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當(dāng)前位置：上海富瞻環(huán)保科技有限公司>>分析儀器>>色譜、質(zhì)譜、光譜、波譜>> PHI nano TOF 3+飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀
| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)PHI nano TOF 3+
品 牌ULVAC-PHI
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地上海市
更新時(shí)間：2024-10-28 10:28:19瀏覽次數(shù)：193次
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賽默飛LCQ Fleet 離子阱液質(zhì)聯(lián)用儀
| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
PHI nano TOF3+，先進(jìn)的多功能TOF-SIMS具有更強(qiáng)大的微區(qū)分析能力，更加出色的分析精度
PHI nanoTOF3+
特征
先進(jìn)的多功能TOF-SIMS具有更強(qiáng)大的微區(qū)分析能力，更加出色的分析精度
飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀
新一代 TRIFT 質(zhì)量分析器，更好的質(zhì)量分辨率
適用于絕緣材料的無人值守自動(dòng)化多樣品分析
離子束技術(shù)
平行成像 MS/MS 功能，助力有機(jī)大分子結(jié)構(gòu)分析
多功能選配附件
TRIFT分析器適用于各種形狀的樣品 寬帶通能量+寬立體接收角度
寬帶通能量、寬立體接受角-適用于各種形貌樣品分析
主離子束激發(fā)的二次離子會(huì)以不同角度和能量從樣品表面飛 出，特別是對(duì)于有高度差異和形貌不規(guī)則的樣品，即使相同 的二次離子在分析器中會(huì)存在飛行時(shí)間上的差異，因此導(dǎo)致 質(zhì)量分辨率變差，并對(duì)譜峰形狀和背景產(chǎn)生影響。 TRIFT質(zhì)量分析器可以同時(shí)對(duì)二次離子發(fā)射角度和能量進(jìn)行 校正， 保證相同二次離子的飛行時(shí)間一致， 所以TRIFT兼顧 了高質(zhì)量分辨率和高檢測(cè)靈敏度優(yōu)勢(shì)，而且對(duì)于不平整樣品 的成像可以減少陰影效應(yīng)。
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實(shí)現(xiàn)高精度分析的一次離子設(shè)備
先進(jìn)的離子束技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高質(zhì)量分辨
PHI nanoTOF3+ 能夠提供高質(zhì)量分辨和高空間分辨的TOF-SIMS分析:在高質(zhì)量分辨模式下，其空間分辨率優(yōu)于500nm ;在高空間分辨模式下，其空間分辨模式優(yōu)于50 nm。通過結(jié)合強(qiáng)度高離子源、高精度脈沖組件和高分辨率質(zhì)量分析器，可以實(shí)現(xiàn)低噪聲、高靈敏度和高質(zhì)量分辨率的測(cè)量;在這兩種模式下，只需幾分鐘的測(cè)試時(shí)間，均可完成采譜分析。
前所未見的無人值守TOF-SIMS自動(dòng)化多樣品分析 -適用于絕緣材料
PHI nanoTOF3+搭載全新開發(fā)的自動(dòng)化多樣品分析功能，程序可根據(jù) 樣品導(dǎo)電性自動(dòng)調(diào)整分析時(shí)所需的高度與樣品臺(tái)偏壓， 可以對(duì)包括 絕緣材料在內(nèi)的各類樣品進(jìn)行無人值守自動(dòng)化TOF-SIMS分析。 整個(gè)分析過程非常簡(jiǎn)單， 只需三步即可對(duì)多個(gè)樣品進(jìn)行表面或深度 分析 ：①在進(jìn)樣室拍攝樣品臺(tái)照片 ；②在進(jìn)樣室拍攝的照片上分析點(diǎn) ；③按下分析鍵，設(shè)備自動(dòng)開始分析。 過去，必須有熟練的操作人員專門操作儀器才能進(jìn)行TOF-SIMS分析 ； 現(xiàn)在，無論操作人員是否熟練，都可以獲得高質(zhì)量的分析數(shù)據(jù)
標(biāo)配自動(dòng)化傳樣系統(tǒng)
PHI nanoTOF3+配置了在XPS上表現(xiàn)優(yōu)異的全自動(dòng)樣品傳送系 統(tǒng) ：樣品尺寸可達(dá)100mmx100 mm， 而且分析室標(biāo)配內(nèi)置 樣品托停放裝置 ；結(jié)合分析序列編輯器（Queue Editor），可以實(shí)現(xiàn)對(duì)大量樣品的全自動(dòng)連續(xù)測(cè)試。
