高溫抗氧化性：高溫氧化氣氛下，元件的表面生成層致密的石英Sio2保護(hù)層以防止MOSi2繼續(xù)氧化。當(dāng)元件溫度大于1700℃，熔點(diǎn)為1710℃的石英保護(hù)層熔掉，由于表面張力的作用，石英熔聚成滴，而失去保護(hù)作用，元件在氧化氣氛下，再繼續(xù)使用時(shí)，石英保護(hù)層重新生成.

　　必須指出的是元件不宜在400-700℃范圍內(nèi)長(zhǎng)時(shí)間使用，否則元件會(huì)因低溫的強(qiáng)烈氧化作用而粉化。

電阻性

　　二硅化鉬電熱元件的電阻率隨著溫度升高而迅速增加，在正常操作情況下，元件電阻般不隨使用時(shí)間的長(zhǎng)短而變化。因此，新舊元件可以混合使用。

　表面負(fù)荷

　　根據(jù)爐子的結(jié)構(gòu)，氣氛和溫度正確地選擇元件表面負(fù)荷是達(dá)到元件壽命的關(guān)鍵。右圖示出了元件輻射在陰影部分為常用的表面負(fù)荷----溫度范圍。

表面負(fù)荷

　　安裝元件時(shí)夾頭上的螺絲不要次擰的太緊，待元件升到高溫時(shí)再次擰緊，因?yàn)檫@時(shí)元件有定塑性不易折斷。夾頭部分溫度般不要高于200℃，因此，夾頭導(dǎo)線與元件接觸電壓應(yīng)降低0.1v。為避免輻射熱傳到夾頭，夾頭下面和穿磚上面的距離不應(yīng)小于50mm。為了避免損壞，般直徑6/12mm元件不能長(zhǎng)期使用170A，直徑9/18mm元件不能長(zhǎng)期使用300A。