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| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)
品 牌ULVAC-PHI
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地上海市
更新時(shí)間：2024-11-05 14:02:33瀏覽次數(shù)：233次
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賽默飛LCQ Fleet 離子阱液質(zhì)聯(lián)用儀
| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
PHI X-tool 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀
一束高能初級(jí)離子轟擊樣品表面激發(fā)出原子和分子碎片
只一小部分激發(fā)出的粒子以離子的狀態(tài)離開表面，被質(zhì)量分析器探測出來
對于無機(jī)材料, 原子離子百分含量> 10%
產(chǎn)品介紹：
一束高能初級(jí)離子轟擊樣品表面激發(fā)出原子和分子碎片
只一小部分激發(fā)出的粒子以離子的狀態(tài)離開表面，被質(zhì)量分析器探測出來
對于無機(jī)材料, 原子離子百分含量> 10%
Excitation Process激發(fā)過程
離子產(chǎn)生和表面靈敏度
一束高能初級(jí)離子轟擊樣品表面激發(fā)出原子和分子碎片
只一小部分激發(fā)出的粒子以離子的狀態(tài)離開表面，被質(zhì)量分析器探測出來
對于無機(jī)材料, 原子離子百分含量> 10%
對于有機(jī)材料，原子和分子離子碎片百分含量可以從 .001% 到 1%
只從表面2個(gè)分子層激發(fā)出的粒子可以以離子態(tài)離開表面
TOF-SIMS 主要功能
采集離子質(zhì)譜圖用于表面元素（原子離子），同位素，分子化學(xué)結(jié)構(gòu)（通過分子離子碎片）的表征
點(diǎn)或面掃描（2D成像）得到成分分布像，觀察不同成分在同一條線或面的分布情況
深度剖析和3D成像可以分析不同的膜層結(jié)構(gòu)和成分深度分布信息：多層膜層結(jié)構(gòu)表征，成分摻雜深度，擴(kuò)散，吸附等表征
應(yīng)用實(shí)例：
所有元素探測– H, He, Li, etc. （H~U)
同位素的探測 – 2H, 3H, He, Li, 18O, 13C, etc.
詳細(xì)的分子信息 – 有機(jī)和無機(jī)
分子成像
平行探測–圖像中每一像素點(diǎn)都有對應(yīng)的全質(zhì)譜
表面靈敏 – 樣品表面 1-3 個(gè)原子 /分子層
痕量分析靈敏度高 – 0.1 到 1 ppm 原子濃度
快速數(shù)據(jù)采集 – 通常 1 – 15 分鐘 (表面 IMS)
高空間分辨率
< 70 nm （成像模式下）
< 0.5 µm （保持較好質(zhì)量分辨率下）
表面物理形貌信息
離子擊發(fā)出的 SEI （二次電子像） < 60 nm
大的立體接收角 ~ 180o
可分析所有材料 – 導(dǎo)體，半導(dǎo)體和絕緣材料
技術(shù)參數(shù)：
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