采用新開發(fā)的脈沖氳離子設(shè)備獲得證書的自動(dòng)荷電雙束中和技術(shù)
TOF-SIMS測(cè)試的大部分樣品為絕緣樣品，而絕緣樣品表面 通常有荷電效應(yīng)。PHI nanoTOF3+ 采用自動(dòng)荷電雙束中和 技術(shù)，通過同時(shí)發(fā)射低能量電子束和低能量氳離子束，可實(shí)現(xiàn)對(duì)任何類型和各種形貌的絕緣材料的真正自動(dòng)荷電中和，無需額外的人為操作。
*需要選配Ar離子設(shè)備
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遠(yuǎn)程訪問實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程控制儀器
PHI nanoTOF3+允許通過局域網(wǎng)或互聯(lián)網(wǎng)訪問儀器。 只需將樣品臺(tái)放入進(jìn)樣室， 就可以對(duì)進(jìn)樣、換樣、測(cè)試和分析等所有操作進(jìn)行遠(yuǎn)程控制。我們的專業(yè)人員可以對(duì)儀器進(jìn)行遠(yuǎn)程診斷。
*如需遠(yuǎn)程診斷，請(qǐng)聯(lián)系我們的客戶服務(wù)人員。?
從截面加工到截面分析： 只需一個(gè)離子源即可完成
標(biāo)配離子設(shè)備FIB(Focused lon Beam)功能
在PHI nanoTOF3+中， 液態(tài)金屬離子具設(shè)備備 FIB功能， 可以使用單個(gè)離子設(shè)備對(duì)樣品進(jìn)行 橫截面加工和橫截面TOF-SIMS分析。通過操 作計(jì)算機(jī)， 可以快速輕松地完成從FIB處理 到TOF-SIMS分析的全過程。此外，可在冷卻 條件下進(jìn)行FIB加工。
在選配Ga源進(jìn)行FIB加工時(shí)，可以獲得FIB加 工區(qū)域的3D影像 ；Ga源還可以作為第二分析 源進(jìn)行TOF-SIMS分析。
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通過平行成像MS/MS進(jìn)行 分子結(jié)構(gòu)分析[選配]
MS/MS平行成像 同時(shí)采集MS1/MS2數(shù)據(jù)
在TOF-SIMS測(cè)試中，MS1質(zhì)量分析分析器接收從樣品表面 產(chǎn)生的所有二次離子碎片，對(duì)于質(zhì)量數(shù)接近的大分子離子， MS1譜圖難以區(qū)分。通過安裝串聯(lián)質(zhì)譜MS2，對(duì)于特定離子 進(jìn)行碰撞誘導(dǎo)解離生產(chǎn)特征離子碎片，MS2譜圖可以實(shí)現(xiàn) 對(duì)分子結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步鑒定。
PHI nanoTOF3+具備串聯(lián)質(zhì)譜MS/MS平行成像功能， 可以同時(shí)獲取分析區(qū)域的MS1和MS2數(shù)據(jù)，為有機(jī)大分子結(jié)構(gòu)解析提供了強(qiáng)有力的工具。
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多樣化配置充分發(fā)揮TOF-SIMS潛力
可拆卸手套箱：可安裝在樣品導(dǎo)入室
可以選配直接連接到樣品進(jìn)樣室的可拆卸手套箱。 鋰離子電池和有機(jī) OLED等容易與大氣發(fā)生反應(yīng)的樣品可以直接安裝在樣品臺(tái)上。此外，在 冷卻分析后更換樣品時(shí)，可以防止樣品表面結(jié)霜。
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氬團(tuán)簇離子源（Ar-GCIB）：有機(jī)材料深度剖析
使用氬團(tuán)簇離子源(Ar-GCIB)能夠有效減少濺射過程中對(duì)有機(jī)材料的破壞，從而在刻蝕過程中保留有機(jī)大分子結(jié)構(gòu)信息。
Cs源和Ar/O2源：無機(jī)材料深度剖析
可根據(jù)測(cè)試需求選擇不同的離子源提高二次離子產(chǎn)額，使用Cs源可增強(qiáng)負(fù)離子產(chǎn)額 ；O2源可增強(qiáng)正 離子產(chǎn)額
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上海富瞻環(huán)?？萍加邢薰?
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