
測(cè)量精度 | 塞貝克系數(shù):<±7%; 電阻系數(shù):<±7% | |||
測(cè)量原理 | 塞貝克系數(shù):靜態(tài)直流電; 電阻系數(shù):四端法 | |||
測(cè)量范圍 | 塞貝克系數(shù):0.5μV/K_25V/K; 電阻系數(shù):0.2Ohm-2.5KOhm/10MΩ | |||
分辨率 | 塞貝克系數(shù):10nV/K; 電阻系數(shù):10nOhm | |||
氣 氛 | 減壓He |
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