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更新時(shí)間:2023-12-21 18:06:58
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RRAM阻變式存儲(chǔ)器測(cè)試儀
(RRAM or ReRAM Test Systems)
本設(shè)備是世界*的阻變式存儲(chǔ)器 (ReRAM/RRAM,Resistive Random Access Memory)測(cè)試系統(tǒng)。
應(yīng)用領(lǐng)域主要有:
Ferroelectric/ Multiferroic Tunnel-Junctions (FTJ/MFTJ) 鐵電/多鐵隧道結(jié)
Electro-Chemical Metallization Memory (ECM) 電化反應(yīng)存儲(chǔ)器
Magnetoresistive Tunnel-Junctions (MTJ) 磁阻隧道結(jié)
Electronic Effect Memory (EEM) 電子效應(yīng)存儲(chǔ)器
Thermo-Chemical Memory (TCM) 熱化存儲(chǔ)器
Valence Change Memory (VCM) 價(jià)變存儲(chǔ)器
Phase Change Memory (PCM) 相變存儲(chǔ)器
Nano Electro-Mechanical Memory (NEMM) 納米機(jī)電存儲(chǔ)器
Molecular Electronic Switch 分子電子開關(guān)
電阻開關(guān)測(cè)試系統(tǒng)Resistive Switching Test Systems RS系列儀器是aixACCT公司*產(chǎn)品,用于電阻特性隨機(jī)存儲(chǔ)器(RRAM)和電阻開關(guān)(RS)的研究測(cè)試。
RS系列儀器能夠提供相當(dāng)廣的范圍的測(cè)試解決方案,范圍涵蓋從納米尺度的表征到超高速器件的測(cè)試,從獨(dú)立的研發(fā)級(jí)的桌上型測(cè)試系統(tǒng)到半導(dǎo)體生產(chǎn)線。
研究及工業(yè)級(jí)系統(tǒng) Research and Industry Tools
模塊化的設(shè)計(jì)理念,使得aixACCT產(chǎn)品可以在任何時(shí)候從基本的材料表征工具升級(jí)其他的選件配置。這提供了最大的靈活性,可以使您的測(cè)試系統(tǒng)達(dá)到針對(duì)您的材料或器件發(fā)展的任何階段的特定要求。
RRAM測(cè)試系統(tǒng)可以很容易的和其他設(shè)備或通用軟件聯(lián)用,如:
從1英寸到8英寸晶圓的熱臺(tái);
用于樣品平行測(cè)試的Switchbox系統(tǒng)
用于晶圓掃描信息的自動(dòng)晶圓探針臺(tái)
自動(dòng)性能測(cè)試序列的遠(yuǎn)程控制
脈沖發(fā)生器、數(shù)字采樣示波器
aixACCT公司開發(fā)出了一種通用的RS模塊用于電阻開關(guān)存儲(chǔ)器的測(cè)試。系統(tǒng)基于TF Analyzer 2000系統(tǒng),聯(lián)用RS模塊和特定的電流監(jiān)視放大器,可以滿足RRAM的表征。 系統(tǒng)配置了高精度電壓和電流源以及高級(jí)電壓、電流監(jiān)視放大器。aixACCT的超快電流和電壓適應(yīng)性保證了每次電阻開關(guān)系統(tǒng)測(cè)試的高精度和可靠性測(cè)量。
該測(cè)試系統(tǒng)*兼容aixACCT的測(cè)試軟件和選配軟件工具,可以提供可靠性測(cè)試和數(shù)據(jù)分析及交換。
應(yīng)用:
單極及雙極偏壓的I-V表征;
電壓驅(qū)動(dòng)的電流響應(yīng)測(cè)試及電流驅(qū)動(dòng)的電壓響應(yīng)測(cè)試;
可靠性和疲勞測(cè)試;
可編程編成程序;
可靠性和耐久性測(cè)試
優(yōu)點(diǎn):
一站式單極偏壓和雙極偏壓電阻開關(guān)材料的綜合評(píng)價(jià)(TCM,ECM和VCM系統(tǒng));
超快響應(yīng)系統(tǒng)(設(shè)置時(shí)間<100ns);
調(diào)停過(guò)程電流電壓響應(yīng)的真實(shí)電流電壓值的記錄系統(tǒng);
可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程訪問(wèn)和腳本控制;
可選的數(shù)據(jù)庫(kù)連接(ODBC)方便確定材料/器件特征;
升級(jí)服務(wù);客戶支持
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