專業(yè)銷售高純鍺（HPGe）探測器自2017年4月起，所有帶有RC反饋的HPGe探測器都隨智能前置放大器一起提供，通過內(nèi)置USB端口提供24/7的關(guān)鍵探測器參數(shù)數(shù)據(jù)，從而真正成為SMART探測器。

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iPA智能前置放大器

產(chǎn)品類別
標(biāo)準(zhǔn)電極同軸Ge探測器（SEGe）
標(biāo)準(zhǔn)電極同軸Ge探測器（SEGe）
描述
傳統(tǒng)的同軸鍺探測

自2017年4月起，所有帶有RC反饋的HPGe探測器都隨智能前置放大器一起提供，通過內(nèi)置USB端口提供24/7的關(guān)鍵探測器參數(shù)數(shù)據(jù)，從而真正成為SMART探測器。

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產(chǎn)品類別
標(biāo)準(zhǔn)電極同軸Ge探測器（SEGe）
標(biāo)準(zhǔn)電極同軸Ge探測器（SEGe）
描述
傳統(tǒng)的同軸鍺探測器通常被稱為Pure Ge，HPGe，Intrinsic Ge或Hyperpure Ge。無論使用何種，探測器基本上都是鍺圓柱體，在外表面上具有n型接觸，并且在軸向孔的表面上具有p型接觸。鍺的凈雜質(zhì)水平約為1010原子/ cc，因此在適度的反向偏壓下，電極之間的整個體積耗盡，并且電場在該有源區(qū)域上延伸。該區(qū)域內(nèi)的光子相互作用產(chǎn)生電荷載流子，電荷載流子被電場掃描到它們的收集電極，其中電荷敏感的前置放大器將該電荷轉(zhuǎn)換成與探測器中沉積的能量成比例的電壓脈沖。

n和p接觸或電極通常分別是擴(kuò)散的鋰和注入的硼。外部n型擴(kuò)散鋰接觸約0.5mm厚。內(nèi)接觸約0.3μm厚。表面勢壘可以用相同的結(jié)果代替注入的硼。

CANBERRA同軸Ge探測器無需冷卻即可運(yùn)輸和儲存。但是，通過保持探測器冷卻可以地保持長期穩(wěn)定性。與所有鍺探測器一樣，它必須在使用時進(jìn)行冷卻，以避免產(chǎn)生過多的熱產(chǎn)生的漏電流。該探測器的非易腐性擴(kuò)大了Ge光譜儀的應(yīng)用范圍，包括便攜式光譜儀的現(xiàn)場使用。

同軸Ge探測器的有用能量范圍是40keV到大于10MeV。分辨率和峰值形狀非常出色，可在各種效率范圍內(nèi)使用?？捎媚Ｐ土斜碓诟奖碇薪o出。

 
特征
能量范圍從40 keV到> 10 MeV高分辨率 - 良好的峰值形狀出色的定時分辨率高能量速率能力配備智能前置放大器二極管FET保護(hù)振蕩/高壓關(guān)閉USB 2.0串行接口
標(biāo)準(zhǔn)電極同軸Ge探測器（SEGe）
同軸Ge探測器配置

廣泛能源鍺探測器（BEGe）
反向電極同軸Ge探測器（REGe）
擴(kuò)展范圍同軸Ge探測器（XtRa）
小型陽極鍺井探測器（SAGe Well）
傳統(tǒng)的鍺井探測器
低能鍺探測器（LEGe）專業(yè)銷售高純鍺（HPGe）探測器
超LEGe探測器（GUL）
ACT-LC - 用于Act系肺和全身計數(shù)器的HPGe檢測器
鍺陣列探測器專業(yè)銷售高純鍺（HPGe）探測器
描述
鍺探測器是具有p-i-n結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體二極管，其中本征（I）區(qū)域?qū)﹄婋x輻射敏感，特別是x射線和γ射線。在反向偏壓下，電場延伸穿過本征或耗盡區(qū)域。當(dāng)光子與檢測器的耗盡體積內(nèi)的材料相互作用時，產(chǎn)生電荷載流子（空穴和電子）并被電場掃描到P和N電極。該電荷與入射光子在探測器中沉積的能量成比例，通過積分電荷敏感前置放大器轉(zhuǎn)換成電壓脈沖。專業(yè)銷售高純鍺（HPGe）探測器

因為鍺具有相對低的帶隙，所以必須冷卻這些檢測器以便將電荷載流子的熱產(chǎn)生（因此反向漏電流）減少到可接受的水平。否則，泄漏電流引起的噪聲會破壞鍺探測器的能量分辨率。溫度為77°K的液氮是這種探測器的常用冷卻介質(zhì)。鍺探測器安裝在真空室中，該真空室連接或插入LN2杜瓦瓶中。因此，敏感的探測器表面免受濕氣和可冷凝污染物的影響。專業(yè)銷售高純鍺（HPGe）探測器

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