目錄:上海昊量光電設(shè)備有限公司>>激光測(cè)量設(shè)備>>偏振態(tài)測(cè)量?jī)x>> MPROBE 50 INSITU原位薄膜厚度測(cè)量?jī)x
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更新時(shí)間：2022-04-13 10:12:33瀏覽次數(shù)：1752評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 生物產(chǎn)業(yè),電子/電池,綜合 | 原位薄膜厚度測(cè)量?jī)x | MPROBE 50 INSITU |
原位薄膜厚度測(cè)量?jī)x
原位薄膜厚度測(cè)量?jī)x用于測(cè)量薄膜厚度和 n&k（光學(xué)常數(shù)）的實(shí)時(shí)光學(xué)測(cè)量?jī)x。該系統(tǒng)可以在高環(huán)境光下工作，因?yàn)樗褂瞄T控?cái)?shù)據(jù)采集，使用高強(qiáng)度閃光氙燈在寬帶 ( UV-NIR) 波長范圍內(nèi)進(jìn)行精確測(cè)量。MProbe 50 系統(tǒng)是*可定制的，以支持不同的真空室幾何形狀。根據(jù)可用的光學(xué)端口，可以使用斜入射或垂直入射。光可以聚焦在樣品表面或準(zhǔn)直。反射探頭可以放置在沉積室光學(xué)端口的外部或內(nèi)部（使用光纖饋通）。MProbe 50 系統(tǒng)沒有活動(dòng)部件。典型測(cè)量時(shí)間~10ms?？梢钥焖倏煽康販y(cè)量任何半透明薄膜。
優(yōu)勢(shì)：
1.原位薄膜厚度和 n&k 測(cè)量
2.用于高環(huán)境光環(huán)境下測(cè)量的門控?cái)?shù)據(jù)采集
3.材料：500+ 擴(kuò)展材料數(shù)據(jù)庫
4.連續(xù)、快速和可靠的測(cè)量
5.靈活的配置——*定制以匹配沉積室的幾何形狀
選型列表：
MProbe50 | 波長范圍 | 厚度范圍 |
VIS | 400nm -1100nm | 15nm – 20 μm |
HRVIS | 700nm-1000nm | 1μm-400μm |
NIR | 900nm-1700nm | 100nm – 200μm |
UVVisF | 200nm -900nm | 1nm – 20μm |
UVVISNIR | 200nm-1700nm | 1nm -200μm |
XT | 1590nm -1650nm | 10μm-1mm |
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