vigo室溫碲鎘汞HgCdTe光電探測器（0.5um-11um）波蘭VIGO公司是生產紅外探測器及配套偏置和前置放大電路的專業(yè)公司，該公司生產的紅外探測器，分制冷型（低溫工作）和非制冷型（室溫工作）兩大類，其中包括70多種型號。VIGO紅外探測器符合ISO9000標準質量體系，被廣泛用于激光預警、紅外探測與監(jiān)控、輻射測溫、激光跟蹤與定位、激光識別、計量和光通訊等的研究與開發(fā)。

vigo室溫碲鎘汞HgCdTe光電探測器（0.5um-11um）

非制冷光電探測器

1、PV系列（2-12μm紅外光電探測器）

 

  特點：室溫下工作；無需偏置；響應時間短；無閃動噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動態(tài)范圍寬；低成本；可根據客戶要求設計。

  描述：PV-n（n表示*特性波長，單位是微米）系列的光電探測器是紅外光電探測器，這些裝置在2～11µm范圍內的任意值可以達到*的性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過zui近開發(fā)的變隙半導體HgCdZnTe優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得?？梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧⒍嘣嚵?、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標準可以供貨的探測器（不帶視窗）封裝是改進的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據需求提供。

詳細規(guī)格：

特性（@ 20ºC）	單位	PV-3	PV-4	PV-5	PV-6	PV-8
*特性波長λop	μm	3	4	5	6	8
探測率: at λpeak at λop	cmHz1/2/W	≥8?109 ≥5?109	≥1.5?109 ≥1?109	≥8?108 ≥5?108	≥4?108 ≥2?108	≥8?107 ≥4?107
響應度	A/W	≥1.2	≥1.2	≥1.2	≥1	≥0.5
響應時間τ	ns	≤15 **	≤15**	≤15**	≤12**	≤7**
并聯(lián)電阻-光學面積	Ω·cm 2	≥0.05	≥0.01	≥0.003	≥0.001	≥0.0002
光學面積（長 × 寬） 或直徑  (園形)	mm x mm mm	0.025×0.025; 0.05×0.05; 0.1×0.1; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; ø0.025; ø0.05; ø0.1; ø0.25; ø0.5; ø1; ø2; ø3
工作溫度	K	300
視場, F#	deg	60, 0.5

2、PVI系列（2-12μm紅外光電探測器、光侵入式）

特點：室溫下工作；無需偏置；響應時間短；無閃動噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動態(tài)范圍寬；低成本；可根據客戶要求設計。

  描述：PVI-n（n表示*特性波長，單位是微米）系列探測器是紅外光電探測器，使用用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）過半球透鏡（標準）或者半球透鏡（可選）進行光浸入。這些裝置在2～11µm范圍內的任意值可以達到*的性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過zui近開發(fā)的變隙半導體HgCdZnTe優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得?？梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧?、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標準可以供貨的探測器（不帶視窗）封裝是改進的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據需求提供。vigo室溫碲鎘汞HgCdTe光電探測器（0.5um-11um）

詳細規(guī)格：

特性（@ 20ºC）	單位	PVI-3	PVI-4	PVI-5	PVI-6	PVI-8
*特性波長λop	μm	3	4	5	6	8
探測率: at λpeak at λop	cmHz1/2/W	≥2E10 ≥1.5E10	≥6E9 ≥4E9	≥3E9 ≥2E9	≥2E9 ≥1E9	≥3E9 ≥1.5E8
響應度	A/W	≥1.2	≥1.3	≥1.3	≥1.2	≥1
響應時間τ	ns	≤15**	≤15**	≤15**	≤12**	≤7**
并聯(lián)電阻-光學面積	Ω·cm 2	≥5	≥1	≥0.3	≥0.1	≥0.02
光學面積（長×寬） 或直徑  (圓形)	mm x mm  mm	0.2×0.2; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; ø0.2;ø0.25;ø0.5;ø1;ø2;ø3
工作溫度	K	300
視場, F#	deg	35, 1.65

3、PVM系列（2-12μm紅外光電探測器、倍增結構）

 

特點：室溫下工作；無需偏置；響應時間短；無閃動噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動態(tài)范圍寬；低成本；可根據客戶要求設計。

  描述：PVM-n（n表示*特性波長，單位是微米）系列的光電探測器是多重異質結紅外光電探測器，這些裝置專門用于大范圍內的探測，工作在8～12µm的范圍。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過zui近開發(fā)的變隙半導體HgCdZnTe優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標準可以供貨的探測器（不帶視窗）封裝是改進的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據需求提供。

詳細規(guī)格：

特性（@ 20ºC）	單位	PVM-8	PVM-10.6
*特性波長λop	μm	8	10.6
探測率: at λpeak at λop	cmHz1/2/W	≥1.2E8 ≥6E7	≥3E7 ≥1E7
響應度（at λop*）	V·mm/W	≥0.6	≥0.1
響應時間τ	ns	≤7	≤1
電阻	Ω	15-300	10-150
光學面積(矩形長×寬)	mm x mm	0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2
工作溫度	K	300
視場, F#	Deg	60, 0.5

