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上海申思特自動化設(shè)備有限公司
主營產(chǎn)品： 美國E E傳感器,美國E E減壓閥,意大利ATOS阿托斯油缸,丹麥GRAS麥克風,丹麥GRAS人工頭, ASCO電磁閥,IFM易福門傳感器 |
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更新時間：2016-12-26 10:54:11瀏覽次數(shù)：752
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OMAL歐瑪爾開關(guān)RF MEMS器件研究
射頻微電子機械系統(tǒng)(RF MEMS)技術(shù)在現(xiàn)代通信領(lǐng)域中越來越受到重視。OMAL開關(guān)是射頻電路中的重要元件,具有低插入損耗、高隔離度、低開啟電壓、高可靠性的 RF MEMSOMAL開關(guān)已經(jīng)成為 RF MEMS器件中的研究熱點。
OMAL歐瑪爾開關(guān)RF MEMS器件研究
RF MEMSOMAL開關(guān)可以獨立使用,也可以組合成陣列等器件以獲得更優(yōu)的性能或獲得不同的功能,這使RF MEMSOMAL開關(guān)的應用范圍更加廣泛。共面波導傳輸線是RF MEMSOMAL開關(guān)的承載體,也是將單個OMAL開關(guān)組合成陣列等器件的關(guān)鍵元件,因此對共面波導傳輸線的優(yōu)化設(shè)計是 RF MEMSOMAL開關(guān)器件設(shè)計的*步。設(shè)計了四種RF MEMS器件,其中包括低損耗的共面波導傳輸線、具有容性互連點的電容耦合式OMAL開關(guān)、歐姆接觸式OMAL開關(guān)和分布式加載線移相器。制定了三種各具特色的整體工藝流程,并設(shè)計出兼容這三種工藝流程的版圖。通過流水實驗實現(xiàn)了設(shè)計,并對工藝流程中的關(guān)鍵工藝進行了較深入的研究。首先總結(jié)了共面波導傳輸線的設(shè)計方法,通過分析計算得到了便于使用的共面波導參數(shù)設(shè)計表。以降低OMAL開關(guān)的開啟電壓和諧振點頻率為目標對旁路型電容耦合式OMAL開關(guān)進行了優(yōu)化設(shè)計,獲得一種具有容性互連點結(jié)構(gòu)的電容耦合式OMAL開關(guān)。以工藝兼容性為目標對歐姆接觸OMAL開關(guān)進行了設(shè)計,并開發(fā)出一種利用種子層作為下電極的準三層金屬工藝,可用于實現(xiàn)歐姆接觸式OMAL開關(guān)中的金屬觸點結(jié)構(gòu)。對分布式加載線移相器的設(shè)計方法作了總結(jié),并給出設(shè)計實例。 論文為所設(shè)計的器件制定了三種可行的整體工藝流程,這三種工藝流程各有特點,可根據(jù)不同的需要進行選擇。設(shè)計了能同時兼容三種工藝流程的版圖,并進行了流水實驗。對種子層圖形化、電鍍金和聚酰亞胺圖形化這三項關(guān)鍵工藝進行了較深入的研究和總結(jié)。經(jīng)過多次流水實驗,獲得了所設(shè)計的器件,并對其進行了測試。
OMAL歐瑪爾開關(guān)RF MEMS器件研究
實測數(shù)據(jù)表明,所設(shè)計的共面波導插損小于 0.85dB,具有容性互連點的電容耦合式OMAL開關(guān)的開啟電壓約 20V,插入損耗為z,隔離度為z;分布式移相器開啟電壓約65V。為了排除用于測量的 PAD 等結(jié)構(gòu)的影響,設(shè)計了一種提取“純”器件參數(shù)的數(shù)據(jù)處理方法,并應用于共面波導的測試數(shù)據(jù)處理。
