靜電放電發(fā)生器模擬器(HBM/MM部分)EDS 10IC針對人體模型(HBM)和機械模型(MM)的靜電放電抗擾度試驗的特點和要求專門設計，可以對LED、晶體管、IC等半導體器件進行靜電抗擾度的測試。符合IEC、ESDA、JEDEC和MIL等相應標準的要求，同時*上述所有標準中最嚴酷等級的靜電電壓要求。

特點：
>全新三代控制平臺 ，觸摸屏智能化控制。
>自動識別阻容模塊，并調(diào)整電壓。
>最低電壓5V，1V步進精準調(diào)節(jié)電壓
>可完成單次或自動放電測試，可設置次數(shù)、頻率等參數(shù)。

測試連接示意圖1  EDS-HBM：

測試連接示意圖2  EDS-MM:

靜電放電發(fā)生器模擬器(HBM/MM部分)EDS 10IC

• Human Body Model (HBM)
• Machine Model (MM)
• ESDA ANSI/ ESD STM5.2-2009
• JEDEC JESD22- A114E Jan.2007
• ANSI /ESD-STM5.1 2007
• MIL-STD-883G 28 Feb.2006
• ANSI/JEDEC JS-001-2010
• JEDEC JESD22- A115C Nov.2010

  技術參數(shù)
  HBM 短路電流參數(shù)
  放電電容	100pF
  放電電阻	1500W
  峰值電流Ips	0.17A+10% @250V 0.33A+10% @500V 0.67A+10% @1000V 1.33A+10% @2000V 2.67A+10% @4000V
  上升時間	2～10ns
  脈沖寬度	150 + 20ns
  振鈴幅度	<15%峰值電流
  HBM 500歐電阻電流參數(shù)
  峰值電流Ipr	375～550mA @ 1000V 1.5～2.2A  @ 4000V
  Ipr/Ips	≥ 63%
  上升時間	5～25ns
  MM短路電流參數(shù)
  放電電容	200pF
  放電電阻	0W
  峰值電流Ip1	0.44A+20% @25V 0.88A+20% @50V 1.75A+10% @100V 3.5A+10%  @200V 7.0A+10%  @400V
  Ip2/Ip1	67%～90%
  周期	66～90ns
  MM 500歐電阻電流參數(shù)
  峰值電流Ipr	0.85～1.2A @ 400V
  100ns電流值 I100	0.23～0.40A @ 400V
  I200/I100	30%～55%