4、PVMI系列（2-12μm紅外光電探測器、倍增結構、光侵入式）

 

特點：室溫下工作；無需偏置；響應時間短；無閃動噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動態(tài)范圍寬；大面積裝置；低成本；可根據客戶要求設計。

   描述：PVMI-n（n表示*特性波長，單位是微米）系列的光電探測器是多重異質結紅外光電探測器，使用用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）過半球透鏡（標準）或者半球透鏡（可選）進行光浸入。這些裝置工作在8～12微米的范圍內特別用于大范圍探測。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過zui近開發(fā)的變隙半導體HgCdZnTe優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得?？梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧?、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標準可以供貨的探測器（不帶視窗）封裝是改進的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據需求提供。

   詳細規(guī)格：

特性（@ 20ºC）	單位	PVMI-8	PVMI-10.6
*特性波長λop	μm	8	10.6
探測率: at λpeak at λop	cmHz1/2/W	≥6?108 ≥3?108	≥2?108 ≥1?108
響應度–at λop	V×mm/W	≥3	≥0.5
響應時間τ	ns	≤7	≤1
電阻	Ω	15-300	10-150
光學面積 （長 × 寬）	mm× mm	0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;
工作溫度	K	300
視場, F#	deg	35, 1.65

5、PC系列（2-12μm紅外光電導探測器）

特點：室溫下工作；D*(10.6 µm)達到6*10⁷ cmHz^1/2/W；響應時間≤1ns；與快速邏輯元器件*兼容；使用方便；低成本；及時交貨；可根據客戶要求設計。

描述：PC-n（n表示*特性波長，單位是微米）系列是高速、室溫工作的紅外光電導探測器。這些裝置在2～12微米范圍內的任意值可以達到*的性能。。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過zui近開發(fā)的變隙半導體HgCdZnTe（優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理）來獲得。用小型輕巧耐用的包裝封裝的。每個探測器都提供性能參數。探測器適用于外差探測，高頻輻射探測要求響應時間短并與快速元器件兼容，以及能夠與快速電子學匹配的高頻輻射。可以按客戶所定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。

詳細規(guī)格：

特性（@ 20ºC）	單位	PC-4	PC-5	PC-6	PC-9	PC-10.6
*特性波λop	µm	4	5	6	9	10.6
探測率: at ?λpeak,20kHz at λop, 20kHz	cmHz1/2/W	>4E9 >2E9	>2E9 >1E9	>6E8 >3E8	>6E9 >2E7	>1E7 >4E6
響應度-@λop	Vmm/W	>100	>40	>6	>0.4	>0.05
響應時間τ	ns	<1000	<500	<200	<2	<1
1/f噪聲拐點頻率	kHz	1-10	1-10	1-10	1-10	1-20
有效面積(長×寬)	mm × mm	0.05×0.05; 0.1×0.1;0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;3×3;4×4
偏置電流-寬度比*	mA/mm	1－10	1－10	1－10	1－10	1－20
薄層電阻系數	Ω/sqr	300-1000	200-400	100-300	50-150	40-120
視場, F#*	deg	60, 0.5

6、PCI系列（2-12μm紅外光電導探測器、光入浸式）

 

特點：室溫下工作；D*(10.6 µm)達到3*10⁸cmHz^1/2/W；響應時間≤1ns；動態(tài)范圍寬；與快速邏輯元器件*兼容；使用方便；低成本；及時交貨；可根據客戶要求設計。

描述：PCI-n（n表示*特性波長，單位是微米）系列的電探測器是非冷卻紅外光電探測器，使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）過半球透鏡（標準）或者半球透鏡（可選）進行光浸入。這些裝置在2～12µm范圍內的任意值可以達到*的性能。他們的高性能和穩(wěn)定性通過開發(fā)的變隙（HgCdZnTe）半導體優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得。可以按客戶所定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。

詳細規(guī)格：

特性（@ 20ºC）	單位	PCI-4	PCI-5	PCI-6	PCI-9	PCI-10.6
*特性波長λop	µm	4	5	6	9	10.6
探測率: at λ? peak, 20kHz at λop, 20kHz	cmHz1/2/W	>1E10 >6E9	>7E9 >4E9	>2E9 >1E9	>3E8 >1E8	>2E8 >5E7
響應度-@λop	Vmm/W	>600	>300	>60	>3	>2
響應時間τ	ns	<1000	<500	<200	<2	<1
1/f噪聲拐點頻率	kHz	1-10	1-10	1-10	1-10	1-20
有效面積(長×寬)	mm×mm	0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2
偏置電流-寬度比	mA /mm	1－2	2－4	3－10	3－15	5－20
薄層電阻系數	Ω/sqr	300-1000	200-400	100-300	50-150	40-120
視場, F#	deg	35,1.65