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產(chǎn)品簡介
詳細介紹
CVD管式爐可根據(jù)用戶需要設(shè)計生產(chǎn)（有雙溫區(qū)、三溫區(qū)、多溫區(qū)），可預抽真空（有高真空、低真空），通多種氣氛（供氣系統(tǒng)有質(zhì)子流量器和浮子流量控制器）。性能可靠。控制電路選用模糊PID程控技術(shù)，具有控溫精度高，溫沖幅度小，性能可靠，簡單易操作等特點。
CVD管式爐由沉積溫度控件、沉積反應(yīng)室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據(jù)用戶需要設(shè)計生產(chǎn)，CVD系統(tǒng)除了主要應(yīng)用在碳納米材料制備行業(yè)外，現(xiàn)在正在使用在許多行業(yè)，包括納米電子學、半導體、光電工程的研發(fā)、涂料等領(lǐng)域。
CVD管式爐產(chǎn)品功能介紹以及特點說明：
1、采用KF快速法蘭密封，只需要一個卡箍就能完成法蘭的連接，放、取物料方便快捷，避免了螺栓密封人為操作導致漏氣的可能；減少了因安裝法蘭而造成加熱管損壞的可能；
2、爐膛采用進口氧化鋁多晶纖維材料，保溫性能好，耐用，拉伸強度高，無雜球，純度高，節(jié)能效果明顯優(yōu)于國內(nèi)纖維材料；
3、采用KF快速法蘭密封，只需要一個卡箍就能完成法蘭的連接，放、取物料方便快捷，避免了螺栓密封人為操作導致漏氣的可能；減少了因安裝法蘭而造成加熱管損壞的可能；
4、雙溫區(qū)控制系統(tǒng)采用PID方式控制，控溫儀表中可以設(shè)置30段升降溫程序，每個溫區(qū)可以單獨控溫；
5、CVD管式爐內(nèi)置兩個溫區(qū)，可以營造300℃內(nèi)不同的溫度梯度；
6、預留了485轉(zhuǎn)換接口，可通過我司軟件，與計算機互聯(lián)，可實現(xiàn)單臺或者多臺電爐的遠程控制、實時追蹤、歷史記錄、輸出報表等功能；可安裝無紙記錄裝置，實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲、輸出。
CVD管式爐使用過程中應(yīng)注意以下幾點要求：
1、CVD管式爐*使用或長時間不用后，要在120℃左右烘烤1小時，在300℃左右烘烤2小時后使用，以免造成爐膛開裂。爐溫盡量不要超過額定溫度，以免損壞加熱元件 及爐襯。禁止向爐膛內(nèi)直接灌注各種液體及溶解金屬，保持爐內(nèi)的清潔。
2、冷爐使用時，由于管式爐膛是冷的，須大量吸熱，所以低溫段升溫速率不易過快，各溫度段的升溫速率差別不易太大，設(shè)置升溫速率時應(yīng)充分考慮所燒結(jié)材料的物理化學性質(zhì)，以免出現(xiàn)噴料現(xiàn)象，污染爐管。
3、CVD管式爐爐膛若采用石英管，當溫度高于1000℃時，石英管的高溫部分會出現(xiàn)不透明現(xiàn)象，這叫失透是連熔石英管的一個固有缺陷，屬正?，F(xiàn)象。
4、定期檢查溫度控制系統(tǒng)的電器連接部分的接觸是否良好，應(yīng)特別注意加熱元件的各連接點的連接是否緊固。