價(jià)格區(qū)間 |
面議 |
儀器種類(lèi) |
雙晶衍射 |
應(yīng)用領(lǐng)域 |
綜合 |
DDCOM X射線(xiàn)單晶定向儀
確定單晶的晶格取向,使用Omega掃描方法的超高速晶體定位,測(cè)量立方晶體任意未知取向的測(cè)定,特別設(shè)計(jì)用于點(diǎn)陣方向的方位設(shè)置和標(biāo)記。氣冷式x射線(xiàn)管,無(wú)需水冷,
適合于研究和生產(chǎn)質(zhì)量控制。 X射線(xiàn)單晶定向儀
DDCOM X射線(xiàn)單晶定向儀
產(chǎn)品特點(diǎn)
確定單晶的晶格取向,使用Omega掃描方法的超高速晶體定位,測(cè)量立方晶體任意未知取向的測(cè)定,特別設(shè)計(jì)用于點(diǎn)陣方向的方位設(shè)置和標(biāo)記。氣冷式x射線(xiàn)管,無(wú)需水冷,
適合于研究和生產(chǎn)質(zhì)量控制。 X射線(xiàn)單晶定向儀
詳細(xì)介紹
產(chǎn)品介紹:
技術(shù)特點(diǎn)
確定單晶的晶格取向
使用Omega掃描方法的超高速晶體定位測(cè)量
立方晶體任意未知取向的測(cè)定
特別設(shè)計(jì)用于點(diǎn)陣方向的方位設(shè)置和標(biāo)記
氣冷式x射線(xiàn)管,無(wú)需水冷
適合于研究和生產(chǎn)質(zhì)量控制
X射線(xiàn)單晶定向儀

所有想要的晶體方向參數(shù)在5秒內(nèi)一次旋轉(zhuǎn)中被捕獲
可測(cè)量材料的例子
? 立方/任意未知方向:Si, Ge, GaAs, GaP, InP
? 立方/特殊取向:Ag, Au, Ni, Pt, GaSb, InAs, InSb, AlSb, ZnTe, CdTe, SiC3C, PbS, PbTe, SnTe, MgO, LiF, MgAl2O4, SrTiO3, LaTiO3
? 正方:MgF2, TiO2, SrLaAlO4
? 六方/三角:SiC 2H, 4H, 6H, 15R, GaN, ZnO, LiNbO3, SiO2(石英),Al2O3(藍(lán)寶石),GaPO4, La3Ga5SiO14
? 斜方晶系:Mg2SiO4 NdGaO3
? 可根據(jù)客戶(hù)的要求進(jìn)一步選料
X射線(xiàn)單晶定向儀

DDCOM的應(yīng)用
平面方向的標(biāo)記和測(cè)量
在晶圓片的注入和光刻過(guò)程中,需要平面或凹槽作為定位標(biāo)記。切割過(guò)程中,晶片必須正確地對(duì)準(zhǔn)晶圓片上易于切割的晶格面。因此,檢查平面或缺口的位置至關(guān)重要。
為了確定平面或缺口的位置,就需要測(cè)量平面內(nèi)的部件。由于Omega掃描法可以在一次測(cè)量中確定完整的晶體方位,基于此,便可以直接識(shí)別在平面方向或檢查方向的單位或缺口。
DDCOM通過(guò)旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤(pán),可以將任何平面方向轉(zhuǎn)換成用戶(hù)的特定位置。在必須定義平面方向的情況下,這可以極大簡(jiǎn)化將標(biāo)記應(yīng)用到特定平面方向的過(guò)程。