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少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)

產(chǎn)品特點(diǎn)

用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監(jiān)控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品介紹：

MDPpro 850+

用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監(jiān)控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。

特點(diǎn) ：

◇ 壽命范圍：20 ns至100 ms（樣品電阻率 > 0.3 Ohm cm）

◇ SEMI標(biāo)準(zhǔn)：PV9-1110

◇ 測試速度：線掃描 < 30 s；完整的面掃秒 < 5 min

◇ 同時測量：壽命μPCD/MDP（QSS）和電阻率

◇ 自動幾何形狀識別： G12、M10晶磚和晶圓片

直拉硅單晶硅錠中的滑移線

應(yīng)用 :

◇ 壽命 & 電阻率面掃描

◇ 晶體生長監(jiān)控（即滑移線）

◇ 污染監(jiān)測

◇ 氧條紋/OSF環(huán)

◇ P 型摻雜硅的鐵面掃描圖

◇ 光束感應(yīng)電流（LBIC）

◇ 發(fā)射極層的方阻

◇ 更多…

含有大量缺陷的準(zhǔn)單晶硅錠的壽命測量

技術(shù)規(guī)格 :

材料	單晶硅
晶錠尺寸	125 x 125至210 x 210 mm2，晶磚長850 mm或更長
晶圓尺寸	直徑可達(dá)300 mm
電阻率范圍	0.5 – 5 ohm cm。根據(jù)要求提供其他范圍
導(dǎo)電類別	p//n
可測量的參數(shù)	壽命-μPCD/MDP（QSS）、光電導(dǎo)率、電阻率等
默認(rèn)激光器	IR激光二極管（980 nm，不超過500 mW）和IR激光二極管（905 nm，不超過9000 mW）?？筛鶕?jù)要求提供其他波長
電腦	Windows 11或新版本、 Framework更新、2個以太網(wǎng)端口
電力要求	100 – 250 V AC, 6 A
尺寸（寬高長）	2560 × 1910 × 1440 mm
重量	約200 kg
認(rèn)證	根據(jù)ISO 9001準(zhǔn)則制造，符合CE要求

MDP studio - 操作和評估軟件：

用戶友好且優(yōu)良的操作軟件具有：

◇ 導(dǎo)入和導(dǎo)出功能

◇ 帶有操作員的用戶結(jié)構(gòu)

◇ 所有執(zhí)行的測量概覽

◇ 樣品參數(shù)輸出

◇ 單點(diǎn)測量（例如：注入濃度相關(guān)的測量）

◇ 面掃描

◇ 測試配方

◇ 分析功能包

◇ 線掃描和單點(diǎn)瞬態(tài)視圖

遠(yuǎn)程訪問基于IP的系統(tǒng)允許在世界任何地方進(jìn)行遠(yuǎn)程操作和技術(shù)支持

配置選項：

◇ 光斑尺寸變化

◇ 電阻率測量（晶磚和晶圓片）

◇ 背景/偏置光

◇ 反射測量（MDP）

◇ LBIC

◇ P型摻雜硅中的鐵圖譜

◇ p/n檢測

◇ 條碼讀取器

◇ 自動幾何識別

◇ 寬的激光器波長范圍

多晶硅晶圓線掃描

HJT晶圓的壽命測量

MDPpro850+ 應(yīng)用：

鐵濃度測定

鐵的濃度的精確測定是非常重要的，因為鐵是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此，有必要盡可能準(zhǔn)確和快速地測量鐵濃度，具有非常高的分辨率且**是在線的

更多......

摻雜樣品的光電導(dǎo)率測量

B和P的摻雜在微電子工業(yè)中有許多應(yīng)用，但到目前為止，沒有方法可以在不接觸樣品和由于必要的退火步驟而改變其性質(zhì)的情況下檢查這些摻雜的均勻性。迄今為止的困難……

更多......

陷阱濃度測定

陷阱中心是非常重要的，為了了解材料中載流子的行為，也可以對太陽能電池產(chǎn)生影響。因此，需要以高分辨率測量這些陷阱中心的陷阱密度和活化能。

更多......

注入相關(guān)測量

少數(shù)載流子壽命強(qiáng)烈依賴于注入(過剩余載流子濃度)。從壽命曲線的形狀和高度可以推斷出摻雜復(fù)合中心和俘獲中心的信息。

更多......

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