專業(yè)銷售高純鍺（HPGe）探測器自2017年4月起，所有帶有RC反饋的HPGe探測器都隨智能前置放大器一起提供，通過內(nèi)置USB端口提供24/7的關(guān)鍵探測器參數(shù)數(shù)據(jù)，從而真正成為SMART探測器。

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iPA智能前置放大器

產(chǎn)品類別
標(biāo)準(zhǔn)電極同軸Ge探測器（SEGe）
標(biāo)準(zhǔn)電極同軸Ge探測器（SEGe）
描述
傳統(tǒng)的同軸鍺探測

自2017年4月起，所有帶有RC反饋的HPGe探測器都隨智能前置放大器一起提供，通過內(nèi)置USB端口提供24/7的關(guān)鍵探測器參數(shù)數(shù)據(jù)，從而真正成為SMART探測器。

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產(chǎn)品類別
標(biāo)準(zhǔn)電極同軸Ge探測器（SEGe）
標(biāo)準(zhǔn)電極同軸Ge探測器（SEGe）
描述
傳統(tǒng)的同軸鍺探測器通常被稱為Pure Ge，HPGe，Intrinsic Ge或Hyperpure Ge。無論使用何種，探測器基本上都是鍺圓柱體，在外表面上具有n型接觸，并且在軸向孔的表面上具有p型接觸。鍺的凈雜質(zhì)水平約為1010原子/ cc，因此在適度的反向偏壓下，電極之間的整個(gè)體積耗盡，并且電場在該有源區(qū)域上延伸。該區(qū)域內(nèi)的光子相互作用產(chǎn)生電荷載流子，電荷載流子被電場掃描到它們的收集電極，其中電荷敏感的前置放大器將該電荷轉(zhuǎn)換成與探測器中沉積的能量成比例的電壓脈沖。

n和p接觸或電極通常分別是擴(kuò)散的鋰和注入的硼。外部n型擴(kuò)散鋰接觸約0.5mm厚。內(nèi)接觸約0.3μm厚。表面勢壘可以用相同的結(jié)果代替注入的硼。

CANBERRA同軸Ge探測器無需冷卻即可運(yùn)輸和儲(chǔ)存。但是，通過保持探測器冷卻可以地保持長期穩(wěn)定性。與所有鍺探測器一樣，它必須在使用時(shí)進(jìn)行冷卻，以避免產(chǎn)生過多的熱產(chǎn)生的漏電流。該探測器的非易腐性擴(kuò)大了Ge光譜儀的應(yīng)用范圍，包括便攜式光譜儀的現(xiàn)場使用。

同軸Ge探測器的有用能量范圍是40keV到大于10MeV。分辨率和峰值形狀非常出色，可在各種效率范圍內(nèi)使用?？捎媚Ｐ土斜碓诟奖碇薪o出。

 
特征
能量范圍從40 keV到> 10 MeV高分辨率 - 良好的峰值形狀出色的定時(shí)分辨率高能量速率能力配備智能前置放大器二極管FET保護(hù)振蕩/高壓關(guān)閉USB 2.0串行接口
標(biāo)準(zhǔn)電極同軸Ge探測器（SEGe）
同軸Ge探測器配置

廣泛能源鍺探測器（BEGe）
反向電極同軸Ge探測器（REGe）
擴(kuò)展范圍同軸Ge探測器（XtRa）
小型陽極鍺井探測器（SAGe Well）
傳統(tǒng)的鍺井探測器
低能鍺探測器（LEGe）專業(yè)銷售高純鍺（HPGe）探測器
超LEGe探測器（GUL）
ACT-LC - 用于Act系肺和全身計(jì)數(shù)器的HPGe檢測器
鍺陣列探測器專業(yè)銷售高純鍺（HPGe）探測器
描述
鍺探測器是具有p-i-n結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體二極管，其中本征（I）區(qū)域?qū)﹄婋x輻射敏感，特別是x射線和γ射線。在反向偏壓下，電場延伸穿過本征或耗盡區(qū)域。當(dāng)光子與檢測器的耗盡體積內(nèi)的材料相互作用時(shí)，產(chǎn)生電荷載流子（空穴和電子）并被電場掃描到P和N電極。該電荷與入射光子在探測器中沉積的能量成比例，通過積分電荷敏感前置放大器轉(zhuǎn)換成電壓脈沖。專業(yè)銷售高純鍺（HPGe）探測器

因?yàn)殒N具有相對(duì)低的帶隙，所以必須冷卻這些檢測器以便將電荷載流子的熱產(chǎn)生（因此反向漏電流）減少到可接受的水平。否則，泄漏電流引起的噪聲會(huì)破壞鍺探測器的能量分辨率。溫度為77°K的液氮是這種探測器的常用冷卻介質(zhì)。鍺探測器安裝在真空室中，該真空室連接或插入LN2杜瓦瓶中。因此，敏感的探測器表面免受濕氣和可冷凝污染物的影響。專業(yè)銷售高純鍺（HPGe）探測器

專業(yè)銷售高純鍺（HPGe）探測器